11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測試表征和相關(guān)的設(shè)備，對SiC和GaN從機理到工業(yè)化進程進行系統(tǒng)的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業(yè)大學(xué)兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV， 鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學(xué)副教授林偉，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授、晶體材料國家重點實驗室副主任徐現(xiàn)剛共同主持了本次分會。
會上，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。 在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因為其化學(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型的濕性刻蝕技術(shù)并采用SiC的優(yōu)異化學(xué)特性。
對于這些應(yīng)用，通常襯底和犧牲層都是Si或者SiO2。SiC可以直接生長在已經(jīng)刻蝕的基底或者生長在化學(xué)處理工序之前的基底之上。一項針對先進化學(xué)控制的技術(shù)對于維持持續(xù)性刻蝕速率、可控刻蝕深度、維持原有紋理的形狀是至關(guān)重要的，使用NIR技術(shù)可以監(jiān)測沖洗中的化學(xué)物濃度以及Si和SiO2刻蝕副產(chǎn)品。
這項技術(shù)可以延長刻蝕液的使用壽命并增強刻蝕過程的連續(xù)性。新的系統(tǒng)可以跟蹤濃度刻度并抽取一定量的舊刻蝕液并加入等量的新刻蝕液以維持整個沖洗過程中刻蝕液的純度和濃度。
報告中，展示了先進濃度控制技術(shù)的機制，研究結(jié)果基于使用TMAH或KOH去刻蝕Si的數(shù)據(jù)，同時這項研究的相關(guān)應(yīng)用也可以用于SiC集成器件。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
