11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。

臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯萬眾科技有限公司副總經理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。

氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應用方面具有很大的潛質。而為了未來的性能增強，外延結構和可靠性還需要更多的提升。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRÜCKNER  做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報告，Peter BRÜCKNER 2011年加入德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所，關注short gate-length GaN HEMT on SiC技術發展。負責蝕刻技術組，并領導著若干IAF項目。

報告中，他表示，FRAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短柵極技術和MMIC加工工藝。重點研究的任務是外延結構、漏電流控制、缺陷狀態以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評估外延結構和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進行評估。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）