其中涵蓋了多項集成電路相關項目，以下是部分項目介紹。

 

第六代柔性有源矩陣有機發光顯示器件 (AMOLED)生產線項目：總投資440億元，總建筑面積63.5萬平方米，建設工藝生產廠房、配套辦公樓、配套倒班宿舍、動力廠房 、大宗氣站等生產生活配套建筑物及構筑物，建設一條第6代柔性有源矩陣有機發光顯示器件（AMOLED）生產線，項目建成后將形成年產屏體2800萬片的生產能力（正在安裝設備，產品已點亮）

 

12吋晶圓驅動芯片制造項目：總投資128.1億元，總建筑面積20.1萬平方米，建設生產廠房、綜合樓、化學品庫、倉庫、廢水處理站生產線，形成年產150納米LCD驅動IC3.5萬片、 90納米小尺寸驅動IC0.5萬片的生產能力（持續穩步提升產能，目前3萬片產能）

 

TFT-LCD背光源及光學材料生產項目：總投資36億元，總建筑面積16萬平方米，建設車間、倉庫及輔助設施，形成年產RTP偏光片2400萬片、POL偏光片7200萬片、導光板600萬片、導光板熱壓4680萬片、背光模組6000萬片的生產能力（中試廠房正在辦理前期報批手續）

 

集成電路產業鏈配套項目：總投資30.7億元，項目主要從事集成電路封測以及模組組裝業 務，達產后將形成月產能12萬片的DRAM及 1600萬顆4DNAND封測能力（基礎施工）

 

晶圓凸塊封裝測試基地項目：總投資24億元，總建筑面積3萬平方米，月產3萬片12吋晶圓 、5萬片8吋晶圓。其中：一期月產1.2萬片12吋晶圓及3萬片8吋晶圓（基礎施工）

 

第三代功率半導體(碳化硅) 產業園項目：總投資21億元，總建筑面積8萬平方米，主要建設廠房、輔助用房，購置晶體生長爐、原料合成爐測試設備、超凈室、研發設備等先進設備（基礎工程建設）

 

三利譜TFT偏光片生產：總投資20億元，總建筑面積18萬平方米，建設寬幅TFT型偏光片生產線6條，形成年產8000萬平方米偏光片的生產能力（一期已竣工投產并完成驗收，產能爬坡）

 

G8.5液晶基板玻璃生產線建設項目：總投資20億元，總建筑面積8.8萬平方米，共建設兩條熱端和一條后加工生產線。其中一期新建1條熱端和1條冷端玻璃基板生產線；二期新建一條熱端產線，形成年產120萬片玻璃基板生產能力（第一階段的1條G8.5熱端和1條冷端生產線基本建設完成，第二階段建設的第2條熱端生產線，已于2020年11月啟動）

 

第六代線用柔性AMOLED新技術開發和產業化項目：總投資15.98億元，新增研發及生產設備28臺套，研發窄邊框、低功耗等技術，并產業化（陸續購置設備并安裝、調試，全面屏、 低功耗等新技術持續研發中）

 

ITO靶材及其它薄膜材料研發及生產基地項目：總投資15億元，總建筑面積8萬平方米，建設廠房4棟，2F 辦公綜合樓1棟，門衛室1間，并配套建設消防、環保、道路、供配電、給排水等輔助設施，項目建成后將形成年產800噸ITO靶材 、750噸太陽能靶材和1478.4噸其它種類薄膜材料的生產能力（主體工程已結 束，正在進行設備購置及安裝）

 

顯示驅動芯片COF卷帶生產項目：總投資12.7億元，總建筑面積6萬平方米，建設主樓、廠房、動力站、化學品庫及倉庫，建設3條中國大陸最大的半導體顯示芯片封裝COF卷帶生產線，形成月加工70KK卷帶的生產能力（一期已進行工程品研發生產及訂單量產， 二期部分設備正在裝機調試）

 

年產360萬片再生晶圓項目：總投資3.2億元，項目總建筑面積4萬平方米，建設晶圓再生廠房、零部件清洗廠房，配套廠務系統車間、辦公樓、倉庫等輔助、公用工程，項目建成后將形成每年120萬片晶圓再生的能力（主體工程結束，部分設備進場安裝）

 

京東方MiniLED(合肥)生產線項目：總投資4.33億元，租賃合肥鑫晟光電科技有限公司廠房電子廠房，新建一條MiniLED背光及顯示產品生產線，包括新購回流焊、固晶機等生產設備、升級CIM等軟件系統并對廠房原有部分動力、環保、管道系統進行改造。項目建成后年產約52.8萬片MiniLED背光及顯示產品（正在計劃進行設備采購）

 

高精密半導體引線框架及AMOLED蒸鍍用高精度金屬掩模板(一期) 項目：總投資3.7億元，總建筑面積3.2萬平方米，計劃建設辦公樓 、科研、廠房、庫房等相關配套設施；引進電鍍生產線17條、蝕刻生產線10條；項目建成后可形成年產蝕刻型引線框架1億條，沖壓引線框架3000萬條，高精度金屬掩膜700萬件（正在進行前期報建手續）

 

第6代觸摸屏生產線MiniLED背光背板項目：總投資2.4億元，利用合肥鑫晟光電科技有限公司廠房電子廠房，依托Sensor段現有產線，改建MiniLED 背光背板產品的智能化產線。包括新購干法 刻蝕、電化學沉積等生產設備，升級CIM等 軟件系統并對廠房原有部分動力、環保、管道系統進行改造。項目建成后年產約18萬片 MiniLED背光及顯示產品（目前正在準備相關設備采購）

 

MEMS微系統集成工程建設項目：總投資10億元，總建筑面積1萬平方米，廠房改造，新增購 置200余臺套，建設提升原有產線的產能， 形成年產5萬片晶圓、4億顆芯片的生產能力（開展前期工作）

 

安徽浚潁光電有限公司新型顯示技術 OLED高精密金屬掩模板研發制造及配套服務項目：總投資5億元，購置安裝OLED高精密金屬掩模板生產線5條、配套清洗再生生產線15條；配套建設供 配電、安全生產、環保等設施（廠房基礎施工）

 

年產2噸OLED材料項目：總投資1億元，主要建設1000平方米無塵室，內設萬級無塵室、千級無塵室、百級無塵室、生產場地、檢測室、蒸鍍室等，引進生產設備40臺與檢測設備23臺，建成后可形成年產2噸OLED材料生產能力（廠房適應性改造）

 

集成電路及電子元件封裝測試項目：總投資1億元，總建筑面積2.4萬平方米，設計年產集成電路及電子元件封裝測試產品5億只（基礎開挖已完成）

 

半導體封測邊框生產項目：總投資25億元，建筑面積25萬平方米，新建半導體封裝生產線18條，購置關鍵設備2500臺，建設半導體封測邊框生產基地（辦理能評手續）

 

順芯第三代化合物半導體中段制程晶圓超薄化與封測產品生產研發基地項目：總投資20億元，總建筑面積8萬平方米，第一期實現年產84萬片的晶圓薄化與金屬化生產能力，第二期實現年產168萬片的晶圓薄化與金屬化生產能力以及100萬片的芯片封裝測試生產能力（已完成項目備案，正在進行規劃選址）

 

深德彩科技華 東總部生產基地項目：總投資10億元，建筑面積約5.2萬平方米，購置關鍵設備500 臺，新建封裝DCOB的Mini、MicroLED生產線10條，年產LED顯示屏3.6萬平方米（加快辦理用地手續）

 

AMOLED柔性顯示觸控模組與5G智能終端研發制造基地：總投資135億元，總建筑面積41.7萬平方米，利用現有的10萬平方米廠房，同步新建觸控顯示模組（包括柔性AMOLED顯示模組產品）以及傳感器和5G天線等產品生產基地，形成月產45.5KK模組及其關鍵配套部件的生產能力（一期試生產； 二期基礎施工中）

 

12英寸硅基OLED微顯示模組項目及配套集成電路芯片制造項目：總投資100億元，總建筑面積13.8萬平方米，主要建設集成電路芯片及微顯示屏生產廠房、模組廠房、綜合樓、研發樓等，建設集成電路設計（ICD）、集成設計制造（IDM）、MircoOLED微顯示屏及顯示模組制造全產業鏈，建設三條配套齊全的12英寸（65nm集成電路）硅基OLED微顯示器生產線（項目已簽約）

 

安徽微芯SiC單晶襯底研發及產業化項目：總投資13.5億元，建筑面積3.2萬平米，新建廠房包括碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間等，購置主要研發設備、檢測設備和其他輔助設備共576臺（套），年產碳化硅晶圓片4英寸 (直徑100mm)3萬片、6英寸(直徑150mm)12萬片（公司注冊、項目備案完成，規劃選址通過）

 

年產50億只集成電路及8億顆功率器件及模組項目：總投資5.12億元，一期租賃廠房1.6萬平方米，購置生產線，二期建設標準化廠房4.5萬平方米，年產50 億只集成電路及8億顆功率器件及模組（一期租賃廠房投產）

 

年產2000萬件電子元器件配件項目：總投資1.05億元，總建筑面積1.3萬平方米，購置注塑機、超聲波焊接機、自動裁線機、端子機等相關先進生產設備51臺(套），形成年產2000萬件電子元器件及配件的生產能力。

 

年產100億只高可靠性集成電路芯片先進封裝測試產業化項目：總投資5億元，總建筑面積2.62萬平方米，購置晶圓粘片機、金線鍵合機等設備，形成年產100億只高可靠性集成電路芯片的生產能力。目前華宇封測產業園1#廠房已完成封頂，已進入第二次裝修階段。

 

高端功率半導體芯片研發制造項目：總投資2.23億元，購買廠房，購置擴散爐、自動刻蝕機、自動涂布機等研發制造設備約600臺套，建設兩條全自動化生產線，年產360萬片5英寸高端功率半導體芯片。

 

泓冠光電LED半導體元器件生產項目：總投資5.1億元，建設廠房及辦公樓建筑面積1.8萬平方米，購置固晶設備、焊線機、壓膜機等生產設備。