三星平澤P3晶圓廠下月開始設備的安裝，是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的，設備的進入及安裝將持續到7月份，較最初計劃的時間將提前1個月。

 

三星電子在平澤建設的P3工廠，占地70萬平方米，將成為全球園區最大的晶圓廠，是三星電子P2工廠的1.7倍。當然，工廠的投資也會相當龐大，他們計劃未來幾年最少投資30萬億韓元，最多則投資50萬億韓元，也就是至少投資240億美元，最高投資400億美元。

 

從外媒的報道來看，三星電子平澤P3晶圓廠，規劃的是一座既生產存儲芯片，又生產邏輯芯片的工廠，率先投產的是NAND閃存，隨后是DRAM，隨后是采用3nm工藝為其他廠商代工晶圓的生產線。

 

三星電子平澤P3晶圓廠率先開始生產NAND閃存，也就意味著工廠設備的安裝，將從NAND閃存生產設備開始，外媒在報道中是表示在5月份的第一個周就將開始安裝。

 

值得注意的是，三星電子的這一座工廠，將大量采用極紫外光刻機。外媒在報道中就提到，這一工廠的NAND閃存生產線，將采用極紫外光刻機生產第7代176層V-NAND閃存，為其他廠商代工晶圓的3nm工藝，也需要極紫外光刻機。