国产一级在线_欧美一日本频道一区二区三区_久久精品视频9_欧美性生交大片

 
 
當(dāng)前位置: 首頁 » 資訊 » 產(chǎn)業(yè)資訊 » 會議展覽 » 正文

2016年IEEE寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)國際研討會

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-04-11 瀏覽次數(shù):1418

The 2016 International Workshop on Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics (IWWSPE)

Xi’an, 21-22 May 2016 (西安,2016.5.21-22)

iwwspe2016.xjtu.edu.cn 

由西安交通大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和IEEE西安分會主辦的2016年IEEE寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)國際研討會將于5月21日至22日在西安交通大學(xué)舉辦。此次研討會是寬禁帶半導(dǎo)體電力電子領(lǐng)域國內(nèi)首次舉辦的高端論壇,邀請了美國、歐洲和日本的10位著名專家教授和10位國內(nèi)的相關(guān)專家教授做報(bào)告,涉及寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件和寬禁帶半導(dǎo)體材料生長等方面,為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會。誠摯歡迎大家的參與。

主辦單位:西安交通大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、IEEE西安分會

協(xié)辦單位:清華大學(xué)、浙江大學(xué)、山東大學(xué)、西安理工大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、

中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟   

承辦單位:西安交通大學(xué)電力系統(tǒng)電氣絕緣國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、

西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體國家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室

會 議 日 程

5/21 早上

 

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)應(yīng)用

Applications of WBG power electronics

 

1、 Power Semiconductor Devices for Energy Internet(應(yīng)用于能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體)

Prof. Yufeng Qiu, Global Energy Interconnection Research Institute

(邱宇峰,國網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院)

2、 Is GaN a game-changing device (GaN器件能改變游戲規(guī)則嗎)

Prof. Qiang Li, Virginia Tech, USA (美國佛吉尼亞理工大學(xué))

3、 Driving and characterization of wide bandgap semiconductors for voltage source converter applications (應(yīng)用于電壓源變換器的寬禁帶半導(dǎo)體的驅(qū)動和表征)

Prof. Fred Wang, University of Tennessee, USA(美國田納西大學(xué))

4、 Installation of all-SiC invertor system to hybrid electric vehicle (全SiC逆變器應(yīng)用于混合動力汽車)

Dr. Kimimori Hamada, Toyota Motor Corporation(日本豐田公司)

5、 寬禁帶半導(dǎo)體的電力電子應(yīng)用

Prof. Xu Yang, Xi’an Jiaotong University(西安交通大學(xué)楊旭教授))

5/21 下午

 

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子封裝技術(shù)

Packaging for WBG power electronics

 

1、 Development of Lead-free, Low-temperature Sintering Die-Attach Technique for High-performance and High-temperature Packaging (應(yīng)用于高效、高溫的無鉛低溫?zé)Y(jié)的粘片技術(shù))

Prof. Guo-Quan Lu, Virginia Tech, USA(美國佛吉尼亞理工大學(xué))

2、 Packaging technologies to exploit the attributes of WBG power electronics (充分發(fā)掘?qū)捊麕щ娏﹄娮犹匦缘姆庋b技術(shù))

Dr. Zhenxian Liang, Oak Ridge National Lab, USA(美國橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室)

3、 Status and challenges for high-voltage packaging(高壓封裝的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn))

Prof. Hongwei Zhang, CRRC(中車西安永電公司張紅衛(wèi))

4、 寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)

Prof. Puqi Ning, Institute of Electrical Engineering, CAS (中科院電工所寧蒲齊教授))

5、 Packaging and integration of passive components(無源集成技術(shù))

Prof. Laili Wang, Xi’an Jiaotong University(西安交通大學(xué)王來利教授))

5/22 早上

 

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件

WBG power devices

1、 Introduction to SiC devices : physics, working principles, architectures

Prof. James Cooper, Purdue University, USA(美國普度大學(xué))

2、 GaN devices

Prof. Yue Hao,Xidian Univeristy(西安電子科技大學(xué)郝躍教授))

3、 GaN power devices

Kevin Chen, University of Science and Technology of Hong Kong

(香港科技大學(xué)陳敬教授)

4、 Progress in SiC MOSFET, IGBT and Thyristors

Prof. Anping Zhang, Xi’an Jiaotong University(西安交通大學(xué)張安平教授)

5、 SiC power devices

Prof. Kuang Sheng, Zhejiang University(浙江大學(xué)盛況教授))

5/22 下午

 

寬禁帶半導(dǎo)體材料

WBG semiconductor materials

 

1、 Epitaxial Growth of On-Axis 4H-SiC and Defect Characterization (SiC外延生長與表征)

Prof. Peder Bergman, Likoping University, Sweden(瑞典林雪平大學(xué))

2、 Developing technologies of SiC gas source growth Method(SiC襯底的氣相生長技術(shù))

Dr. Jun Kojima,Denso Corporation, Japan日本Denso公司

3、 SiC substrates (SiC襯底技術(shù))

Prof. Xiangang Xu, Shandong University(山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授)

4、 GaN bulk substrate(GaN襯底技術(shù))

Ke Xu, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS

(中科院蘇州納米所徐科教授)

5、 Epitaxial growth of GaN materials (GaN的外延生長)

Prof. May Lau, University of Science and Technology of Hong Kong

(香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授)

 

會議聯(lián)絡(luò)咨詢

姓名:張威威、劉輝      電話:86-10-8238 7380/1880

傳真:010-82388580    郵件: zhangww@china-led.net ; liuh@china-led.net

媒體合作

姓名:李曉仙            電話:010-82387600-637

                                                       

 
【版權(quán)聲明】本網(wǎng)站所刊原創(chuàng)內(nèi)容之著作權(quán)為「中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)」網(wǎng)站所有,如需轉(zhuǎn)載,請注明文章來源——中國半導(dǎo)體照明網(wǎng);如未正確注明文章來源,任何人不得以任何形式重制、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、散布、引用、變更、播送或出版該內(nèi)容之全部或局部。
 
[ 資訊搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
0條 [查看全部]  相關(guān)評論

 
推薦圖文
點(diǎn)擊排行
關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 誠聘英才 | 廣告服務(wù) | 意見反饋 | 網(wǎng)站地圖 | RSS訂閱