近年來，隨著各種半導(dǎo)體發(fā)光材料和器件的不斷發(fā)展，新型顯示技術(shù)與照明技術(shù)的結(jié)合更加緊密，為未來顯示與照明技術(shù)的交叉和多元化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。從器件角度看，新型顯示與照明技術(shù)所對(duì)應(yīng)的發(fā)光器件包括：Micro-LED、有機(jī)發(fā)光二極管（OLEDs）、量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLEDs）、半導(dǎo)體激光器、鈣鈦礦發(fā)光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其中，Micro-LED近年來發(fā)展尤為迅速，未來發(fā)展可期。

　　2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會(huì)聚集了國內(nèi)外知名專家和企業(yè)代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進(jìn)展。

 

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會(huì)”作為論壇重要分會(huì)之一，今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動(dòng)。分會(huì)得到了愛思強(qiáng)、德豪潤達(dá)、國星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。上半場，來自加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授、香港科技大學(xué)首席教授劉紀(jì)美、北京大學(xué)陳志忠教授、復(fù)旦大學(xué)張樹宇副教授、廣東德豪潤達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌、俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM；下半場，由來自臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威教授、南方科技大學(xué)副教授劉召軍、廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授，福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授劉斌、德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT、復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛等國內(nèi)外知名專家學(xué)者企業(yè)代表為分會(huì)奉獻(xiàn)了高水準(zhǔn)研究報(bào)告。

　　下半場，首個(gè)報(bào)告是來自臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威教授，他在《可實(shí)現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報(bào)告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍(lán)光到535nm綠光的變化，接著在藍(lán)光NRLED上噴涂紅色量子點(diǎn)材料進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實(shí)現(xiàn)RGB全彩微顯示。

　　南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。

　　廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測(cè)試》研究報(bào)告。他介紹說，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測(cè)目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測(cè)的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測(cè)試技術(shù)。

　　北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲教授介紹了《高壓LED和微顯示芯片設(shè)計(jì)及制備技術(shù)》研究報(bào)告。

　　南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大大提供，從而提升了LED器件的量子效率。

　　德國愛思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報(bào)告。他介紹說，愛思強(qiáng)的行星式反應(yīng)器平臺(tái)是生產(chǎn)具有最高一致性、重復(fù)性和缺陷控制標(biāo)準(zhǔn)的化合物半導(dǎo)體器件的已建立的平臺(tái)，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術(shù)，這是當(dāng)前高容量需求的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術(shù)：在低的缺陷水平下，結(jié)合外延層的高通量結(jié)構(gòu)具有非常高的精度。行星式反應(yīng)器平臺(tái)技術(shù)已經(jīng)被證明能夠?yàn)樗蠷GB Micro-LED提供必要的生產(chǎn)條件。

　　復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。
 

　　可見光通信(VLC)是一種有前途的無線通信，用于補(bǔ)充現(xiàn)有的無線通信技術(shù)，以滿足不斷增長的高速通信需求。基于GaN基LED的可見光通信引起了人們極大的興趣。但是由于商用大尺寸LED具有較低調(diào)制帶寬，這限制了可實(shí)現(xiàn)的VLC數(shù)據(jù)速率，因此新型GaN基μLED被用來提高光電調(diào)制帶寬，進(jìn)而提高數(shù)據(jù)速率。大多數(shù)的研究都集中在使用霯ED作為發(fā)射端來傳遞信號(hào)，然而，基于GaN的μLED也可以用作PD來進(jìn)行可見光通信。【根據(jù)會(huì)議現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】