2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）

　　International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China

 

　　2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日在北京首都機(jī)場希爾頓酒店召開。
 

　　2017國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦，得到科技部，發(fā)改委，工信部，北京政府等相關(guān)部門大力支持。

 

　　會議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒幼谥迹娓采w行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。論壇中外方主席由中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部原副部長曹健林和美國國家工程院院士，加利福尼亞大學(xué)杰出教授，Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA分別擔(dān)任。

　　在今年開閉幕大會上，也將呈現(xiàn)國際第三代半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)和跨界頂級專家陣容，提供國內(nèi)最新政策和國際前沿視野。同時，在碳化硅材料與器件、氮化鎵功率電子器件、電力電子器件封裝應(yīng)用與可靠性(SiC, GaN)、第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)、第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料六場專題技術(shù)分會則會聚焦各細(xì)分領(lǐng)域，帶來全球第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域最權(quán)威報告。

 

　　為助力中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢資源，實(shí)現(xiàn)中國半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。根據(jù)《科技部關(guān)于舉辦第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽的通知》（國科發(fā)火﹝2017﹞67 號）精神，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟與國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合舉辦第六屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽。大賽全球總決賽也將在IFWS論壇同期舉行，屆時還將揭曉獲獎團(tuán)隊(duì)，并舉辦頒獎典禮。

 

　　同期，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2017）也會同期同地召開，數(shù)十場技術(shù)及產(chǎn)業(yè)峰會全面覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈熱點(diǎn)動態(tài)；更有海外專場、國際技術(shù)培訓(xùn)、商務(wù)配對、論文交流、CSA及ISA產(chǎn)業(yè)與標(biāo)準(zhǔn)工作會議等多種形式的活動。

 
　　會議日程：

注：黑色粗體字所示為IFWS會議通票所包含活動；藍(lán)色字體所示為同期活動，SSL和IFWS聯(lián)票可進(jìn)入包含IFWS活動的所有報告廳。

 
　　會議價格：

　　備 注：

 

　　1.  9月15日前報名，注冊費(fèi)立減30%。通票（IFWS）可省750元；與第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS+SSLCHINA2017）一起報名，立省1500元！

 

　　2.  關(guān)于免費(fèi)名額（IFWS）：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）副理事長單位3個，理事單位2個，成員單位1個免費(fèi)名額。具體以聯(lián)盟（CASA）秘書處通知為準(zhǔn)。