半導體照明網獲悉：6月25日，國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱“國創中心”）發展戰略研討會暨第一屆技術專家委員會成功召開。中國科學院院士、國家第三代半導體技術創新中心主任郝躍，中國科學院院士江風益，中國工程院院士歐陽曉平，中國科學院院士楊德仁等數十名國內第三代半導體領域頂尖技術和產業專家出席會議。華燦光電與國創中心共建的微顯示LED技術聯合研發中心在會議上授牌，首席技術官王江波博士入選第一屆技術專家委員。
（左三：華燦光電與國創中心共建微顯示LED技術聯合研發中心）
圍繞產業鏈需求，面向關鍵技術攻關方向，會上新啟動共建了8家聯合研發中心，包括微顯示LED技術聯合研發中心、氮化鎵同質外延技術聯合研發中心、氮化鎵功率微波技術聯合研發中心、微顯示巨集成技術聯合研發中心、硅基氮化鎵材料聯合研發中心、寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術聯合研發中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術聯合研發中心。
（左三：華燦光電與國創中心共建微顯示LED技術聯合研發中心）
同時，國創中心第一屆技術專家委員會正式成立，由來自第三代半導體領域學術界、產業界的六十余位頂尖專家組成。
（右四：華燦光電首席技術官王江波博士入選第一屆技術專家委員）
華燦光電自成立以來堅持自主研發和技術創新，目前公司已成立珠海華發華燦先進半導體研究院、浙江省第三代半導體重點實驗室、博士后工作站、企業研究院等研發機構。此次與國創中心共建微顯示LED技術聯合研發中心，將充分發揮華燦光電在第三代半導體技術領域多年的技術積累與創新優勢，依托國創中心國家級戰略科技力量和創新平臺，構建研發資源整合，重點聚焦第三代半導體材料與器件領域新技術的突破，加速公司技術創新發展。
來源：華燦光電
來源：華燦光電
