近日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司共同協辦的“Mini/Micro-LED及其他新型顯示工程應用峰會”上，蘇州晶湛半導體有限公司張麗旸博士分享了應用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新進展。
Micro-LED的主要挑戰是成本，外延工藝要求涉及到晶圓尺寸、EPI厚度、均勻性、缺陷/顆粒、效率等方面。晶湛半導體專注于氮化鎵材料外延，提供高質量晶圓片，用于光電領域。報告中分享了晶湛的技術進展。
報告指出，GaN-on-Si技術是充分利用性能和成本的最佳途徑。GaN-on-Si（≥200mm）技術在微型LED顯示領域有很大的發展前景。未來大規模生產需要設備制造商和epi晶圓供應商之間的合作。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
