中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）在SEMICON China 2021期間正式發布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star，用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。
 

基于中微公司業已成熟的單臺反應器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺，Primo Twin-Star為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。它的創新設計包括：Primo Twin-Star使用了雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。

 

憑借這些優異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star 以更小的占地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。由于Primo Twin-Star反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果。這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。

 

中微公司的Primo Twin-Star刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star設備已交付客戶投入生產，良率穩定。公司還在進行用于不同刻蝕應用的多項評估。Primo Twin-Star設備優化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備產品線。