“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2017年度項(xiàng)目申報指南+形式審查要求+指南編制專家名單
本重點(diǎn)專項(xiàng)按照第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術(shù)方向，共部署35個研究任務(wù)。專項(xiàng)實(shí)施周期為5年（2016 - 2020年）。
2016年，本重點(diǎn)專項(xiàng)在4個技術(shù)方向已啟動15個研究任務(wù)的27個項(xiàng)目。2017年，擬在4個技術(shù)方向啟動15個研究任務(wù)的37-74個項(xiàng)目，擬安排國撥經(jīng)費(fèi)總概算為8.38億元。凡企業(yè)牽頭的項(xiàng)目須自籌配套經(jīng)費(fèi)，配套經(jīng)費(fèi)總額與國撥經(jīng)費(fèi)總額比例不低于1：1。
項(xiàng)目申報統(tǒng)一按指南二級標(biāo)題(如1.1)的研究方向進(jìn)行。除特殊說明外，擬支持項(xiàng)目數(shù)均為1-2項(xiàng)。項(xiàng)目實(shí)施周期不超過4年。申報項(xiàng)目的研究內(nèi)容須涵蓋該二級標(biāo)題下指南所列的全部考核指標(biāo)。項(xiàng)目下設(shè)課題數(shù)原則上不超過5個，每個課題參研單位原則上不超過5個。項(xiàng)目設(shè)1名項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，項(xiàng)目中每個課題設(shè)1名課題負(fù)責(zé)人。
指南中“擬支持項(xiàng)目數(shù)為1-2項(xiàng)”是指：在同一研究方向下，當(dāng)出現(xiàn)申報項(xiàng)目評審結(jié)果前兩位評價相近、技術(shù)路線明顯不同的情況時，可同時支持這2個項(xiàng)目。2個項(xiàng)目將采取分兩個階段支持的方式。第一階段完成后將對2個項(xiàng)目執(zhí)行情況進(jìn)行評估，根據(jù)評估結(jié)果確定后續(xù)支持方式。
1.面向新一代通用電源的GaN基電力電子關(guān)鍵技術(shù)
1.1用于小型化電源模塊的高速GaN基電力電子技術(shù)
研究內(nèi)容：研究大尺寸Si襯底上高均勻性GaN外延生長技術(shù)；研究Si襯底上GaN基高速開關(guān)器件設(shè)計(jì)與產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)；研究GaN高速器件動態(tài)導(dǎo)通電阻的衰退機(jī)制及其控制方法；研究適用于GaN基高速開關(guān)器件的驅(qū)動與系統(tǒng)集成技術(shù)；開發(fā)低寄生參數(shù)封裝工藝；研究小型化電源模塊，應(yīng)用于通訊設(shè)備及新一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域。
考核指標(biāo)：6～8英寸Si襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料方塊電阻<350 Ω/sq，方阻不均勻性<3%；100 V場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻<7 mΩ，動態(tài)電阻上升<50%，建立動態(tài)導(dǎo)通電阻衰退模型；實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率>1 MHz的無引腳封裝；應(yīng)用于開關(guān)頻率1 MHz的300 W電源模塊，轉(zhuǎn)換效率≥96%；形成6～8英寸GaN基電力電子器件生產(chǎn)線；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。
1.2 用于中等功率通用電源的高效率GaN基電力電子技術(shù)
研究內(nèi)容：研究Si襯底上高耐壓GaN材料外延生長技術(shù)；研究低動態(tài)導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性大電流功率開關(guān)管和二極管平面器件的設(shè)計(jì)與產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)；建立異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件的可靠性評價體系，研究器件的失效機(jī)理與高耐壓、高可靠性提升技術(shù)；研究高效散熱的封裝技術(shù)；研發(fā)高效率電源模塊，應(yīng)用于太陽能逆變器等通用電源。
考核指標(biāo)：Si襯底上GaN基場效應(yīng)晶體管擊穿電壓>1200 V，導(dǎo)通電阻<100 mΩ，反向漏電<10 μA（@600 V）；Si襯底上GaN基肖特基二極管擊穿電壓>1200 V，導(dǎo)通電壓<1.8 V（@15 A），反向漏電<10 μA（@600 V）；建立器件高壓擊穿機(jī)制和失效模型；實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率300 kHz 的1 kW太陽能發(fā)電用逆變器，轉(zhuǎn)換效率≥98%；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。
1.3 GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
研究內(nèi)容：研究新型常關(guān)型平面功率器件的設(shè)計(jì)與制備方法，提高閾值電壓和溝道載流子遷移率；研究垂直結(jié)構(gòu)高耐壓二極管和功率開關(guān)器件；研究新型高耐壓提升技術(shù)，研究GaN基功率器件的雪崩效應(yīng)等防止電源失效的開關(guān)能量泄放機(jī)制；研發(fā)適用于高頻開關(guān)電源的新型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)超小型開關(guān)電源。
考核指標(biāo)：常關(guān)型平面功率器件的閾值電壓>3 V，耐壓>650 V，增強(qiáng)型溝道峰值遷移率>600 cm2/Vs，動態(tài)電阻上升<25%；垂直結(jié)構(gòu)二極管耐壓>1500 V，開啟電壓<1.2 V；垂直結(jié)構(gòu)三極管耐壓1500 V，開態(tài)電流>5 A；在新結(jié)構(gòu)器件上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定雪崩擊穿效應(yīng)；實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率10 MHz、轉(zhuǎn)換效率>80%、輸出功率10 W的超小型電源模塊；申請發(fā)明專利20項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
2.超高能效半導(dǎo)體光源核心材料、器件及全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù)
2.1超高能效半導(dǎo)體光源核心材料及器件技術(shù)研究
研究內(nèi)容：研究發(fā)光效率技術(shù)瓶頸，建立高效器件模型；研究基于多種新型襯底的高質(zhì)量氮化物外延技術(shù)；研究高內(nèi)量子效率外延設(shè)計(jì)與量子限制技術(shù)；研究新型p型氮化物摻雜技術(shù)與載流子匹配高效發(fā)光器件；研究發(fā)光器件導(dǎo)波模式與表面出光結(jié)構(gòu)耦合機(jī)制、高光提取效率器件工藝；開發(fā)高功率密度、高光通輸出、熱穩(wěn)定性能優(yōu)良的新型光源器件；研究新型高效低熱阻集成封裝技術(shù)；實(shí)現(xiàn)全組分低維材料可控制備與發(fā)光器件。
考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)超高能效半導(dǎo)體照明核心材料與器件，p型GaN空穴濃度>5×1018 cm-3，氮化物藍(lán)光LED主波長455±5 nm，外量子效率達(dá)到80%；實(shí)現(xiàn)高效白光器件，白光LED在>5 A/cm2注入電流下發(fā)光效率達(dá)到280 lm/W；白光LED在100 A/cm2注入電流下發(fā)光效率達(dá)到160 lm/W；申請發(fā)明專利20項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。
2.2 高效高可靠LED燈具關(guān)鍵技術(shù)研究
研究內(nèi)容：開發(fā)大功率LED燈具用高效、高可靠性的散熱技術(shù)與散熱材料，研究燈具系統(tǒng)散熱特性和熱管理解決方案；研究能夠提高燈具系統(tǒng)光效的新型光學(xué)材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)；研究高溫長壽命LED驅(qū)動電源技術(shù)。
考核指標(biāo)：半導(dǎo)體照明燈具發(fā)光效率達(dá)到160 lm/W，光品質(zhì)滿足國家照明設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)要求；在55℃下燃點(diǎn)1500小時，燈具光通維持率和中心光強(qiáng)維持率不低于95%；在70℃環(huán)境溫度下，燈具電源壽命超過3萬小時；大功率LED燈具應(yīng)用數(shù)量超過3000盞；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
2.3半導(dǎo)體照明產(chǎn)品全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù)研究
研究內(nèi)容：研究LED襯底、外延、芯片、封裝、模組和燈具全鏈條各制造環(huán)節(jié)耗材和耗能減少的新材料、新技術(shù)和新工藝；研究LED光源及燈具制造的高效自動化節(jié)能生產(chǎn)技術(shù)；研究LED全鏈條制造環(huán)節(jié)消耗品的重復(fù)利用及回收技術(shù)；研究LED全鏈條綠色設(shè)計(jì)方案和節(jié)能環(huán)保材料的使用，實(shí)現(xiàn)LED全生命周期的資源高效循環(huán)利用及綠色制造。
考核指標(biāo)：完成2~3套LED照明產(chǎn)品的綠色設(shè)計(jì)方案和原型產(chǎn)品，比普通LED照明產(chǎn)品全生命周期能耗降低15%；建立一套LED全技術(shù)鏈綠色制造的評估方法；開發(fā)2項(xiàng)以上LED燈具綠色回收技術(shù)，建立2條LED全鏈條原材料的循環(huán)利用及回收示范線，實(shí)現(xiàn)資源循環(huán)利用效率提高50%；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
3.新形態(tài)多功能智慧照明與可見光通信關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成
3.1 新形態(tài)多功能室內(nèi)智慧照明關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成
研究內(nèi)容：研發(fā)新形態(tài)LED照明光源和燈具及與應(yīng)用領(lǐng)域相結(jié)合的產(chǎn)品和集成技術(shù)；研發(fā)各類具有智能控制接口和功能的智慧照明關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品；開發(fā)智慧照明需求的傳感關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品；研究基于物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析和人工智能的室內(nèi)智慧照明及信息處理技術(shù)、通信協(xié)議和標(biāo)準(zhǔn)；開發(fā)智能控制、傳感技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浼夹g(shù)等系統(tǒng)集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在智能家居、智能建筑等領(lǐng)域的應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：開發(fā)出3種以上智慧照明用高集成度、小型化、低功耗、高靈敏度的傳感器；開發(fā)5種以上分別集成互聯(lián)互通功能的新形態(tài)多功能智慧照明產(chǎn)品，光效≥160 lm/W；多功能智慧照明產(chǎn)品內(nèi)置通信模塊，數(shù)據(jù)傳輸速率不低于9.6 kbps，可通過自主通信協(xié)議或Zigbee、WiFi、BLE等技術(shù)組網(wǎng)，并經(jīng)由智能網(wǎng)關(guān)或Internet實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通；實(shí)現(xiàn)與移動終端的自主組網(wǎng)和通過移動終端的遠(yuǎn)程控制；制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)；實(shí)現(xiàn)在智能家居、智能建筑等領(lǐng)域應(yīng)用示范（≥200節(jié)點(diǎn)）2項(xiàng)；申請發(fā)明專利20項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。
3.2 室外智慧照明關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成
研究內(nèi)容：針對室外智慧照明關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，引入傳感器、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)分析與挖掘等技術(shù)，開發(fā)多功能新形態(tài)照明產(chǎn)品，研發(fā)基于信息物理系統(tǒng)的室外智慧型LED照明應(yīng)用系統(tǒng)；研究高可靠多功能系統(tǒng)集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動、通信和環(huán)境參數(shù)采集的技術(shù)集成；研究室外應(yīng)用環(huán)境中規(guī)劃模式、控制策略、系統(tǒng)聯(lián)動等系統(tǒng)技術(shù)集成，開展應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：開發(fā)5種多功能新形態(tài)照明產(chǎn)品，光效≥160 lm/W，可接入環(huán)境狀態(tài)傳感器；燈具可內(nèi)置通信模塊，并經(jīng)由智能網(wǎng)關(guān)或Internet實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通；道路照明系統(tǒng)通信帶寬≥1 Mbps，實(shí)現(xiàn)面向智慧交通、智慧城市的集成遠(yuǎn)程控制與數(shù)據(jù)傳輸、智能化場景控制、小型化傳感及控制、照明等多功能控制系統(tǒng)的應(yīng)用示范2項(xiàng)；制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
3.3 可見光通信關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)研發(fā)
研究內(nèi)容：研發(fā)滿足高速率可見光通信需求的照明、通信兩用高帶寬白光LED器件；研發(fā)高速可見光通信探測器及可見光接收機(jī)等可見光通信專用單片或準(zhǔn)單片集成電路；研究針對單顆LED功率不小于1瓦的光源的驅(qū)動和高速調(diào)制技術(shù)，研發(fā)白光發(fā)射、接收模塊及應(yīng)用系統(tǒng)；研究可見光通信技術(shù)的系統(tǒng)集成，實(shí)現(xiàn)其在智能家居和智慧城市的應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：研發(fā)的白光LED器件功率≥1瓦、光效≥100 lm/W時，單波長帶寬≥50 MHz；研發(fā)的高速可見光通信探測器及專用集成電路支持100 Mbps可見光通信應(yīng)用需求；研發(fā)的白光收發(fā)模塊在單顆LED功率≥1瓦時，帶寬≥160 MHz；研發(fā)的白光實(shí)時通信系統(tǒng)速率≥480 Mbps，通信距離≥1 m，平均誤碼率≤10-6；實(shí)現(xiàn)可見光通信應(yīng)用示范1～2項(xiàng)；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
4.半導(dǎo)體照明與生物作用機(jī)理及面向健康醫(yī)療和農(nóng)業(yè)的系統(tǒng)集成技術(shù)與應(yīng)用示范
4.1 面向健康照明的光生物機(jī)理及應(yīng)用研究
研究內(nèi)容：研究半導(dǎo)體照明對視覺系統(tǒng)的影響機(jī)理，開展不同光環(huán)境下的視覺功能、光損傷、腦力負(fù)荷、視覺效率、認(rèn)知心理等方面的人因?qū)W研究并構(gòu)建評價模型。研究并建立人體對不同光參數(shù)反應(yīng)的生理病理數(shù)據(jù)庫，進(jìn)行國際比對。建立針對健康照明的光品質(zhì)參數(shù)體系和視覺光損傷、舒適度等評價方法，開展健康照明的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)研制；根據(jù)視覺安全、健康舒適度和光品質(zhì)要求，開發(fā)滿足健康照明需求的LED照明產(chǎn)品并開展應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：建立多種光環(huán)境下視覺功能、視覺效率和光損傷的生理病理數(shù)據(jù)庫（包括人眼基礎(chǔ)屈光、高階像差視覺傳遞函數(shù)、閃光融合頻率等指標(biāo)），樣本量≥10000人次；開展光參數(shù)國際比對實(shí)驗(yàn)1次；研制相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)≥5項(xiàng)；開發(fā)2種以上針對不同健康需求的LED照明產(chǎn)品并開展應(yīng)用示范；申請發(fā)明專利10項(xiàng)，發(fā)表論文40篇。
4.2 LED用于健康與醫(yī)療的機(jī)理研究與專用設(shè)備研制
研究內(nèi)容：研究LED應(yīng)用于神經(jīng)、血管、皮膚和代謝等重大疾病的治療和健康保健，揭示LED不同光譜的細(xì)胞生物學(xué)效應(yīng)及其作用機(jī)制；形成LED治療增齡性重大疾病的理論體系；優(yōu)化LED健康和醫(yī)療應(yīng)用光源參量（波長、功率密度、能量密度、輸出方式等）和技術(shù)方法；研發(fā)相應(yīng)的健康與醫(yī)療專用設(shè)備，并開展應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：形成LED面向健康醫(yī)療的指導(dǎo)方案，制定LED用于健康與醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)文件4項(xiàng)；開發(fā)LED專用醫(yī)療設(shè)備5項(xiàng)，設(shè)備使用壽命≥2000小時；開展LED醫(yī)療和健康應(yīng)用示范5項(xiàng)；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文50篇。
4.3 用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的LED關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用示范
研究內(nèi)容：研究LED光照影響種苗、葉菜、果菜、菌藻類等設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)及病蟲害防治的光生物學(xué)機(jī)理及其影響效用規(guī)律；開發(fā)用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)及病蟲害防治的節(jié)能高效LED光源，研發(fā)相應(yīng)產(chǎn)品，制定行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)；開發(fā)用于設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)及病蟲害防治的LED技術(shù)裝備，及其性能評價和檢測方法，并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：研制出設(shè)施農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和病蟲害防治的專用LED光源系統(tǒng)和相關(guān)裝備10種以上，其中光合促進(jìn)用光源的發(fā)光效率≥3 μmol m-2 s-1 W-1；比傳統(tǒng)光源節(jié)能40%以上，壽命>20000小時；制定相關(guān)行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)5項(xiàng)以上；專用LED光源應(yīng)用推廣數(shù)量≥10000套，開展種苗、葉菜、果菜、菌藻類工廠化生產(chǎn)及病蟲害防治應(yīng)用示范5項(xiàng)；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。
4.4 用于設(shè)施家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖的LED關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用示范
研究內(nèi)容：研究設(shè)施家禽和水產(chǎn)養(yǎng)殖中繁殖過程、生長發(fā)育、品質(zhì)調(diào)控的LED光生物學(xué)作用機(jī)理，及對生物新陳代謝的反應(yīng)效用規(guī)律；研制專用LED燈具及其光環(huán)境調(diào)控技術(shù)；研究相應(yīng)產(chǎn)品與應(yīng)用的性能評價和檢測方法，并制定行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)；集成基于LED光照的設(shè)施家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖技術(shù)，并進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：獲取4種以上適于設(shè)施家禽和水產(chǎn)養(yǎng)殖的LED光要素特征參數(shù)，開發(fā)專用LED燈具4種以上；光環(huán)境智能可調(diào)，家禽與水產(chǎn)動物產(chǎn)量提高2%以上；專用LED燈具應(yīng)用推廣數(shù)量≥5000套；制定相關(guān)行業(yè)規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)以上；開展基于LED光照的家禽與水產(chǎn)養(yǎng)殖應(yīng)用示范4項(xiàng)；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文10篇。
5.用于第三代半導(dǎo)體的襯底及同質(zhì)外延、核心配套材料與關(guān)鍵裝備
5.1 第三代半導(dǎo)體的襯底制備及同質(zhì)外延
研究內(nèi)容：研究GaN單晶生長過程中的應(yīng)力控制、位錯密度降低等關(guān)鍵技術(shù)；研究大尺寸GaN 厚膜與襯底分離技術(shù)；研究極低位錯密度GaN單晶材料生長的新技術(shù)；開發(fā)GaN單晶研磨拋加工等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)；突破6英寸GaN單晶襯底的關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4英寸GaN單晶襯底的規(guī)模制備；突破1～2英寸AlN單晶襯底材料制備的關(guān)鍵技術(shù)；開展2～4英寸AlN/Al2O3模板、其它新型模板襯底的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究；開展第三代半導(dǎo)體同質(zhì)外延技術(shù)研究及其在光電子和功率電子器件上的應(yīng)用。
考核指標(biāo)：4英寸GaN單晶襯底位錯密度<5?105 cm-2，厚度≥400 μm，年產(chǎn)能5000片；6英寸GaN單晶襯底位錯密度<5?106 cm-2，遷移率>600 cm2/Vs；4英寸GaN單晶襯底上同質(zhì)外延材料位錯密度<1?106 cm-2；研制出1～2英寸AlN單晶襯底；2～4英寸AlN模板襯底位錯密度<5?107 cm-2，年產(chǎn)能20000片；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。
5.2 第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備
研究內(nèi)容：針對第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備，開展流場、溫場設(shè)計(jì)的模擬和實(shí)驗(yàn)優(yōu)化，研制4~6英寸GaN襯底、1~2英寸AlN襯底用氫化物氣相外延（HVPE）和物理氣相輸運(yùn)（PVT）生長裝備，研制高溫金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長裝備；探索第三代半導(dǎo)體材料新概念制備與測試系統(tǒng)；開展半導(dǎo)體照明生產(chǎn)裝備信息化技術(shù)、工業(yè)系統(tǒng)控制技術(shù)與裝備的開發(fā)與集成研究，構(gòu)建半導(dǎo)體照明智能化工廠。
考核指標(biāo)：完成國產(chǎn)HVPE裝備的研制并實(shí)現(xiàn)6英寸GaN單晶襯底材料的生長驗(yàn)證，生長速度>100 μm/小時，厚度不均勻性<5%；完成國產(chǎn)PVT裝備的研制并實(shí)現(xiàn)1～2英寸AlN單晶襯底材料的生長驗(yàn)證；研制國產(chǎn)高溫多片MOCVD外延生長系統(tǒng)（2英寸15片以上），外延生長溫度>1400℃；建成1條半導(dǎo)體照明智能化工廠示范線；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
5.3 第三代半導(dǎo)體核心配套材料
研究內(nèi)容：開發(fā)高純氮源、AlN前驅(qū)體、稀磁半導(dǎo)體用高純前驅(qū)體等新型有機(jī)源；研發(fā)適合近紫外光、紫光和高密度能量藍(lán)光高效激發(fā)并形成高品質(zhì)白光的新型熒光粉和批量制備技術(shù)，及其在高密度能量作用下的結(jié)構(gòu)變化、激發(fā)飽和、發(fā)光猝滅等性能變化規(guī)律；研發(fā)耐紫外光、高耐濕、高導(dǎo)熱、高折射率的第三代半導(dǎo)體器件用關(guān)鍵封裝材料。
考核指標(biāo)：研制出2～4種新型高純有機(jī)源，氮源、AlN前驅(qū)體等高純有機(jī)源的純度均達(dá)到6N；新型黃色熒光材料在100 A/cm2電流密度藍(lán)光激發(fā)下比現(xiàn)有熒光材料的光效衰減幅度減少50%；開發(fā)出2～3款適合氮化鎵同質(zhì)外延近紫外芯片高效激發(fā)的新型藍(lán)色和綠色熒光材料；研制出MSL 1級耐濕抗紫外封裝膠；研制出導(dǎo)熱系數(shù)為0.6 W/m·K的高導(dǎo)熱封裝膠；研制出紫外線阻隔率>98%、折射率>1.7的有機(jī)無機(jī)復(fù)合封裝膠；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。
6.新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)與產(chǎn)業(yè)化示范
6.1印刷OLED顯示材料產(chǎn)業(yè)化示范
研究內(nèi)容：開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)、性能達(dá)到國際行業(yè)商用級別的新型可溶性有機(jī)發(fā)光材料、主體材料的設(shè)計(jì)和制備技術(shù)；開發(fā)可溶性有機(jī)材料的公斤級放大合成及純化技術(shù)；開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的印刷OLED墨水制備技術(shù)；實(shí)現(xiàn)印刷OLED紅/綠/藍(lán)三基色墨水的批量制備及其示范應(yīng)用。
考核指標(biāo)：可溶性材料（@壽命=T95@1000nits）：紅光：效率> 18 cd/A，壽命>8000小時，綠光：效率> 60 cd/A，壽命> 10000 小時，藍(lán)光：效率>5 cd/A，壽命> 1000小時；材料實(shí)現(xiàn)批量制備與應(yīng)用：小分子印刷OLED材料合成與純化均>20 kg/批次，純度≥99.5%；溶劑純化1000升/月，純度≥99.9%；印刷墨水: 1000升/月，粘度3～15cPs。
6.2 8.5代印刷OLED顯示產(chǎn)業(yè)化示范
研究內(nèi)容：研究彩色印刷OLED顯示器件制程工藝；結(jié)合8.5代印刷裝備，開發(fā)彩色印刷OLED顯示面板制造工程化技術(shù)，研制出55英寸彩色印刷OLED顯示器件，建立8.5代電視用大尺寸彩色印刷OLED顯示產(chǎn)業(yè)化示范。
考核指標(biāo)：建成8.5代電視用大尺寸彩色OLED面板印刷制造示范基地。開發(fā)出大尺寸彩色印刷OLED顯示器件，彩色印刷OLED顯示尺寸≥55英寸，顯示分辨率3840×2160，顯示亮度>500 cd/m2，器件工作壽命>3萬小時。
6.3 量子點(diǎn)背光關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用示范
研究內(nèi)容：研究量子點(diǎn)材料在膠體的分散工藝，研究膠體對量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)換效率以及水氧阻隔技術(shù)，開發(fā)大面積量子點(diǎn)彩色增強(qiáng)膜及其制造技術(shù)；研究新型量子點(diǎn)柔性導(dǎo)光技術(shù)，開發(fā)量子點(diǎn)調(diào)光混色技術(shù)、量子點(diǎn)功能膜與其它光學(xué)膜片的光學(xué)匹配技術(shù)；開發(fā)高導(dǎo)光效率新型量子點(diǎn)背光模組技術(shù)；開發(fā)基于高性能量子點(diǎn)背光的電視機(jī)或顯示器，實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。
考核指標(biāo)：量子點(diǎn)色彩增強(qiáng)膜：基色半峰寬R≤28 nm，G≤30 nm；（@溫度65℃，濕度95%，1000小時加電老化）膜的亮度衰減≤15%，CIE坐標(biāo)漂移△x和△y 均≤0.01；量子點(diǎn)功能膜：Cd<100 ppm； Pb<1000 ppm；量子點(diǎn)背光模組：亮度均勻性≥90%，背光效率≥65 cd/W；基于量子點(diǎn)背光的電視機(jī)或顯示器：尺寸≥40英寸，色域≥110% NTSC，亮度≥500 cd/m2；實(shí)現(xiàn)50萬臺/年的規(guī)模量產(chǎn)及應(yīng)用示范。
6.4 柔性基板材料關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用示范
研究內(nèi)容：開發(fā)適用于柔性和可穿戴顯示的柔性聚合物基板材料的設(shè)計(jì)及其制備技術(shù)，開發(fā)柔性O(shè)LED顯示用聚合物基板的放量與純化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)基板材料的規(guī)模量產(chǎn)；結(jié)合柔性O(shè)LED面板制程，實(shí)現(xiàn)中小尺寸柔性和可穿戴OLED顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。
考核指標(biāo)：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度>450℃；1%熱失重溫度>500℃；熱膨脹系數(shù)<5 ppm/K(@室溫到400℃)；楊氏模量>2 GPa；抗拉強(qiáng)度>100 MPa；實(shí)現(xiàn)中小尺寸柔性O(shè)LED顯示的批量應(yīng)用。
6.5 超高密度小間距LED顯示關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用示范
研究內(nèi)容：開發(fā)適用于超高密度小間距LED顯示的高性能芯片與封裝材料和裸眼3D-LED顯示材料，開發(fā)像素級光學(xué)設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度驅(qū)動控制技術(shù)、智能化人機(jī)交互技術(shù)、高精度封裝拼接技術(shù)、裸眼3D-LED顯示技術(shù)、實(shí)時在線光電參數(shù)采集和測試評估技術(shù)，研制出高性能超高密度LED顯示陣列模組，實(shí)現(xiàn)超高密度全彩LED大屏幕拼接顯示規(guī)模生產(chǎn)及應(yīng)用示范。
考核指標(biāo)：產(chǎn)品像素點(diǎn)間距≤0.8mm（實(shí)像素），樣機(jī)像素點(diǎn)間距≤0.5mm（實(shí)像素）；屏幕亮度均勻度≥98%；屏幕色坐標(biāo)一致性≤0.005xy；功耗≤120 W/ m2（@亮度400cd/m2）；對比度≥10000:1；灰度等級≥16 Bit；亮度200~1000 cd/m2可調(diào)；樣機(jī)陣列模組尺寸精度≤10 μm；樣機(jī)陣列模組拼接精度≤20 μm；發(fā)明專利≥20件；實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)：像素點(diǎn)間距≤0.8 mm的產(chǎn)品產(chǎn)能1.5億元人民幣；0.8 mm＜像素點(diǎn)間距≤1 mm的產(chǎn)品產(chǎn)能8.5億元人民幣。
7. 高光束質(zhì)量、低閾值、長壽命、低成本紅綠藍(lán)LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究
7.1高光束質(zhì)量、低閾值、長壽命、低成本紅光LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究
研究內(nèi)容：針對激光顯示對紅光LD的光譜、光束質(zhì)量、效率、功率、壽命、成品率等嚴(yán)格要求，研究AlGaInP材料體系的組分及載流子泄露問題；開展外延結(jié)構(gòu)與器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)，研究低缺陷、低光波導(dǎo)損耗生長工藝，降低閾值電流密度、提升受激輻射量子效率，提高光束質(zhì)量，改善溫度特性；優(yōu)化腔面的無吸收、鈍化以及鍍膜工藝，提高腔面損傷閾值，提高輸出功率；研發(fā)LD外延生長、工藝制作及器件封裝的相關(guān)測試設(shè)備。
考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)～640 nm紅光半導(dǎo)體激光器單管最大輸出功率＞1 W（40℃），電光效率＞35%；紅光激光器生產(chǎn)成本降到5美元/W以下，壽命＞2萬小時；申請發(fā)明專利20項(xiàng)，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)2件，形成創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)2個。
7.2 高光束質(zhì)量、低閾值、長壽命、低成本藍(lán)綠光LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究
研究內(nèi)容：針對激光顯示對藍(lán)綠光LD的光譜、光束質(zhì)量、效率、功率、壽命、成品率等嚴(yán)格要求，研究AlInGaN材料體系的組分及p型摻雜活化等調(diào)控LD發(fā)光特性技術(shù)；開展外延結(jié)構(gòu)與器件的優(yōu)化設(shè)計(jì)，研究低缺陷、低光波導(dǎo)損耗生長工藝，降低閾值電流密度、提升受激輻射量子效率，提高光束質(zhì)量，改善溫度特性；優(yōu)化腔面的無吸收、鈍化以及鍍膜工藝，提高腔面損傷閾值，提高輸出功率。
考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)～450 nm藍(lán)光、～520 nm綠光半導(dǎo)體激光器單管最大輸出功率分別＞1 W和0.5 W，電光效率分別＞30%和10%；藍(lán)光和綠光激光器生產(chǎn)成本分別降到7美元/W、20美元/W以下，壽命＞2萬小時；申請發(fā)明專利30項(xiàng)，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)3件，形成創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)3個。
8.千瓦級準(zhǔn)連續(xù)全固態(tài)激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)
8.1千瓦級準(zhǔn)連續(xù)全固態(tài)激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)
研究內(nèi)容：研究高功率高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光芯片技術(shù)；研究高重頻、大能量納秒脈沖對激光晶體及光纖材料的損傷機(jī)理；研究高功率密度脈沖激光無損剝離金屬材料表面附著物機(jī)理；研究高效泵浦技術(shù)、高功率振蕩器高效脈沖關(guān)斷技術(shù)、脈沖激光放大中的功率提取技術(shù)；開展大梯度低損耗石英材料熔接技術(shù)、千瓦級高功率準(zhǔn)連續(xù)激光光纖耦合關(guān)鍵技術(shù)、千瓦級百納秒準(zhǔn)連續(xù)激光器整機(jī)集成技術(shù)研究。
考核指標(biāo)：研制出功率＞30 W、光譜線寬＜1 nm、光束質(zhì)量M2＜2、壽命≥2萬小時的半導(dǎo)體激光芯片及高效泵浦技術(shù)；開發(fā)出關(guān)斷功率＞1 kW、重復(fù)頻率～20 kHz、脈寬＜100 ns的400 μm光纖耦合全固態(tài)準(zhǔn)連續(xù)激光器；研制出適用于千瓦級準(zhǔn)連續(xù)激光器的大梯度（400μm:8mm）端帽直接熔接技術(shù)及熔接損耗＜2％的傳能光纜；申請發(fā)明專利50項(xiàng)，發(fā)表文章20篇。
9.超短脈沖、單頻及中紅外激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)
9.1超短脈沖、單頻及中紅外激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)
研究內(nèi)容：面向高端精密制造、探測、科研等應(yīng)用需求，研究高峰值功率超快激光核心器件與關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展高效率超短脈沖啁啾放大技術(shù)以及色散補(bǔ)償和脈沖壓縮技術(shù)，突破～300 W精細(xì)加工用超快激光器關(guān)鍵技術(shù)，探索獲得高通量阿秒脈沖激光的方法；突破固體單頻激光器及高效高功率中紅外激光器關(guān)鍵技術(shù)。
考核指標(biāo)：研制出平均功率～300 W、～20 ps、～MHz超快激光器工程化樣機(jī)；建成單脈沖≥100 nJ、波長≤50 nm的百阿秒激光裝置；研制出單脈沖≥20 mJ、脈寬≤ 300 ns的1645 nm調(diào)Q單頻固體激光器及平均功率≥100 W的1064 nm連續(xù)單頻固體激光器，種子線寬分別小于100 kHz及1 MHz，穩(wěn)定性均優(yōu)于±1%；開發(fā)出波長1.5～5?m連續(xù)可調(diào)的納秒脈沖中紅外激光器，平均功率：30W@2.1?m，10W@4.3?m；功率穩(wěn)定性（RMS）：≤3%@8小時；申請發(fā)明專利30項(xiàng)。
10.半導(dǎo)體光傳感材料與器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用
10.1氣體有源紅外光傳感材料與器件
研究內(nèi)容：研究紅外半導(dǎo)體激光/探測材料的外延生長技術(shù)，研制氣體傳感用中遠(yuǎn)紅外有源光傳感材料與器件，近紅外波長可調(diào)諧和大功率單縱模有源光傳感材料與器件，中遠(yuǎn)紅外低噪聲半導(dǎo)體探測材料與器件，基于微腔激光器及集成器件的光學(xué)傳感器，研究紅外氣體傳感半導(dǎo)體激光器集成封裝技術(shù)，構(gòu)建基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜技術(shù)的可同時探測多種氣體的監(jiān)測系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)其在環(huán)境監(jiān)測或工業(yè)安全等領(lǐng)域的示范應(yīng)用。
考核指標(biāo)：1.5～1.8 μm波段波長可調(diào)諧室溫連續(xù)激光器，功率＞10 mW、波長調(diào)諧范圍＞10 nm；2 μm波段室溫連續(xù)工作半導(dǎo)體激光器，單模輸出功率＞10 mW；2.8～4.0 μm波段室溫連續(xù)工作激光器，功率>10 mW、波長調(diào)諧范圍>10 nm；4～12 μm波段室溫連續(xù)工作中遠(yuǎn)紅外半導(dǎo)體激光器，單模輸出功率＞500 mW。實(shí)現(xiàn)與環(huán)境污染、工業(yè)安全相關(guān)氣體的快速、實(shí)時高靈敏傳感檢測，甲醛、氮氧化物、二氧化硫、一氧化碳、二氧化碳、氯化氫、氨氣、乙炔、甲烷的檢測靈敏度優(yōu)于1 ppm，丙烷檢測靈敏度優(yōu)于100 ppm。
10.2微納生化傳感材料與器件
研究內(nèi)容：研究面向傳感應(yīng)用的金屬微納結(jié)構(gòu)材料、負(fù)折射率超材料和高增敏微納結(jié)構(gòu)材料；研究基于納米光子學(xué)生化傳感、微納機(jī)械結(jié)構(gòu)諧振子傳感、聚集誘導(dǎo)發(fā)光基元生化傳感的新機(jī)理，發(fā)展具有實(shí)時、便攜和快速分析功能的檢測新技術(shù)、新方法；研究高性能微納生化傳感器芯片與微納流體材料前處理單元、傳感檢測單元的系統(tǒng)集成技術(shù)；實(shí)現(xiàn)高通量、高性能微納生化傳感技術(shù)在癌癥早期檢測或環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域的應(yīng)用。
考核指標(biāo)：高通量、高性能微納生化傳感器芯片3～4種，單芯片上傳感單元數(shù)量不少于9個，傳感單元的重復(fù)性＞90%，樣品消耗量＜50 ?L，分析時間＜10分鐘，癌癥標(biāo)記物檢測限＜10 ng/ml；微納機(jī)械結(jié)構(gòu)諧振子生化傳感器Q值＞500。搭建折射率傳感靈敏度優(yōu)于1×10-5 RIU、參數(shù)不少于6個的快速生化檢測系統(tǒng)。
10.3光纖傳感材料與應(yīng)用
研究內(nèi)容：研究大容量、多參量傳感光纖，高性能耐高溫傳感光纖，多芯結(jié)構(gòu)傳感光纖；高溫、高壓、高增敏的光纖光纜；半導(dǎo)體窄線寬激光器/可調(diào)諧激光器；高靈敏、大動態(tài)范圍、低功耗、大尺度的高性能光纖傳感器及大容量、多參量的傳感系統(tǒng)；全光纖分布式聲傳感技術(shù)和全光纖連續(xù)分布式溫度、應(yīng)變傳感系統(tǒng)；實(shí)現(xiàn)其在國家重大工程或物理海洋領(lǐng)域的典型示范應(yīng)用。
考核指標(biāo)：大容量、多參量傳感光纖損耗＜0.5 dB/km，光纖強(qiáng)度＞50 N，單根傳感光纖上光柵的數(shù)量≥10000個；耐高溫光纖材料及光纖傳感器能在700 ℃下穩(wěn)定工作。用于高精度測量線寬＜5 kHz的窄線寬激光器；分布式聲傳感器傳感距離＞8 km，光纖壓力傳感器精度優(yōu)于0.1%，加速度傳感器靈敏度優(yōu)于10 ng，研制出干涉儀集成的多芯光纖傳感器；溫度應(yīng)變傳感系統(tǒng)傳感距離＞80 km，光纖水聽器靈敏度優(yōu)于 -120 dB (re Rad/?Pa)。構(gòu)建40 km周界安全系統(tǒng)、8 km分布式聲音監(jiān)聽系統(tǒng)、形變傳感分辨率優(yōu)于1×10-10的光纖地震臺網(wǎng)、復(fù)用數(shù)＞4000個的傳感系統(tǒng)。
11.新型高密度存儲材料與自旋耦合材料研究
11.1新型高密度存儲材料與器件
研究內(nèi)容：研究阻變存儲器與相變存儲器材料的設(shè)計(jì)、篩選、優(yōu)化及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，獲得低功耗、高可靠、抗串?dāng)_、性能均一、易于大規(guī)模集成的存儲器單元；研究選通器件的材料篩選與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；研究與半導(dǎo)體集成的新型鐵電/多鐵存儲材料與器件；研究同步實(shí)現(xiàn)信息存儲、邏輯、運(yùn)算、信息編/解碼功能的多功能信息存儲器件；解決存儲單元的功耗、讀寫速度、可靠性、高密度集成、柔性化制備等關(guān)鍵技術(shù)；研究用于可穿戴設(shè)備的存儲器件的柔性化制備工藝以及柔性化引起的相關(guān)效應(yīng)。
考核指標(biāo)：研制出3～6種可實(shí)用的高密度存儲材料；研制出的存儲單元存儲窗口＞10、擦寫次數(shù)＞106、保持時間＞10年、重置時間＜30 ns；開發(fā)出1～2種可同步實(shí)現(xiàn)存儲、邏輯、運(yùn)算、編/解碼的新型多功能存儲器件；申請專利50項(xiàng)。
11.2新型自旋耦合材料與器件
研究內(nèi)容：研究新型自旋電子材料與器件，探索高居里溫度、高遷移率、電荷與自旋分離的新型磁性半導(dǎo)體材料，研究基于半導(dǎo)體與磁性金屬等構(gòu)成的多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的界面效應(yīng)、高效自旋注入、調(diào)控及探測方案等；探索多場耦合材料與多場控制磁化翻轉(zhuǎn)的新途徑，建立新型自旋電子材料的磁電耦合效應(yīng)物理模型，研究低功耗、非易失性的磁電耦合效應(yīng)。
考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)鐵磁半導(dǎo)體居里溫度＞300 K，制備出室溫鐵磁有序、遷移率＞1000 cm2V-1s-1的新型磁性半導(dǎo)體；鐵磁金屬自旋極化度≥80%，自旋注入效率≥40%；研制出基于室溫磁性半導(dǎo)體的新型自旋電子原型器件，通過多場調(diào)控來實(shí)現(xiàn)自旋存儲、邏輯功能；發(fā)展2～3類低功耗、非易失性的新型磁電耦合原型器件，驅(qū)動或輔助磁翻轉(zhuǎn)的電壓＜2 V，驅(qū)動電流密度為105 Acm-2量級。
12.微納電子制造用超高純工藝材料
12.1微納電子制造用超高純電子氣體
研究內(nèi)容：研究超高純電子氣體提純/除雜/純化原理與制備方法、特定元素控制技術(shù)及全流程工藝優(yōu)化集成技術(shù)，研制開發(fā)微納電子制造用氯氣、氯化氫、氟化氫等超高純電子氣體，突破5N級氣體制備技術(shù)及關(guān)鍵裝備技術(shù)、ppb級氣體雜質(zhì)和金屬離子檢測技術(shù)、生產(chǎn)環(huán)境和顆粒控制技術(shù)以及產(chǎn)品包裝與應(yīng)用技術(shù)。
考核指標(biāo)：超高純氣體氯氣、氯化氫純度5N～7N，其中單種氣體雜質(zhì)（如H2O、O2、CO2、CO、CH4）＜1.0 ppmv，單種金屬雜質(zhì)（如Al、Cr、Cd、Cu）＜1.0 ppbw；超高純氣體氟化氫純度不低于5N，其中單種金屬雜質(zhì)（如Al、Cr、Cd、Cu）＜1.0 ppbw。
12.2微納電子制造用超高純稀土金屬及靶材
研究內(nèi)容：研究微納電子制造用超高純稀土金屬特定痕量元素的控制機(jī)理，突破4N5級超高純稀土金屬制備技術(shù)及裝備；研發(fā)大型稀土金屬及合金鑄錠超潔凈熔煉成型與微觀組織控制技術(shù)、超高純稀土金屬納米尺度薄膜應(yīng)用檢測技術(shù)，開發(fā) 4N級超高純大尺寸稀土金屬及合金靶材形變加工、精密機(jī)加、表面處理等關(guān)鍵技術(shù)。
考核指標(biāo)：稀土金屬純度＞4N5，60種金屬雜質(zhì)總和＜50 ppm，其中Na+ K+ Li≤2 ppm，U+Th≤10 ppb，F(xiàn)e、Co等過渡金屬元素總量≤20 ppm，氧含量＜100 ppm；稀土金屬靶材純度＞4N，60種金屬雜質(zhì)總和＜100 ppm，靶材最大橫向尺寸＞500 mm、最小縱向尺寸＜0.5 mm，晶粒平均尺寸＜200 μm。
13.高功率密度電子器件熱管理材料與應(yīng)用
13.1用于高功率密度熱管理的高性能熱界面材料
研究內(nèi)容：面向高功率密度電子器件的熱管理開展電子器件高性能熱界面材料的設(shè)計(jì)、制備、結(jié)構(gòu)調(diào)控與優(yōu)化、及微觀界面聲子和熱能傳輸機(jī)理與性能研究；通過材料界面分子學(xué)設(shè)計(jì)，原位觀測及微納導(dǎo)熱性能實(shí)時測試等方式揭示微觀及分子層面聲子熱傳導(dǎo)機(jī)制。
考核指標(biāo)：針對縱向熱傳輸研制出聚合物基縱向熱導(dǎo)率≥20 W/mK，界面熱阻≤0.01 Kcm2/W，在可靠性測試條件（-20～100℃溫度循環(huán)1000次）下熱傳導(dǎo)性能改變幅度≤10%，能重復(fù)使用>10次的熱界面材料；針對橫向熱傳輸研制出橫向熱導(dǎo)率≥2500 W/mK，能重復(fù)使用>10次的柔性熱界面材料；實(shí)現(xiàn)單原子層薄膜界面熱阻的測量，微觀界面熱阻值在10-6 Kcm2/W數(shù)量級的精確測量，確立微觀及分子層次熱界面聲子熱傳導(dǎo)機(jī)制，支撐高功率密度電子器件典型應(yīng)用研究；申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文30篇。
13.2 高導(dǎo)熱率復(fù)合材料、器件及其典型應(yīng)用研究
研究內(nèi)容：面向高功率密度電子器件的有效熱傳輸開展基于氣液相變的高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的研究，通過氣液界面分子學(xué)設(shè)計(jì)，原位觀測及微納導(dǎo)熱性能測試等方式揭示微觀層面氣液相變熱能傳輸機(jī)理，并開展基于氣液相變的柔性高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的研究。高功率密度電子器件與高導(dǎo)熱率復(fù)合材料及其器件的集成與典型應(yīng)用研究。
考核指標(biāo)：研制出與半導(dǎo)體器件材料熱膨脹匹配≥80%、基于氣液相變、導(dǎo)熱性能遠(yuǎn)高于金剛石或其他固態(tài)導(dǎo)熱材料、厚度<1 mm的高導(dǎo)熱復(fù)合材料及器件；研制出可動態(tài)彎曲（彎曲角>160度）的基于氣液相變的高導(dǎo)熱復(fù)合材料及器件。確立微觀層次氣液相變熱能傳輸機(jī)理，實(shí)現(xiàn)與高功率密度電子器件的集成，降低電子器件熱阻50%以上，延長其工作穩(wěn)定性和使用壽命50%以上。申請發(fā)明專利15項(xiàng)，發(fā)表論文30篇。
13.3 用于高功率密度電子器件的前沿?zé)峁芾聿牧涎芯?/strong>
研究內(nèi)容：面向下一代高功率密度電子器件的有效熱管理開展前沿?zé)峁芾聿牧系奶剿餮芯浚ㄐ滦途酆衔锘⒔饘倩吞沾苫澹瑑嵝汀崮芾眯突蚰蜔釢裥蜔峁芾聿牧希瑧?yīng)用于多維電子器件及電子器件熱點(diǎn)處近場熱管理材料的研究。
考核指標(biāo)：研制出聚合物基基板導(dǎo)熱系數(shù)≥10 W/mK，楊氏模量≥25 GPa，熱膨脹系數(shù)≤20 ppm/℃，介電常數(shù)≤4.0@5 GHz；金屬基基板熱導(dǎo)率≥800 W/mK，彈性模量≥300 GPa，抗彎強(qiáng)度>350 MPa，熱膨脹系數(shù)≤5.5 ppm/℃；陶瓷基基板熱導(dǎo)率≥130 W/mK，抗彎強(qiáng)度＞800 MPa，熱膨脹系數(shù)≤5 ppm/℃；實(shí)現(xiàn)高頻瞬間器件熱點(diǎn)溫度、多維電子器件熱點(diǎn)溫度、高功率（≥1000 W/cm2）熱點(diǎn)處溫度降低40~80℃。申請發(fā)明專利20項(xiàng)，發(fā)表論文30篇。
14. 高性能電磁介質(zhì)材料及器件開發(fā)
14.1高性能電磁介質(zhì)材料及器件開發(fā)
研究內(nèi)容：發(fā)展高性能電磁介質(zhì)材料及其共燒技術(shù)，減少分立無源元器件的尺寸，提高器件的集成度和性能。發(fā)展4G、5G移動通訊用的高性能微波介質(zhì)材料，重點(diǎn)開發(fā)介質(zhì)基濾波器用高穩(wěn)定性、低損耗、低溫度系數(shù)的系列化微波介質(zhì)。發(fā)展大感量多層片式電感器件、大容量多層片式電容器件及其關(guān)鍵高磁導(dǎo)率磁介質(zhì)和高容量電介質(zhì)材料。研究高性能柔性埋入式容性/感性材料及器件，發(fā)展多層器件內(nèi)部互聯(lián)互通等集成技術(shù)，開發(fā)無源集成模塊模擬仿真與設(shè)計(jì)方法、新型微波元件的測試技術(shù)，開展相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系的建設(shè)。
考核指標(biāo)：掌握一批高性能電磁介質(zhì)材料的制備技術(shù)，包括面向4G、5G移動通訊應(yīng)用的微波介質(zhì)（介電常數(shù)15～90）及諧振器件的規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，面向小型大功率磁性器件應(yīng)用的磁介質(zhì)材料及大容量電容器件用電介質(zhì)材料生產(chǎn)技術(shù)，其中介電常數(shù)80至90的微波介質(zhì)介電常數(shù)波動＜0.5，Qf值＞15000GHz，介電常數(shù)溫度系數(shù)＜5 ppm/℃。建立內(nèi)部導(dǎo)體線寬尺寸≤10微米的多層低溫共燒陶瓷元器件制造平臺。實(shí)現(xiàn)多種小尺寸無源元器件的規(guī)模化生產(chǎn)，其中大感量小尺寸功率電感感量大于20 nH@2 GHz和5 nH@10 GHz；01005型超小型天線應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)及智能可穿戴設(shè)備中。建成年產(chǎn)50億只以上片式元件和組件的生產(chǎn)線以及無源集成器件及模塊研發(fā)基地；申請發(fā)明專利50項(xiàng)。
15.高性能無源敏感薄膜材料及傳感器芯片研發(fā)
15.1高性能無源敏感薄膜材料及傳感器芯片研發(fā)
研究內(nèi)容：發(fā)展新型高性能敏感薄膜材料制備技術(shù)，提升薄膜敏感材料性能，滿足傳感器芯片對晶圓級薄膜材料厚度和均勻性要求。研究敏感材料及器件與Si基集成電路的集成方法，獲得高靈敏度、低功耗、高可靠性的傳感器芯片異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)。基于多物理場綜合仿真技術(shù)，研究傳感器芯片模擬仿真與設(shè)計(jì)，以及快響應(yīng)海洋測溫?zé)崦綦娮杵鳌Ｑ芯看判浴⒓t外、熱敏、射頻等芯片級傳感器的批量生產(chǎn)與測試技術(shù)，建立芯片級傳感器相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系和典型應(yīng)用的解決方案。
考核指標(biāo)：建立敏感材料及器件與Si基集成電路的異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)，形成芯片級傳感器設(shè)計(jì)、制造方法與技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，開發(fā)出一批磁性、紅外、熱敏、射頻等高性能無源敏感薄膜材料及器件。與Si基電路集成的敏感薄膜晶圓≥4英寸，薄膜厚度均勻性≥95%。磁阻傳感器靜態(tài)電流＜5 μA@3V，工作溫度范圍：-40 ℃～+85 ℃，工作電壓：1.8～5 V；紅外氣體傳感器穩(wěn)定工作時間不小于5年，氣體濃度測量范圍0～100%，測量精度＜0.1%。海洋用熱敏電阻器熱時間常數(shù)（在水中）10～500ms，測量溫度范圍覆蓋-5℃～+450℃，年穩(wěn)定性優(yōu)于±0.01℃；申請發(fā)明專利50項(xiàng)；建成年產(chǎn)5億支傳感器芯片生產(chǎn)線及研發(fā)基地。
“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)形式審查條件要求
申報項(xiàng)目須符合以下形式審查條件要求。
1. 推薦程序和填寫要求
（1）由指南規(guī)定的推薦單位在規(guī)定時間內(nèi)出具推薦函。
（2）申報單位同一項(xiàng)目須通過單個推薦單位申報，不得多頭申報和重復(fù)申報。
（3）項(xiàng)目申報書（包括預(yù)申報書和正式申報書，下同）內(nèi)容與申報的指南方向基本相符。
（4）項(xiàng)目申報書及附件按格式要求填寫完整。
2. 申報人應(yīng)具備的資格條件
（1）項(xiàng)目及下設(shè)任務(wù)（課題）負(fù)責(zé)人申報項(xiàng)目應(yīng)為1957年1月1日以后出生，具有高級職稱或博士學(xué)位。
（2）受聘于內(nèi)地單位的外籍科學(xué)家及港、澳、臺地區(qū)科學(xué)家可作為重點(diǎn)專項(xiàng)的項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）負(fù)責(zé)人，全職受聘人員須由內(nèi)地受聘單位提供全職受聘的有效證明，非全職受聘人員須由內(nèi)地受聘單位和境外單位同時提供受聘的有效證明，并隨紙質(zhì)項(xiàng)目申報書一并報送。
（3）項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）負(fù)責(zé)人限申報1個項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）；國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（973計(jì)劃，含重大科學(xué)研究計(jì)劃）、國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃）、國家科技支撐計(jì)劃、國家國際科技合作專項(xiàng)、國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)、公益性行業(yè)科研專項(xiàng)（以下簡稱“改革前計(jì)劃”）以及國家科技重大專項(xiàng)在研項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）負(fù)責(zé)人不得牽頭申報項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）。
國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)在研項(xiàng)目負(fù)責(zé)人不得牽頭申報項(xiàng)目（含任務(wù)或課題），也不得參與申報項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）。
（4）特邀咨評委委員不能申報項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）；參與重點(diǎn)專項(xiàng)實(shí)施方案或本年度項(xiàng)目指南編制的專家，不能申報該重點(diǎn)專項(xiàng)項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）。
（5）在承擔(dān)（或申請）國家科技計(jì)劃項(xiàng)目中，沒有嚴(yán)重不良信用記錄或被記入“黑名單”。
（6）中央和地方各級政府的公務(wù)人員（包括行使科技計(jì)劃管理職能的其他人員）不得申報項(xiàng)目（含任務(wù)或課題）。
3. 申報單位應(yīng)具備的資格條件
（1）是在中國境內(nèi)登記注冊的科研院所、高等學(xué)校和企業(yè)等法人單位，政府機(jī)關(guān)不得作為申報單位進(jìn)行申報；
（2）注冊時間在2015年12月31日前；
（3）在承擔(dān)（或申請）國家科技計(jì)劃項(xiàng)目中，沒有嚴(yán)重不良信用記錄或被記入“黑名單”。
4. 本重點(diǎn)專項(xiàng)指南規(guī)定的其他形式審查條件要求
項(xiàng)目下設(shè)課題數(shù)原則上不超過5個，每個課題參研單位原則上不超過5個。
本專項(xiàng)形式審查責(zé)任人： 楊斌
