11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月26日上午，“超寬禁帶半導體技術” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，西安電子科技大學教授張金風，瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授劉玉懷，西安交通大學副教授李強，北京大學劉放、中國科學技術大學趙曉龍等來自中外嘉賓聯袂帶來精彩報告。
會上，日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為“超寬禁帶氧化半導體的生長和特性”的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調整我們可以調整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的特性。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
