2013年5月14日下午，在由國家半導體照明工程研發及產業聯盟與英國勵展博覽集團共同主辦的“2013上海國際新光源&新能源照明論壇”之 “新光源&新能源照明的應用”分會上，來自晶能光電有限公司孫錢博士做了題為《硅襯底上氮化鎵基垂直結構大功率LED的研發及產業化》的報告，他從高質量、無裂紋的硅襯底氮化鎵LED外延技術高效、散熱好的垂直結構LED芯片技術；45 mil的硅襯底LED芯片在350mA下達到142lm/W；硅襯底LED的LM80可靠性測試；熒光粉直涂工藝技術提高封裝效率；6英寸大尺寸硅襯底氮化鎵基垂直結構LED的低成本優勢、及研發結果等幾個方面，介紹了硅襯底上氮化鎵基垂直結構大功率LED解決方案，以及一些關鍵器件性能和特點。
晶能光電有限公司孫錢博士
孫博士指出現在業界做LED采用硅襯底是因為硅作襯底與藍寶石作襯底相比具有襯底材料便宜、硅襯底的散熱系數較大、有大尺寸8-12寸的硅襯底、我國自主知識產權、襯底剝離容易、可利用IC行業折舊的設備工藝線等優勢。但硅作襯底也有難點：1、大晶格失配17%：很高的缺陷密度，降低LED光效 ；2、熱膨脹系數的大失配54%：外延膜在降溫過程中產生裂紋，嚴重影響材料質量和器件性能 ；3、金屬鎵與硅襯底的化學反應 4、高溫外延過程中片子彎曲度大。
而在硅襯底上外延生長GaN的主要難點：1、GaN與硅之間的17%大晶格失配: 很高的缺陷密度；2、 54%的熱膨脹系數的大失配: 外延膜在降溫過程中產生裂紋；3、金屬Ga直接與硅襯底接觸時會有化學回融反應。
晶格失配會造成很大的缺陷密度，性能效率就會受到影響，晶格失配就是質量問題。難點是熱膨脹系數的上升，因為在高溫的時候，外延生長的時候，降溫從1000多度降到10的過程中，收縮比較快，但氮化鎵就返過來了，硅不讓它收縮，相當于把襯底向外很大的張拉力，拉扯會像一個碗一樣，最后會產生裂紋。對于這個問題，孫博士介紹利用在硅，積累一個壓應力把它塞進去，抵消降溫產生的張應力，就會變成平的。
而對于硅跟藍寶石的差別，孫博士指出藍寶石優點是五面儲光，硅不會進入襯底，光只是單面儲光，硅是一個冷波峰波，冷波峰就是光每個角度看的時候它是一個很均勻的分布，所以優點就是很均勻，很適合聚光，二次光很容易配。另外硅的導熱系統比較好，PE型進一步降低它的散熱成本，也利于做熒光粉直涂工藝。
最后孫博士認為，藍寶石2寸，肯定往自動化、大尺寸、大規模走，國內目前三安做得很好，現在東芝進入了，三星也在做。而對于硅襯底，克服硅襯底技術的難題，設備產生裂紋的問題，6英寸研發進展還需加快。
