其中，發明名稱為“一種LED發光裝置及其制造方法”的發明專利，公開號為CN112382716A，申請日期為2020年10月28日。申請（專利權）人：廈門三安光電有限公司；發明人為：江賓、林素慧、曾煒竣、彭康偉、曾明俊、何安和、劉小亮。

來源：企查查

 

據了解，LED芯片因為其優良的性能得到快速發展。其中的紫外光LED特別是深紫外光LED的巨大的應用價值，尤其是在殺菌消毒方面的應用，引起了人們的高度關注，成為了新的研究熱點。UV LED用于殺菌、消毒時，其使用環境大部分濕氣較嚴重，這就對UVC LED的封裝提出了更高的要求。

 

該項發明提供一種LED發光裝置及其制造方法，該LED發光裝置包括基板，所述基板具有相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面上設置有導電線路層；LED芯片，所述LED芯片通過所述導電線路層固定在所述基板的第一表面上；無機密封層，所述無機密封層覆蓋所述LED芯片的表面、側壁以及所述基板的第一表面。

 

上述無機密封層可以是SiO2和/或HfO2等一層或多層氧化物層。該無機密封層對UV或者UVC具有較高的透過率，并且即使長時間在UV或者UVC的照射下，也不會出現老化或龜裂等問題。本發明在LED芯片的表面、側壁以及基板的第一表面上同時形成上述無機密封層，能夠同時有效保護LED芯片及基板。

 

另一項發明名稱為“發光二極管器件及其制備方法”的專利，公開號為CN112382711A，申請日期為2020年10月19日。申請（專利權）人：廈門三安光電有限公司；發明人為：張博揚、董浩。

來源：企查查

 

發光二極管器件由于其較高的發光效率在很多領域均有廣泛的應用。為了提高發光二極管器件的出光效率，現有常見的發光二極管器件常在半導體外延層下方設置反射層，反射層的面積越大，其出光效率越高。但是，現有發光二極管器件一般均需對半導體外延層粗化處理，在粗化處理過程中，蝕刻液容易滲透至反射層，并刻蝕反射層，從而影響發光二極管器件的出光效率。

 

因此，如何在發光二極管器件具有較大反射層的情況下，避免反射層在后續形成粗糙部過程中被刻蝕，以提高發光二極管器件的出光效率，成為本領域亟需解決的問題。

 

此項申請公開了一種發光二極管器件及其制備方法，適用于發光二極管相關技術領域。該發光二極管器件管包括基板、臺面結構、功能層和保護層；臺面結構包括由第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層順序排列所構成的半導體外延層；第二類型半導體層位于靠近基板的一側，第一類型半導體層背對基板的表面配置有粗糙部；功能層，包括用于與半導體外延層連接的第一表面和用于與基板連接的第二表面；半導體外延層的面積小于功能層的面積；保護層配置為：至少覆蓋第一表面除半導體外延層之外的區域。

 

本申請利用保護層遮擋住功能層除半導體外延層之外的區域，提高發光二極管器件中反射層的面積，進而提高發光二極管器件的出光效率。

 

備注：更多詳情請查閱專利公開資料。