國星光電SiC功率器件小而輕便，反向恢復快、抗浪涌能力強、雪崩耐壓高，擁有優越的性能與極高的工作效率。目前該領域已形成了2條SiC功率器件拳頭產品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有4種封裝結構（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域。
 

 

●GaN-DFN器件

 

國星光電的GaN-DFN器件具有更高的臨界電場、出色導通電阻、更低的電容等優勢，使其尤適用于功率半導體器件，降低節能和系統總成本的同時，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統效率，可極大地提升充電器、開關電源等應用的充電效率，廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等。
 

●功率模塊

 

國星光電第三代半導體功率模塊，采用自主創新的架構及雙面高效散熱設計，具有優越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢，其功率密度大，產品體型小，可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域，滿足系統開發人員對空間的嚴格要求。模塊產品可根據特殊功能需求進行模塊化定制開發。

 

據悉佛山市國星光電股份有限公司是廣東廣晟旗下專業從事研發、生產、銷售LED及LED應用產品的國家高新技術企業，國星光電建于1969年，1976年開始涉足LED封裝，是國內最早生產LED的企業之一，國內第一家以LED為主業首發上市的企業，國內率先實現LED全產業鏈整合的企業，也是國內最大的LED生產制造企業之一，也是全球LED封裝行業龍頭企業之一。近年，公司位列全球LED封裝企業營收TOP8（IHS Markit）。