中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩杰半導體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會

11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。

派恩杰半導體成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營車規級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國內最全碳化硅功率器件產品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產品覆蓋各個電壓等級與載流能力，均通過AEC-Q101測試認證，可以滿足客戶的各種應用場景，提供穩定可靠的車規級碳化硅功率器件產品。

派恩杰半導體擁有深厚的技術底蘊和全面的產業鏈優勢，創始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發，師承IGBT發明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續穩定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

【展品介紹】

1、HPD模塊及評估板

PAAC12400CM是派恩杰半導體針對電動汽車電驅系統推出的一款1200V，400A，HPD封裝的三相全橋碳化硅功率模塊。相比于傳統的IGBT功率模塊，該產品的開關損耗和導通損耗大幅度降低，可以顯著提高電驅系統的輕載效率，大幅提高電動汽車的續航里程。同時，該產品采用PinFin基板，具有超強的散熱性能，可以極大地簡化電驅系統的機械設計。派恩杰HPD模塊是專門為800V電機驅動系統開發，滿足車規級要求。

派恩杰設計專用模塊測試評估板可以對模塊進行動態參數設計，通過外部控制信號對模塊進行雙脈沖測試，測試評估板是針對HPD封裝設計的，驅動能力高達±30A，該評估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨立的驅動電源和驅動芯片可以輕松驅動PAAC12400CM。

2、Easy1B模塊

PAIA1250AM是派恩杰半導體針對中等功率電力電子裝置應用推出的一款1200V、13mOhm、Easy1B封裝的碳化硅功率模塊。該產品采用絕緣陶瓷DBC基板，既可以保證絕緣，也具有良好的散熱能力

3、62mm模塊

PAA12400BM3是派恩杰半導體推出的一款1200V、5.6mΩ、62mm模塊封裝的半橋結構碳化硅功率模塊。

4、碳化硅器件

SiC MOSFET的出現和廣泛應用為功率半導體產業和電力電子產業帶來了一場影響深遠的技術革命。SiC MOSFET在導通電阻，開關損耗，高溫運行和導熱性上的優異特性極大地提升了電力電子系統的轉換效率和功率密度，并使得系統的整體成本降低。因此，在汽車應用，工業應用，通信電源和數據中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統的硅基功率器件。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V多個電壓平臺均有量產的分立器件產品，且在不同載流能力和封裝形式上，產品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。

SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復電荷遠小于硅二極管同類產品，并且 SiC SBD可以運行在更高的結溫下。因此，SiC SBD在開關電源中能夠明顯地減少反向恢復損耗和開關噪聲，提高開關電源的轉換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優異的特性可以顯著降低電力電子系統的整體成本。

5、碳化硅晶圓

AUTO TECH2023中國國際汽車技術展覽會將于2023年11月1-3日再次登陸廣州保利世貿博覽館，本次展會主要涵蓋：汽車電子、智能座艙、智能網聯、自動駕駛、材料開發、EV/HV（功率半導體）、測試測量、零部件加工、模具等多個汽車工業的重要領域；作為華南重要的汽車科技創新展示平臺，歡迎各位汽車工程師們蒞臨展會參觀指導！

AUTO TECH 2023 展商預訂已全面開啟，展位和廣告席位在售。參展咨詢：李經理132 6539 6437（同微信）/參觀咨詢：楊女士131 7886 7606（微信號：wxy_lisa）