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瑞典隆德大學教授Lars SAMUELSON:針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-11-29 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:652
 2019年11月27日下午,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)在深圳會展中心順利落下帷幕。

本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦,并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院院士、Glo AB創始人Lars

閉幕式上,瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院院士、Glo AB創始人Lars SAMUELSON帶來了題為“針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用”的精彩報告。

Lars SAMUELSON因對低維結構以及這些結構所帶來的物理學和應用的研究而享譽國際。近年來,他的一直致力于研究通過自組裝形成理想的一維半導體納米線的新方法,它們的物理性質,以及納米線在電子,光子學和生命科學中的應用。他還是QuNano AB, GLO AB, Sol Voltaics AB 和 Hexagem AB四所領域內企業的創建者和首席科學家。

納米線技術能夠提供為不同的3D器件結構獨有的自由度,包含從針對徑向LED的1D納米線到垂直結構microLED中無C軸缺陷的平面結構制備。報告中,介紹納米線microLED的制備,其中包括通過三元InGaN金字塔的可控重塑可產生c方向的松弛且無位錯的InGaN片,從而構成可以直接發射藍色,綠色和紅色的垂直InGaN microLED等流程。同時,也介紹納米材料的最新進展,其中包括了自形成的原子光滑且無位錯的六角棱鏡結構作為光子腔結構。

 

 

(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)


 
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