11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無線技術(shù)總工及技術(shù)委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應用方面具有很大的潛質(zhì)。而為了未來的性能增強，外延結(jié)構(gòu)和可靠性還需要更多的提升。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BRÜCKNER 做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報告，Peter BRÜCKNER 2011年加入德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所，關(guān)注short gate-length GaN HEMT on SiC技術(shù)發(fā)展。負責蝕刻技術(shù)組，并領(lǐng)導著若干IAF項目。
報告中，他表示，F(xiàn)RAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短柵極技術(shù)和MMIC加工工藝。重點研究的任務是外延結(jié)構(gòu)、漏電流控制、缺陷狀態(tài)以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評估外延結(jié)構(gòu)和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進行評估。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無線技術(shù)總工及技術(shù)委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應用方面具有很大的潛質(zhì)。而為了未來的性能增強，外延結(jié)構(gòu)和可靠性還需要更多的提升。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BRÜCKNER 做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報告，Peter BRÜCKNER 2011年加入德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所，關(guān)注short gate-length GaN HEMT on SiC技術(shù)發(fā)展。負責蝕刻技術(shù)組，并領(lǐng)導著若干IAF項目。
報告中，他表示，F(xiàn)RAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短柵極技術(shù)和MMIC加工工藝。重點研究的任務是外延結(jié)構(gòu)、漏電流控制、缺陷狀態(tài)以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評估外延結(jié)構(gòu)和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進行評估。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
