2019年11月25日下午，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)等大力支持。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅猛，全球產(chǎn)業(yè)處于起步階段，已成為國(guó)際焦點(diǎn)，中國(guó)市場(chǎng)需求巨大。那么中國(guó)第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展如何？第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山帶來(lái)“中國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展”的報(bào)告。
第三代半導(dǎo)體是支撐智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)形勢(shì)復(fù)雜、貿(mào)易紛爭(zhēng)頻發(fā)，半導(dǎo)體行業(yè)景氣下滑，但第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)增長(zhǎng)。第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)張，細(xì)分領(lǐng)域滲透加速，市場(chǎng)規(guī)?？善凇．a(chǎn)品技術(shù)性能趨于穩(wěn)定，規(guī)?；a(chǎn)工藝成功接受市場(chǎng)考驗(yàn)，行業(yè)對(duì)技術(shù)的關(guān)注點(diǎn)從創(chuàng)新研發(fā)步入工業(yè)級(jí)技術(shù)改造階段，第三代半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成熟。資本進(jìn)入熱度不減，擴(kuò)產(chǎn)和新建持續(xù)，產(chǎn)業(yè)生態(tài)不斷完善。轉(zhuǎn)“危“為”機(jī)”，貿(mào)易戰(zhàn)背景下的國(guó)產(chǎn)替代加速。國(guó)內(nèi)產(chǎn)值連年翻番，部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化盈利，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功跨越“技術(shù)泡沫期”，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入理性發(fā)展期。
產(chǎn)值逐年翻番，電力電子和射頻規(guī)模超過(guò)60億。5G商業(yè)化迅猛推進(jìn)，引爆GaN微波射頻市場(chǎng)，氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術(shù)。未來(lái)五年，下游5G基礎(chǔ)設(shè)施的增長(zhǎng)將帶來(lái)近400億的GaN射頻器件市場(chǎng)需求。GaN射頻器件具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是硅和砷化鎵射頻器件的換代產(chǎn)品。氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術(shù)，未來(lái)五年，我國(guó)GaN射頻器件應(yīng)用市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2019-2024年期間，我國(guó)GaN射頻器件市場(chǎng)將保持43%年度增長(zhǎng)率；2023年市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)310億元。
汽車半導(dǎo)體應(yīng)用取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，快充市場(chǎng)應(yīng)用逐步推進(jìn)。未來(lái)五年，我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。2024年我國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到200億元，未來(lái)5年增速將接近40%。與此同時(shí)，工業(yè)化技術(shù)逐步穩(wěn)定，產(chǎn)品商業(yè)化持續(xù)推進(jìn)。產(chǎn)品價(jià)格逐漸進(jìn)入甜蜜點(diǎn)，應(yīng)用滲透加速。區(qū)域性產(chǎn)業(yè)集群正在快速成型，資本不斷進(jìn)入，擴(kuò)產(chǎn)和新建持續(xù)。
看未來(lái)，以新能源汽車、光伏逆變器和電源應(yīng)用為牽引，帶動(dòng)了SiC電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也推動(dòng)國(guó)際SiC單晶襯底由4英寸向6英寸轉(zhuǎn)移，SiC產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，產(chǎn)業(yè)化程度提高；隨著中國(guó)、歐洲、日本、美國(guó)啟動(dòng)5G應(yīng)用，5G射頻技術(shù)帶動(dòng)了微波射頻產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，促使高純半絕緣SiC單晶襯底以及相應(yīng)的外延和芯片工藝快速產(chǎn)業(yè)化；受中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)未達(dá)增長(zhǎng)預(yù)期，但不斷成長(zhǎng)的光與健康、醫(yī)療、環(huán)境等應(yīng)用，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展拓展了更大的空間。一些具有戰(zhàn)略眼光的企業(yè)已在布局Mini-LED、Micro-LED等新一代顯示產(chǎn)業(yè)。
目前，聯(lián)盟推動(dòng)協(xié)同創(chuàng)新體系和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的完善，全鏈條部署一體化實(shí)施、形成合力的發(fā)展戰(zhàn)略，組建標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，啟動(dòng)制定團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。于坤山表示，在中國(guó)，產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟是一件新事物，特別是在產(chǎn)業(yè)發(fā)展的早期，其協(xié)助政府部門開(kāi)展頂層設(shè)計(jì)、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局，聯(lián)合產(chǎn)學(xué)研協(xié)同突破制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸，聯(lián)合政府、產(chǎn)學(xué)研和資本共同建設(shè)以產(chǎn)業(yè)集聚為特征的產(chǎn)業(yè)基地等方面發(fā)揮著獨(dú)特的作用，是一只推動(dòng)創(chuàng)新性產(chǎn)業(yè)不斷走向成熟和發(fā)展的重要力量。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅猛，全球產(chǎn)業(yè)處于起步階段，已成為國(guó)際焦點(diǎn)，中國(guó)市場(chǎng)需求巨大。那么中國(guó)第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展如何？第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山帶來(lái)“中國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展”的報(bào)告。
第三代半導(dǎo)體是支撐智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)形勢(shì)復(fù)雜、貿(mào)易紛爭(zhēng)頻發(fā)，半導(dǎo)體行業(yè)景氣下滑，但第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)增長(zhǎng)。第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)張，細(xì)分領(lǐng)域滲透加速，市場(chǎng)規(guī)?？善凇．a(chǎn)品技術(shù)性能趨于穩(wěn)定，規(guī)?；a(chǎn)工藝成功接受市場(chǎng)考驗(yàn)，行業(yè)對(duì)技術(shù)的關(guān)注點(diǎn)從創(chuàng)新研發(fā)步入工業(yè)級(jí)技術(shù)改造階段，第三代半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成熟。資本進(jìn)入熱度不減，擴(kuò)產(chǎn)和新建持續(xù)，產(chǎn)業(yè)生態(tài)不斷完善。轉(zhuǎn)“危“為”機(jī)”，貿(mào)易戰(zhàn)背景下的國(guó)產(chǎn)替代加速。國(guó)內(nèi)產(chǎn)值連年翻番，部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化盈利，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功跨越“技術(shù)泡沫期”，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入理性發(fā)展期。
產(chǎn)值逐年翻番，電力電子和射頻規(guī)模超過(guò)60億。5G商業(yè)化迅猛推進(jìn)，引爆GaN微波射頻市場(chǎng)，氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術(shù)。未來(lái)五年，下游5G基礎(chǔ)設(shè)施的增長(zhǎng)將帶來(lái)近400億的GaN射頻器件市場(chǎng)需求。GaN射頻器件具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是硅和砷化鎵射頻器件的換代產(chǎn)品。氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術(shù)，未來(lái)五年，我國(guó)GaN射頻器件應(yīng)用市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2019-2024年期間，我國(guó)GaN射頻器件市場(chǎng)將保持43%年度增長(zhǎng)率；2023年市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)310億元。
汽車半導(dǎo)體應(yīng)用取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，快充市場(chǎng)應(yīng)用逐步推進(jìn)。未來(lái)五年，我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。2024年我國(guó)電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到200億元，未來(lái)5年增速將接近40%。與此同時(shí)，工業(yè)化技術(shù)逐步穩(wěn)定，產(chǎn)品商業(yè)化持續(xù)推進(jìn)。產(chǎn)品價(jià)格逐漸進(jìn)入甜蜜點(diǎn)，應(yīng)用滲透加速。區(qū)域性產(chǎn)業(yè)集群正在快速成型，資本不斷進(jìn)入，擴(kuò)產(chǎn)和新建持續(xù)。
看未來(lái)，以新能源汽車、光伏逆變器和電源應(yīng)用為牽引，帶動(dòng)了SiC電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也推動(dòng)國(guó)際SiC單晶襯底由4英寸向6英寸轉(zhuǎn)移，SiC產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，產(chǎn)業(yè)化程度提高；隨著中國(guó)、歐洲、日本、美國(guó)啟動(dòng)5G應(yīng)用，5G射頻技術(shù)帶動(dòng)了微波射頻產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，促使高純半絕緣SiC單晶襯底以及相應(yīng)的外延和芯片工藝快速產(chǎn)業(yè)化；受中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)未達(dá)增長(zhǎng)預(yù)期，但不斷成長(zhǎng)的光與健康、醫(yī)療、環(huán)境等應(yīng)用，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展拓展了更大的空間。一些具有戰(zhàn)略眼光的企業(yè)已在布局Mini-LED、Micro-LED等新一代顯示產(chǎn)業(yè)。
目前，聯(lián)盟推動(dòng)協(xié)同創(chuàng)新體系和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的完善，全鏈條部署一體化實(shí)施、形成合力的發(fā)展戰(zhàn)略，組建標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，啟動(dòng)制定團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。于坤山表示，在中國(guó)，產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟是一件新事物，特別是在產(chǎn)業(yè)發(fā)展的早期，其協(xié)助政府部門開(kāi)展頂層設(shè)計(jì)、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局，聯(lián)合產(chǎn)學(xué)研協(xié)同突破制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸，聯(lián)合政府、產(chǎn)學(xué)研和資本共同建設(shè)以產(chǎn)業(yè)集聚為特征的產(chǎn)業(yè)基地等方面發(fā)揮著獨(dú)特的作用，是一只推動(dòng)創(chuàng)新性產(chǎn)業(yè)不斷走向成熟和發(fā)展的重要力量。
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