全球領先的先進半導體工藝解決方案與技術提供商EV 集團（EVG）9月8日發(fā)布EVG®40 D2W——業(yè)界首款專用于晶粒對晶圓（Die-to-Wafer, D2W）套刻精度計量的測量平臺。該系統(tǒng)可在300毫米晶圓上實現(xiàn)每顆芯片的100%套刻精度測量，同時具備量產(chǎn)所需的高精度與高吞吐性能。相比面向混合鍵合計量設計的行業(yè)基準機型EVG®40 NT2，EVG40 D2W吞吐量提升高達15倍，助力芯片制造商快速驗證晶粒放置精度、實時實施工藝糾正，從而提升工藝控制水平與大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）良率。

EVG40 D2W適用于所有D2W鍵合應用場景，包括芯粒集成、高帶寬內(nèi)存（HBM）堆疊及三維系統(tǒng)級芯片（3D SoC）集成等先進工藝，為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、數(shù)據(jù)中心等高需求應用提供支持。目前，多套EVG40 D2W系統(tǒng)已在客戶產(chǎn)線完成安裝并投入大規(guī)模量產(chǎn)服務。

EVG®40 D2W系統(tǒng)是首款專用于芯片到晶圓（D2W）套刻精度檢測的平臺，能夠在300毫米晶圓上實現(xiàn)100%芯片套刻精度測量，并具備生產(chǎn)環(huán)境所需的高精度與高速性能。（來源：EV Group）

D2W鍵合技術推動高性能器件發(fā)展

D2W鍵合技術可將不同尺寸、材料和功能的晶粒或芯粒集成于單一器件或封裝中，是實現(xiàn)AI、自動駕駛等高算力低功耗應用的關鍵路徑。隨著3D封裝互連間距持續(xù)微縮，鍵合對準與套刻精度工藝不僅需追求更高精度，還必須實現(xiàn)更高覆蓋率的測量，以識別可能導致銅焊盤或鍵合界面錯位導致的良率損失的套刻精度偏差。

傳統(tǒng)套刻精度量測方法難以匹配D2W鍵合需求

當前D2W套刻精度計量系統(tǒng)大多沿用晶圓對晶圓（W2W）鍵合中采用的“移動-采集-測量”技術，雖精度達標，卻無法滿足D2W所需吞吐量。為提升運行速度，這類系統(tǒng)往往減少采樣點，導致對準信息不充分，影響工藝校正的準確性。此外，集成于拾取與放置D2W鍵合系統(tǒng)中的計量模塊靈活度有限，也難以滿足前沿應用的精度要求。

EVG40 D2W：專為D2W套刻精度量測方案打造的系統(tǒng)

EVG40 D2W通過多項硬件與軟件創(chuàng)新，在不犧牲吞吐量的前提下，實現(xiàn)300毫米晶圓所有芯片的100%套刻精度測量：

提升吞吐量：單次掃描即可同步完成晶粒與基底晶圓對準標志的雙層測量

高速精準定位：全新平臺設計確保影像采集與載臺移動同步

穩(wěn)定精度表現(xiàn)：優(yōu)化光源系統(tǒng)，提供穩(wěn)定照明，確保測量穩(wěn)定性

高質(zhì)量成像：大焦深補償技術保障對準標志在不同焦平面仍具備高信噪比

EV 集團在混合鍵合套刻精度控制方面實現(xiàn)重大突破

EV 集團執(zhí)行技術總監(jiān)Paul Lindner表示：“作為混合鍵合領域的技術領導者和解決方案提供商，EVG始終致力于推動新產(chǎn)品與新技術的研發(fā)，不斷突破性能極限，以解決客戶最復雜的集成挑戰(zhàn)。晶圓對晶圓鍵合工藝因集成多種芯片類型、制程節(jié)點和材料而尤為復雜，要在量產(chǎn)環(huán)境中實現(xiàn)全面量測并優(yōu)化工藝，同時不損失吞吐量，是一項巨大挑戰(zhàn)。我們很高興推出全新專用量測設備EVG40 D2W，該設備專門為D2W測量量身打造，具備同類產(chǎn)品中最高的吞吐性能。我們期待與客戶和合作伙伴緊密協(xié)作，借助這一全新的D2W鍵合解決方案優(yōu)化混合鍵合工藝，共同推動其新一代產(chǎn)品的成功。”

EVG40 D2W主要特性與優(yōu)勢

四分鐘內(nèi)可完成高達2800個套刻精度測量點，提供全芯片定位反饋，吞吐性能無影響

測量精度滿足前沿D2W鍵合應用要求

采用先進建模計算每顆晶粒的位置、形變、旋轉(zhuǎn)及偏移量

實時反饋測量數(shù)據(jù)至晶圓廠主機系統(tǒng)，優(yōu)化后續(xù)批次的D2W套刻精度與鍵合工藝

兼容第三方D2W鍵合設備，確保高質(zhì)量工藝控制

與EVG旗下D2W鍵合工具組合（如EVG320 D2W表面激活與清洗系統(tǒng)）協(xié)同使用

 （來源：EV集團）