第31屆ISPSD會議開幕式
在開幕式上，ISPSD大會主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況教授首先致歡迎辭，他對與會的專家、學(xué)者、同行表示熱烈的歡迎。他指出，自31年前在日本東京召開第1屆會議以來，ISPSD已成為國際上電力電子器件行業(yè)發(fā)展、技術(shù)進(jìn)展和創(chuàng)新理念交流共享最重要的平臺，電力電子器件領(lǐng)域的重大研究成果和重要學(xué)術(shù)進(jìn)展大多也在這個會議上首次發(fā)表。他希望通過此次會議，專家學(xué)者可以分享與交流最新的研究和發(fā)現(xiàn)，參會者也借此機(jī)會結(jié)交志同道合的朋友。他誠邀首次參加ISPSD的參會者以后每年都齊聚ISPSD，成為功率半導(dǎo)體器件集成電路大家庭的一員。
ISPSD大會主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況教授致辭
ISPSD技術(shù)程序委員會主席、香港科技大學(xué)Kevin Chen教授介紹了本次參會論文錄取情況，共收到摘要論文299篇，經(jīng)過領(lǐng)域內(nèi)權(quán)威專家的嚴(yán)格評審，最終入選128篇論文。
ISPSD技術(shù)程序委員會主席、香港科技大學(xué)Kevin Chen教授作報告
第30屆ISPSD大會主席、美國伊利諾伊斯理工大學(xué)John Shen宣讀了入選名人堂的兩位教授名單， Alex Lidow教授因?qū)韬?/span>氮化鎵功率器件技術(shù)的卓越貢獻(xiàn)而獲此殊榮，Don Disney教授因其對功率IC技術(shù)的貢獻(xiàn)以及他在組織ISPSD會議中的領(lǐng)導(dǎo)作用而獲此殊榮。
第30屆ISPSD大會主席、美國伊利諾伊斯理工大學(xué)John Shen宣布入選名人堂名單
ISPSD宣傳主席、多倫多大學(xué)Wai Tung Ng教授宣布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文獲得第30屆ISPSD會議最佳論文獎（Ohmi Best Paper Award）。
ISPSD宣傳主席、多倫多大學(xué)Wai Tung Ng教授宣布最佳論文獎
本屆ISPSD國際會議“星光璀璨”，相關(guān)領(lǐng)域的國內(nèi)外知名專家學(xué)者、企業(yè)界同行齊聚盛會。會議吸引了中國大陸、中國香港、中國臺灣、日本、美國、韓國、德國、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法國、比利時、印度等24個國家和地區(qū)的600余人參會。大會分設(shè)11場專題報告和2場海報報告，主題涵蓋了高壓和低壓器件、寬禁帶碳化硅和氮化鎵器件、功率集成電路、封裝與驅(qū)動等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的所有方面。
ISPSD專題報告會會場
5月23日下午，ISPSD2019國際會議舉行閉幕式。閉幕式由大會主席、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長盛況教授主持，他全面總結(jié)了本屆ISPSD國際會議的規(guī)模與成果，并宣讀了會議評選出的兩位最佳青年學(xué)者獎（Charitat Award）得主，來自加拿大多倫多大學(xué)的Wei Jia Zhang和來自日本京都大學(xué)的Takuya Maeda斬獲殊榮。
在會議交接儀式上，下一屆ISPSD主席、英飛凌公司的Oliver Haberlen博士代表主辦方介紹了下屆會議各項準(zhǔn)備工作的進(jìn)展，并邀請與會者于2020年蒞臨奧地利維也納共同參加下一次盛會。ISPSD的會議大旗由本屆主席盛況教授遞交到下屆主席Oliver Haberlen博士手中，標(biāo)志著此次會議圓滿結(jié)束，下屆會議的周期正式開始。
第31屆、32屆ISPSD會旗交接儀式
本次會議獲與會者高度評價，一致感謝主辦方浙江大學(xué)的悉心操持，并認(rèn)為會議議題全面而前沿，而上海的人文與自然景觀則使人印象深刻，流連忘返。
IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級國際學(xué)術(shù)會議，一般在日本、北美和歐洲之間輪換。本屆會議是ISPSD首次由中國大陸主辦，得益于中國電力電子器件和集成電路的高速發(fā)展，標(biāo)志著我國本行業(yè)的發(fā)展進(jìn)入新紀(jì)元！
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院ISPSD會議志愿者
