交流阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規定的時間，從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。        

 

一般情況下，此項試驗是對器件在結溫（Tjm ℃）和規定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規定時間的 試驗，并根據抽樣理論和失效判定依據，確認是否通過， 同時獲取相關試驗數據。       

 

該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。可供半導體器件配以適當的溫度可控裝置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。

( 陜西電力電子專用)