會議現場
 

　　2016年11月16日，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2016) “芯片、封裝與模組技術I”專題分會如期舉行。分會兼顧內容的廣度與深度，前沿大勢與實用技術的搭配，來自中外的強勢研究力量聯袂帶來精彩報告。其中，中國科學院半導體研究所研究員張韻分享了AlGaN基深紫外LED芯片的光提取增強方法。

中國科學院半導體研究所研究員 張韻
 

　　張韻中組部“千人計劃”青年項目引進人才， “十二五”科技部“第三代半導體材料”總體專家組成員。曾就職于美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。2012年初回國工作，就職于中國科學院半導體研究所。目前科研重點是AlGaN/GaN基大功率高頻／電力電子器件、AlGaN基深紫外波段光電子材料與器件等。

 

　　光提取效率低是限制深紫外LED出光功率的關鍵因素之一。結合深紫外LED中的兩種偏振模式（TE模和TM模），張韻及其研究團隊使用時域有限差分（FDTD）軟件對深紫外LED芯片中的出光機制進行了模擬，并據此提出幾種調制光傳輸路徑、提高光提取效率的方法。

中國科學院半導體研究所研究員 張韻
 

　　會上，張韻詳細介紹了LED臺面側壁區域增強紫外光反射的技術，并分享了研究過程及結論。他表示，采用在UV-C波段具有高反射率的Al基厚金層包覆臺面側壁，使有源區內垂直于c軸橫向傳輸的光被Al基厚金層有效反射，調控光的傳輸路徑至朝向藍寶石襯底，提高光提取效率。并且采用微陣列臺面結構來大幅度增加臺面側壁面積，也就是Al基厚金屬反射區域的面積，進一步提升光提取效率。