4月24日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子2020年開(kāi)始在韓國(guó)平澤市建設(shè)的P3晶圓廠，將在下月開(kāi)始設(shè)備的安裝，計(jì)劃在今年下半年建成。
三星平澤P3晶圓廠下月開(kāi)始設(shè)備的安裝，是韓國(guó)媒體率先援引消息人士的透露報(bào)道的，設(shè)備的進(jìn)入及安裝將持續(xù)到7月份，較最初計(jì)劃的時(shí)間將提前1個(gè)月。
三星電子在平澤建設(shè)的P3工廠，占地70萬(wàn)平方米，將成為全球園區(qū)最大的晶圓廠，是三星電子P2工廠的1.7倍。當(dāng)然，工廠的投資也會(huì)相當(dāng)龐大，他們計(jì)劃未來(lái)幾年最少投資30萬(wàn)億韓元，最多則投資50萬(wàn)億韓元，也就是至少投資240億美元，最高投資400億美元。
從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星電子平澤P3晶圓廠，規(guī)劃的是一座既生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠，率先投產(chǎn)的是NAND閃存，隨后是DRAM，隨后是采用3nm工藝為其他廠商代工晶圓的生產(chǎn)線。
三星電子平澤P3晶圓廠率先開(kāi)始生產(chǎn)NAND閃存，也就意味著工廠設(shè)備的安裝，將從NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)始，外媒在報(bào)道中是表示在5月份的第一個(gè)周就將開(kāi)始安裝。
值得注意的是，三星電子的這一座工廠，將大量采用極紫外光刻機(jī)。外媒在報(bào)道中就提到，這一工廠的NAND閃存生產(chǎn)線，將采用極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)第7代176層V-NAND閃存，為其他廠商代工晶圓的3nm工藝，也需要極紫外光刻機(jī)。
