2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。

 

　　本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。

 

　　10月25日上午，IFWS 2018之“氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會(huì)召開。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。

 

　　日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學(xué)教授陳敬，電子科技大學(xué)教授，集成電路研究中心主任張波，加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東，德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學(xué)高級(jí)工程師楊學(xué)林，中科院半導(dǎo)體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科與電子科技大學(xué)教授張波共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA做了題為“AlGaN激光的現(xiàn)狀與問題”的報(bào)告，紫外激光廣泛應(yīng)用于生物/化學(xué)光子學(xué)，材料加工，半導(dǎo)體激光器等領(lǐng)域，AlGaN材料是實(shí)現(xiàn)這些器件最合適的材料之一。這些激光器具有優(yōu)良的特性，比如如緊湊性等，與現(xiàn)有的準(zhǔn)分子激光器等氣體激光器相比效率高。這些器件具有很高的潛力，報(bào)告討論了兩種基于AlGaN的紫外激光注入的現(xiàn)狀和問題，包括基于電流注入的AlGaN基紫外激光器和電子束激發(fā)問題。其中激光注入電流部分，器件的潛力受到效率電流的限制，這些限制很多時(shí)候是由于高AlN摩爾分?jǐn)?shù)低電阻率p型AlGaN合金的制備難點(diǎn)帶來的，業(yè)界也正在研究各種方法來解決這個(gè)問題。報(bào)告討論了當(dāng)前的現(xiàn)狀和潛力，并分享了其研究團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果和解決方案。

 

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