2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇
7月20日-21日
上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)
“雙碳”戰(zhàn)略帶來(lái)的新能源增量需求，以及國(guó)產(chǎn)替代的需求，也會(huì)為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)帶來(lái)巨大增長(zhǎng)空間，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、信息通訊、軌道交通、光伏、風(fēng)電、工控等領(lǐng)域的持續(xù)滲透，為我國(guó)打開(kāi)了巨大的市場(chǎng)。隨著近年逐步開(kāi)始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來(lái)了新的發(fā)展賽道，并逐步形成與行業(yè)應(yīng)用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢(shì)。尤其是IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用。
為推動(dòng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)等單位，將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間，在上海世博展覽館舉辦“2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇”。隨著新材料技術(shù)的不斷突破和在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產(chǎn)品、一代產(chǎn)業(yè)”。屆時(shí)我們將邀請(qǐng)到產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)專家代表，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作，攜手向前，共享共贏。
主辦單位：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)
勵(lì)展博覽集團(tuán)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
報(bào)告議題（擬）：
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國(guó)產(chǎn)IGBT技術(shù)進(jìn)展及市場(chǎng)現(xiàn)狀 |
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碳化硅肖特基二級(jí)管技術(shù) |
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IGBT模塊封裝技術(shù) |
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助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案 |
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高壓功率器件封裝絕緣問(wèn)題及面臨的調(diào)整 |
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單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
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第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
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IGBT的真空焊接技術(shù) |
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超高壓碳化硅功率器件 |
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碳化硅離子注入技術(shù) |
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第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測(cè)試方法和實(shí)現(xiàn) |
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IGBT芯片設(shè)計(jì) |
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車規(guī)級(jí)IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢(shì) |
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基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
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SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì) |
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車規(guī)級(jí)氮化鎵功率器件技術(shù) |
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用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
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IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
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碳化硅芯片設(shè)計(jì) |
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