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DBC-112可控硅 靜態綜合測試設備

型號: ZY-Trr
電壓過沖范圍: 50V±10%
測量精度: 0.3~5.00V
需求數量: 10
價格要求: 100000
包裝要求: 木箱
所在地: 陜西西安市
有效期至: 長期有效
最后更新: 2025-07-03 08:49
瀏覽次數: 4
報價
公司基本資料信息






 
 
詳細說明

 

系統概述:

    針對晶閘管的靜態參數而研發的智能測試設備,電壓8500V、10000A(可擴展),自動化程度高,按照操作人員設定的程序自動工作。計算機記錄測試結果,測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關的動作狀態、數據采集等均由計算機和PLC共同完成。

測試方法靈活,可測試單個單元和多單元的模塊,系統安全穩定,整體采用輪式機柜集成測試,具有簡潔的人機交互界面(計算機)和良好的保護措施,操作簡單,移動方便等特點。

 

系統單元及參數條件

 

 

門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT

陽極電壓:12V

陽極串聯電阻:6Ω

門極觸發電壓:0.3~5.00V ±3%±10mV

門極觸發電流:2~450mA ±3%±1 mA

 

維持電流測試單元IH

陽極電壓:12V

預導通電流:>10A,正弦衰減波

維持電流: 2~450mA  ±5%±1 mA

測試頻率:單次

 

 

通態壓降測試單元VTM

平板器件通態電流:0.10~5.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

模塊器件通態電流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

電流上升沿時間:≥5ms

通態壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

測試頻率:單次

 

 

斷態電壓/斷態漏電流VD/ID

反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

阻斷電壓:0.20~6.00kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

正反向自動測試

正/反向漏電流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設定的范圍則自動保護,測試頻率: 50HZ

 

斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt

電壓:1200V,1600V,2000V三檔, 1V,±5%

電壓過沖范圍:<50V±10%

DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs,1200V/μs±10%

阻斷參數測試單元

測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。

擎住電流IL

100-1800mA

平板夾具壓力范圍

6-60KN,氣動加壓方式

門極電阻

適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試

 

計算機控制系統

設備的所有工作程序,工作時序,開關的動作狀態,數據的采集等均由計算機完成。工業控制機,具有抗電磁干擾能力強,排風量大等特點。

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