近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司協辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副研究員張璇帶來關于二次注入和活化退火提高室溫鋁注入劑量的主題報告。
 

經過三十年的研發，碳化硅材料和電力電子器件正處于擴大生產和應用領域的關鍵時期。推動這項技術進步的因素很多，其中包括更好的物理理解、克服技術困難和降低制造成本，這些都是必不可少的。在眾多挑戰中，歐姆接觸的高劑量p型注入和激活退火已經通過高溫注入和1500-1700℃的高溫退火來克服。然而，具有加熱能力的注入機價格昂貴且有限，注入溫度的降低幅度很大從生產力的角度看重要性。因此，嘗試采用二次注入后再進行二次活化退火的技術來提高室溫鋁注入劑量。

報告結合具體的實驗過程飛，分享了最新研究成果。報告顯示，在總劑量為1.2×1015cm-2的情況下，雙注入和室溫退火比單次注入和退火大大減少了晶格損傷；雙注入的總劑量可提高到1.5-2.0×1015cm-2，但熱注入仍是達到高劑量的最有效方法。熱注入和雙注入應涉及不同的缺陷機制。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）