近日，友達(dá)光電董事長(zhǎng)彭雙浪在股東常會(huì)中明確表示，當(dāng)前友達(dá)在Micro LED降本方面發(fā)力，預(yù)期在5年后，Micro LED的成本將能夠達(dá)到與OLED面板相同。自2023年以來(lái)，LED行業(yè)掀起去庫(kù)存風(fēng)潮并逐漸完成，使得當(dāng)前LED供應(yīng)鏈呈現(xiàn)相對(duì)健康的狀態(tài)，市場(chǎng)對(duì)LED的需求也呈現(xiàn)回升態(tài)勢(shì)，Micro LED成本也進(jìn)一步降低。

當(dāng)前LED顯示技術(shù)正在逐漸向微小間距、高清化的趨勢(shì)不斷發(fā)展。但目前Micro LED的缺陷仍然相對(duì)較為明顯：成本高、技術(shù)難度大。成本高的原因不在于其芯片本身，而是當(dāng)前Micro LED的制備良率過(guò)低、工藝相對(duì)較為復(fù)雜，導(dǎo)致其整體成本較高。而技術(shù)難度大亦是造成當(dāng)前Micro LED成本較高的原因。由此，每個(gè)Micro LED企業(yè)目前均面臨著降低制造成本、提升制備良率的難題。

Micro LED使用微型LED作為像素點(diǎn)，能夠提供比傳統(tǒng)LCD和OLED更加優(yōu)異的顯示性能。然而，由于其制造過(guò)程復(fù)雜、技術(shù)難度大、成本較高等原因，目前主要應(yīng)用于對(duì)價(jià)格、成本敏感度較低的商業(yè)顯示領(lǐng)域，在消費(fèi)領(lǐng)域中的普及度并不高。相對(duì)的是OLED技術(shù)目前已經(jīng)相對(duì)成熟，并且成本相對(duì)較低，這就使得OLED目前在商業(yè)化應(yīng)用領(lǐng)域比Micro LED更為廣泛。但在未來(lái)5年的發(fā)展中，Micro LED的成本能否降低到與OLED保持一致甚至更低，需要從以下角度進(jìn)行分析：

Micro LED與OLED的現(xiàn)狀

當(dāng)前，Micro LED和OLED在成本方面存在顯著的差異。OLED以其卓越的顯示性能和較為經(jīng)濟(jì)的成本，在電視和智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。而Micro LED技術(shù)由于在生產(chǎn)過(guò)程中面臨較高的難度和高成本等問(wèn)題，尚未在商業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模的普及。具體而言，Micro LED的生產(chǎn)成本主要包括芯片制備、巨量轉(zhuǎn)移、封裝和測(cè)試等步驟，尤其是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，它是影響成本降低的主要瓶頸，也是目前Micro LED降本的關(guān)鍵。

Micro LED成本降低的技術(shù)路徑

1. 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的突破

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是Micro LED制造過(guò)程中的核心技術(shù)，也是降低成本的關(guān)鍵。很多企業(yè)都在發(fā)展Mini LED，就是因?yàn)榫蘖哭D(zhuǎn)移技術(shù)限制了Micro LED的發(fā)展，從技術(shù)迭代角度來(lái)看，Mini LED類(lèi)似一種過(guò)渡，Mini LED優(yōu)于OLED ，而Micro LED優(yōu)于Mini LED。

近年來(lái)，隨著激光轉(zhuǎn)移、印章轉(zhuǎn)移等技術(shù)的不斷發(fā)展，巨量轉(zhuǎn)移的效率得到了顯著提升，成本也相應(yīng)降低。未來(lái)五年，隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟和優(yōu)化，巨量轉(zhuǎn)移的成本有望進(jìn)一步降低，從而推動(dòng)Micro LED整體成本的下降。

2. 新型封裝技術(shù)的應(yīng)用

封裝技術(shù)對(duì)于Micro LED的性能和成本同樣具有重要影響。傳統(tǒng)的封裝技術(shù)存在成本高、效率低等問(wèn)題，而新型封裝技術(shù)如柔性封裝、3D封裝等則具有更好的性能和更低的成本。

Micro LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，MiP與COB是兩種主要的封裝技術(shù)路線(xiàn)。目前，COB與MiP兩種技術(shù)路線(xiàn)的發(fā)展，取決于誰(shuí)能夠更好地實(shí)現(xiàn)降本提質(zhì)。COB技術(shù)在短期內(nèi)和長(zhǎng)期內(nèi)發(fā)展均具備較大優(yōu)勢(shì)，COB產(chǎn)品將會(huì)不斷擴(kuò)容產(chǎn)品性能和拓寬應(yīng)用領(lǐng)域，在未來(lái)的顯示市場(chǎng)占據(jù)較大市場(chǎng)份額。然而，MiP技術(shù)也具有相當(dāng)?shù)臐摿Γ貏e是在小間距和微間距上取代IMD和SMD，更適合傳統(tǒng)產(chǎn)品線(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)轉(zhuǎn)型。COB和MiP并非對(duì)立關(guān)系，而是相輔相成的兩種技術(shù)。未來(lái)的技術(shù)走向應(yīng)該根據(jù)客戶(hù)需求和實(shí)際效果來(lái)決定，完全是市場(chǎng)的選擇。兩種技術(shù)都有望在Micro LED領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，具體哪種技術(shù)將成為主流，可能還需要時(shí)間來(lái)驗(yàn)證。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化，COB和MiP都有機(jī)會(huì)成為Micro LED領(lǐng)域的主流技術(shù)路線(xiàn)。

可以確定的是，未來(lái)五年，隨著新型封裝技術(shù)的不斷應(yīng)用和優(yōu)化，Micro LED的封裝成本有望進(jìn)一步降低。

3. 良率提升與工藝優(yōu)化

在Micro LED制造過(guò)程中，良率的提升和工藝的優(yōu)化同樣對(duì)于降低成本具有重要意義。通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)流程、提高設(shè)備精度、加強(qiáng)質(zhì)量控制等措施，可以有效提高M(jìn)icro LED的良率，降低廢品率，從而降低生產(chǎn)成本。

市場(chǎng)因素推動(dòng)Micro LED成本下降

1. 產(chǎn)業(yè)鏈整合與規(guī)模效應(yīng)

隨著Micro LED技術(shù)的持續(xù)提升，越來(lái)越多的企業(yè)投身于這一新興市場(chǎng)，逐步構(gòu)建起完善的產(chǎn)業(yè)鏈。通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈的整合和規(guī)模經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)，有望降低原材料成本、提升生產(chǎn)效率、減少運(yùn)營(yíng)開(kāi)支等，這些因素共同作用，將有助于推動(dòng)Micro LED成本的逐步降低。

2. 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與價(jià)格壓力

隨著Micro LED技術(shù)的不斷成熟和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日益激烈，企業(yè)將面臨越來(lái)越大的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力。為了在市場(chǎng)中占據(jù)更有利的地位并實(shí)現(xiàn)更高的盈利，企業(yè)必須持續(xù)提升產(chǎn)品品質(zhì)、削減成本、優(yōu)化定價(jià)策略。這將激勵(lì)企業(yè)增加研發(fā)投入、提高生產(chǎn)效率、減少制造成本，進(jìn)而促進(jìn)Micro LED成本的降低。

Micro LED成本5年后能否與OLED相同的預(yù)測(cè)

從技術(shù)發(fā)展的角度來(lái)看，隨著巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)取得關(guān)鍵進(jìn)展、新型封裝技術(shù)得到應(yīng)用、以及生產(chǎn)良率和工藝流程的不斷優(yōu)化，Micro LED的生產(chǎn)成本預(yù)期將顯著降低。特別是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的進(jìn)步，預(yù)計(jì)將極大地減少M(fèi)icro LED的制造成本，使其成本逐漸與OLED相競(jìng)爭(zhēng)，甚至可能實(shí)現(xiàn)超越。

從市場(chǎng)角度來(lái)看，隨著產(chǎn)業(yè)鏈的整合和規(guī)模經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)，以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，Micro LED面臨價(jià)格壓力的不斷增加。這將激勵(lì)企業(yè)加大研發(fā)力度、提升生產(chǎn)效率、降低制造成本，進(jìn)一步推動(dòng)成本下降。同時(shí)，隨著Micro LED技術(shù)的成熟和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)也將為成本降低提供新的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。

盡管如此，Micro LED要想在成本上與OLED相匹敵，仍然面臨一定的挑戰(zhàn)。Micro LED的成本受多種因素影響，包括原材料、設(shè)備和人工成本等，這些因素的任何波動(dòng)都可能對(duì)成本產(chǎn)生影響。同時(shí)，OLED技術(shù)也在不斷進(jìn)步，其成本同樣在降低。因此，Micro LED要在成本競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)，就必須持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和成本優(yōu)化。

目前Micro LED商業(yè)化可見(jiàn)的技術(shù)難點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)宏觀(guān)角度來(lái)看，目前Micro LED進(jìn)入大規(guī)模商業(yè)化正面臨著精度、良率、效率和成本等一系列挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)高性能的Micro LED顯示，需要達(dá)到前所未有的制造精度，這使得傳統(tǒng)的制造技術(shù)變得不再適用。隨著新技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝的迭代升級(jí)成為必然，但這也帶來(lái)了良率和效率方面的問(wèn)題，進(jìn)一步增加了生產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)的成本，從而制約了Micro LED技術(shù)的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。具體而言，目前最關(guān)鍵的三大技術(shù)難題包括巨量轉(zhuǎn)移、TFT背板制造以及驅(qū)動(dòng)技術(shù)。這些問(wèn)題能否得到解決將直接影響到Micro LED技術(shù)的商業(yè)化和市場(chǎng)普及。

難點(diǎn)1：巨量轉(zhuǎn)移

巨量轉(zhuǎn)移是指將生長(zhǎng)在外延基板上的Micro LED芯片高速精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上的一種技術(shù)，它是制約Micro LED量產(chǎn)的關(guān)鍵。因此，誰(shuí)能率先掌握這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，誰(shuí)就有機(jī)會(huì)快速搶占未來(lái)顯示市場(chǎng)。

以一塊4K分辨率的Micro LED顯示面板為例，上面有約830萬(wàn)個(gè)像素點(diǎn)，每個(gè)像素點(diǎn)由三顆分別代表紅、綠、藍(lán)（RGB）三種顏色的LED芯片組成，這意味著一塊4K顯示面板上要有近2,500萬(wàn)顆 Micro LED芯片，這要求LED芯片轉(zhuǎn)移設(shè)備必須同時(shí)達(dá)到高效率和高良率的標(biāo)準(zhǔn)，才能滿(mǎn)足量產(chǎn)的需求。

目前較為主流的巨量轉(zhuǎn)移方式為印章轉(zhuǎn)移技術(shù)、激光轉(zhuǎn)移技術(shù)，或者是這兩種技術(shù)的結(jié)合使用。

難點(diǎn)2：TFT背板制造

從Micro LED的核心集成工藝及巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)角度看，采用平板顯示技術(shù)的TFT背板，不僅較傳統(tǒng)PCB電路板具備表面平整度上的優(yōu)勢(shì)，且能更好承接巨量轉(zhuǎn)移工藝；但該技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用和生產(chǎn)過(guò)程中仍然面臨諸多挑戰(zhàn)和問(wèn)題。

首先在制造成本上，制造TFT背板需要高精度的設(shè)備和工藝，這些設(shè)備通常包括但不限于光刻機(jī)、化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)、物理氣相沉積（PVD）系統(tǒng)、蝕刻機(jī)以及清洗和檢測(cè)設(shè)備。這些先進(jìn)的設(shè)備需要高昂的購(gòu)置和維護(hù)費(fèi)用，一定程度上導(dǎo)致初期投資和生產(chǎn)成本較高。

其次是技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用，當(dāng)TFT背板用于拼接成大型顯示屏?xí)r，面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)尤為顯著。尤其是側(cè)壁走線(xiàn)技術(shù)和厚銅連接技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，這些是確保大屏顯示性能和可靠性的關(guān)鍵。在設(shè)計(jì)階段和制造過(guò)程中，工程師必須巧妙地安排TFT背板上的電路布局和連接方式，同時(shí)還要確保玻璃基板的整體平整性和穩(wěn)定性不受影響。為了達(dá)到這一目標(biāo)，涉及一系列精密的工程技術(shù)和材料科學(xué)知識(shí)。例如，側(cè)壁走線(xiàn)技術(shù)要求電路線(xiàn)路能夠在基板邊緣順利轉(zhuǎn)折，同時(shí)保持信號(hào)的完整性和低電阻。而厚銅技術(shù)則涉及到在基板上沉積較厚的銅層以提供更好的電導(dǎo)性和熱管理，但這又可能會(huì)對(duì)基板的平整性造成影響。這些技術(shù)難題對(duì)生產(chǎn)良率和成本控制都提出了更高的要求。

難點(diǎn)3：驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

由于LED芯片的發(fā)光特性與LCD和OLED不同，并不能直接采用現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)Micro LED顯示。受限于目前小尺寸LED芯片的發(fā)光特性，模擬驅(qū)動(dòng)方式會(huì)帶來(lái)灰階無(wú)法展開(kāi)和功耗太高的問(wèn)題。與之相比，數(shù)字驅(qū)動(dòng)可以使用固定的大驅(qū)動(dòng)電流，通過(guò)不同的顯示時(shí)長(zhǎng)來(lái)調(diào)節(jié)顯示亮度的驅(qū)動(dòng)方式，將二者結(jié)合才能開(kāi)發(fā)出適合于Micro LED顯示的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)。

另外，Micro LED顯示中的驅(qū)動(dòng)電路需要通過(guò)占空比來(lái)調(diào)整亮度和色階。在低灰階下，驅(qū)動(dòng)電流非常小，可能導(dǎo)致亮度和色度不穩(wěn)定的問(wèn)題。所以需要優(yōu)化Micro LED的設(shè)計(jì)以提高小電流驅(qū)動(dòng)精度和低灰階下的顯示一致性。

未來(lái)，Micro LED大屏若要實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化，加速滲透商用及消費(fèi)電子市場(chǎng)，上述問(wèn)題亟待解決。

來(lái)源：新手入門(mén)測(cè)試