The 2016 International Workshop on Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics (IWWSPE)
Xi’an, 21-22 May 2016 （西安，2016.5.21-22）
iwwspe2016.xjtu.edu.cn
由西安交通大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和IEEE西安分會主辦的2016年IEEE寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)國際研討會將于5月21日至22日在西安交通大學(xué)舉辦。此次研討會是寬禁帶半導(dǎo)體電力電子領(lǐng)域國內(nèi)首次舉辦的高端論壇，邀請了美國、歐洲和日本的10位著名專家教授和10位國內(nèi)的相關(guān)專家教授做報告，涉及寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件和寬禁帶半導(dǎo)體材料生長等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。
主辦單位：西安交通大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、IEEE西安分會
協(xié)辦單位：清華大學(xué)、浙江大學(xué)、山東大學(xué)、西安理工大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、
中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
承辦單位：西安交通大學(xué)電力系統(tǒng)電氣絕緣國家重點實驗室、
西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體國家重點學(xué)科實驗室
會 議 日 程
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5/21 早上
寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)應(yīng)用 Applications of WBG power electronics
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1、 Power Semiconductor Devices for Energy Internet（應(yīng)用于能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體） Prof. Yufeng Qiu, Global Energy Interconnection Research Institute （邱宇峰，國網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院） |
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2、 Is GaN a game-changing device （GaN器件能改變游戲規(guī)則嗎） Prof. Qiang Li, Virginia Tech, USA （美國佛吉尼亞理工大學(xué)） |
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3、 Driving and characterization of wide bandgap semiconductors for voltage source converter applications （應(yīng)用于電壓源變換器的寬禁帶半導(dǎo)體的驅(qū)動和表征） Prof. Fred Wang, University of Tennessee, USA（美國田納西大學(xué)） |
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4、 Installation of all-SiC invertor system to hybrid electric vehicle （全SiC逆變器應(yīng)用于混合動力汽車） Dr. Kimimori Hamada, Toyota Motor Corporation（日本豐田公司） |
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5、 寬禁帶半導(dǎo)體的電力電子應(yīng)用 Prof. Xu Yang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)楊旭教授）） |
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5/21 下午
寬禁帶半導(dǎo)體電力電子封裝技術(shù) Packaging for WBG power electronics
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1、 Development of Lead-free, Low-temperature Sintering Die-Attach Technique for High-performance and High-temperature Packaging （應(yīng)用于高效、高溫的無鉛低溫燒結(jié)的粘片技術(shù)） Prof. Guo-Quan Lu, Virginia Tech, USA（美國佛吉尼亞理工大學(xué)） |
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2、 Packaging technologies to exploit the attributes of WBG power electronics （充分發(fā)掘?qū)捊麕щ娏﹄娮犹匦缘姆庋b技術(shù)） Dr. Zhenxian Liang, Oak Ridge National Lab, USA（美國橡樹嶺國家實驗室） |
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3、 Status and challenges for high-voltage packaging（高壓封裝的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)） Prof. Hongwei Zhang, CRRC（中車西安永電公司張紅衛(wèi)） |
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4、 寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù) Prof. Puqi Ning, Institute of Electrical Engineering, CAS （中科院電工所寧蒲齊教授）） |
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5、 Packaging and integration of passive components（無源集成技術(shù)） Prof. Laili Wang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)王來利教授）） |
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5/22 早上
寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件 WBG power devices |
1、 Introduction to SiC devices : physics, working principles, architectures Prof. James Cooper, Purdue University, USA（美國普度大學(xué)） |
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2、 GaN devices Prof. Yue Hao，Xidian Univeristy（西安電子科技大學(xué)郝躍教授）） |
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3、 GaN power devices Kevin Chen, University of Science and Technology of Hong Kong （香港科技大學(xué)陳敬教授） |
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4、 Progress in SiC MOSFET, IGBT and Thyristors Prof. Anping Zhang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)張安平教授） |
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5、 SiC power devices Prof. Kuang Sheng, Zhejiang University(浙江大學(xué)盛況教授)) |
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5/22 下午
寬禁帶半導(dǎo)體材料 WBG semiconductor materials
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1、 Epitaxial Growth of On-Axis 4H-SiC and Defect Characterization （SiC外延生長與表征） Prof. Peder Bergman, Likoping University, Sweden（瑞典林雪平大學(xué)） |
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2、 Developing technologies of SiC gas source growth Method（SiC襯底的氣相生長技術(shù)） Dr. Jun Kojima，Denso Corporation, Japan日本Denso公司 |
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3、 SiC substrates （SiC襯底技術(shù)） Prof. Xiangang Xu, Shandong University（山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授） |
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4、 GaN bulk substrate（GaN襯底技術(shù)） Ke Xu, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS （中科院蘇州納米所徐科教授） |
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5、 Epitaxial growth of GaN materials （GaN的外延生長） Prof. May Lau, University of Science and Technology of Hong Kong （香港科技大學(xué)劉紀美教授） |
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