近日，由山西省科學技術廳推薦、山西中科潞安紫外光電科技有限公司牽頭的國家“十四五”重點研發(fā)項目“大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關鍵技術”成功獲得立項。據(jù)悉，該項目總預算達4450萬元，其中中央財政專項資金1950萬元，項目整體分為四個課題，參與單位還包括北京中博芯半導體科技有限公司、泉州三安半導體科技有限公司、華中科技大學、中國科學院半導體研究所等9家科研院所、企業(yè)。該項目研究內(nèi)容涵蓋深紫外LED先進外延技術、芯片制造技術、封裝技術和可靠性評價，力求實現(xiàn)高性能大功率深紫外LED外延芯片量產(chǎn)，同時電光轉(zhuǎn)化效率、光功率、壽命等主要性能指標突破國際瓶頸。

項目牽頭單位中科潞安以自主創(chuàng)新技術立身，圍繞第三代半導體氮化物深紫外光電材料，開展了深紫外LED專用MOCVD設備、深紫外LED芯片制造以及應用產(chǎn)品開發(fā)，突破了一系列產(chǎn)業(yè)化關鍵技術。在山西省科技重大專項等項目的支持下在深紫外LED領域積累了雄厚的研發(fā)基礎，各項技術指標現(xiàn)已達到國際先進水平，完成了研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，成為國際上僅有的集核心裝備、核心材料、芯片制造、封裝應用于一體的垂直整合型深紫外LED高新技術企業(yè)。

本項目的成功立項，是對我省第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體研發(fā)實力的充分肯定。下一步，省科技廳將堅持面向國家重大需求，聚焦行業(yè)關鍵共性技術，集中優(yōu)勢資源，著力加強跨部門、跨行業(yè)、跨區(qū)域研發(fā)布局和協(xié)同創(chuàng)新，深化科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，持續(xù)推進國家重點研發(fā)計劃項目各項工作。

（來源：山西省科學技術廳門戶網(wǎng)站）