在業界熱烈的歡慶聲中，2013年11月11日下午，備受全球矚目的半導體照明產業年度盛會——第十屆中國國際半導體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕，來自全球半導體照明業界各方專家學者、政府領導、行業精英齊聚京城，共商產業發展大計。
在開幕式的論壇環節中，首先由獲得全球半導體照明突出貢獻獎之一的藍光、綠光和白光LED發明人，美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場嘉賓和代表們帶來了精彩報告：“下一代半導體照明”，引起大家關注。
中村修二首先對第一代LED和第二代LED進行了對比，第一代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED則是基于氮化鎵基底，二者比較而言，用氮化鎵做基底的第二代LED較第一代有很大的提高，如電流密度、溫度都有很大提高。“在性能方面，我們采用非極化和半極化的方式進行研究，并在2007年有了更大的突破，可以實現降低50%成本，發光率則增長50%。”
中村修二進一步表示，氮化鎵基底沒有以往那些晶體的缺陷，不僅能提高電流密度，還可以使散熱增加0.4%～0.5%，因此用氮化鎵做基底的LED將更加明亮。除此之外，用氮化鎵還能減少LED的數量，做出非常漂亮的點光源，并可以達到75W鹵素燈的水平，而且輸入功率只有12W，“我們也將其稱之為激光燈，未來將非常有潛力，主要原因在于激光燈的效率非常高，電流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小。”
最后，中村修二強調指出，氮化鎵比藍寶石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能夠滿足現有LED技術要求，其電流密度可比以前增加10倍，照明質量更高。同時，使用氮化鎵還可以采用非極化和半極化的平面，以提高它的效率。“下一代半導體照明很可能是激光照明，雖然目前還沒有大規模使用，但LED燈與激光燈比較，效率下降小、電流密度增加許多，所以激光照明會是未來的一個發展趨勢。”中村修二表示。
