傾佳電子-專業(yè)功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷商，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源及新能源汽車制造商。相較傳統(tǒng)汽車，新能源汽車在電驅(qū)動單元、電氣設(shè)備的數(shù)量上都有較大的增加，內(nèi)部動力電流及信息電流錯綜復雜，特別是高電流、高電壓的電驅(qū)動系統(tǒng)對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產(chǎn)品需求量及質(zhì)量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設(shè)施上均有應(yīng)用。整車上高壓連接器主要應(yīng)用場景有：DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關(guān)、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調(diào)、交流充電口等。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個方向，一個用于電機驅(qū)動逆變器（電機控制器），另一個用于車載電源系統(tǒng)，主要包括：電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載空調(diào)系統(tǒng)（PTC和空壓機）等方面。

脫碳已經(jīng)成為全球的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點，傾佳電子持續(xù)提供高品質(zhì)功率半導體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲能變流器，電動汽車電機主驅(qū)，光伏逆變器，儲能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶深入合作，持續(xù)服務(wù)客戶的供應(yīng)鏈及新產(chǎn)品開發(fā)，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業(yè)發(fā)展！

近年來，傾佳電子-著力推廣國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國產(chǎn)SiC-MOSFET，國產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅(qū)動IC，自舉驅(qū)動IC,不斷在高壓汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器，數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域拓展市場。除了車載應(yīng)用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-專業(yè)功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結(jié)溫特性、高頻特性要求，也對現(xiàn)有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導通損耗和開關(guān)損耗方面的卓越性能，可以大大降低電力電子方面應(yīng)用的能耗。

隨著汽車越來越智能化，對于連接器在未來的智能汽車上，絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸，這個和傳統(tǒng)汽車會有非常本質(zhì)上的區(qū)別， 未來的連接器有可能會變成模塊化，其功能會隨著不同的汽車部位應(yīng)用場景，功能也會有所不同；同時智能駕駛的出現(xiàn)會讓連接對于傳輸?shù)姆€(wěn)定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會提到更高一個要求等級；傾佳電子-專業(yè)代理的汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導電源技術(shù)轉(zhuǎn)向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻。

智能駕駛系統(tǒng)需要將超聲波雷達、毫米波雷達、攝像頭、激光雷達、網(wǎng)關(guān)、VCU、天線、GPS、5G 通信等進行互連。隨著高級別ADAS的滲透率快速提升，車載傳感器用量增加，數(shù)據(jù)傳輸要求(高速高頻大數(shù)據(jù)量)相應(yīng)提高，智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長。換電連接器有望成為行業(yè)標配，一方面因為換電模式電動車滲透率的提升，另一方面對于非換電模式的電動車廠家采用換電方案將實現(xiàn)車電分離，有利于后期電池的升級、維護和回收。未來大量電動車電池淘汰后，有望進入儲能領(lǐng)域進行二次利用，建立統(tǒng)一的連接器接口標準成為行業(yè)的重點。非補能形式的換電方案的車型將越來越多，未來成為行業(yè)標配。

為了提高補能效率，大功率快充成為各車企的研發(fā)重點。相較于400V架構(gòu)，切換800V架構(gòu)能夠使充電時間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉(zhuǎn)化接口，帶動高壓連接器單車價值量上升。要構(gòu)建800V高壓平臺，碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統(tǒng)的整體效率，達到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車續(xù)航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅(qū)系統(tǒng)的體積和重量，從而釋放更多車輛內(nèi)部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會看到整個電機驅(qū)動器系統(tǒng)的價格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個應(yīng)用系統(tǒng)之間進行復雜的設(shè)計和成本研究分析，但可能會提高效率并節(jié)省成本。

新能源汽車三電內(nèi)部動力電流及信息電流錯綜復雜，同時又因汽車領(lǐng)域特殊的安全性要求，對連接器性能側(cè)重點為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機械壽命長、抗振動沖擊等長期處于動態(tài)工作環(huán)境中的良好機械性能。

基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動汽車續(xù)航里程并將充電時間縮短一半。在全球汽車電動化的浪潮下，汽車半導體領(lǐng)域的功率電子器件作為汽車電動化的核心部件，成為了車企和電機控制器Tire 1企業(yè)關(guān)注的熱點。車用功率模塊已從硅基IGBT為主的時代，開始逐步進入以碳化硅MOSFET為核心的發(fā)展階段。在電機控制器中用碳化硅MOS替換硅基IGBT后，會獲得電機控制器的效率的提升，NEDC工況下，對電池續(xù)航的貢獻提升在3%-8%之間，所以電控應(yīng)用對碳化硅器件的需求最為迫切。同時，在國內(nèi)新能源汽車市場大力推進適應(yīng)高壓快充技術(shù)的高壓平臺上，硅基IGBT應(yīng)對起來就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。這更加確定了碳化硅功率器件在下一代電控系統(tǒng)中的核心和不可替代性地位。目前新的設(shè)計SiC模塊的設(shè)計方向是結(jié)構(gòu)緊湊更緊湊，通過采用雙面銀燒結(jié)和銅線鍵合技術(shù)，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型銅基PinFin板、多信號監(jiān)控的感應(yīng)端子（焊接、壓接兼容）設(shè)計，努力往低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性等方向努力。通過好的設(shè)計和先進的工藝技術(shù)確保碳化硅MOSFET性能優(yōu)勢在設(shè)備中得到最大程度發(fā)揮。