比利時納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進行項目合作，旨在降低生產硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。
IMEC的首席科學家Barun Dutta評論說，“Veeco MOCVD設備的生產力，可重復性，均勻性和晶體質量為我們在硅基氮化鎵和LED應用的發展里程碑上起到了重要作用。啟用該設備性能外延已經幫助我們實現最先進的D-模式(耗盡模式)和E-模式(增強模式)功率器件。我們的目標是建立一個完整的生產基礎設施，使硅基氮化鎵成為具備競爭力的技術。”
IMEC的多元伙伴硅基氮化鎵的研究和發展計劃，積聚業界共同開發世界級的氮化鎵LED及兼容200nm的CMOS基礎設施的200nm硅襯底功率器件。通過與IMEC聯手，公司共享成本、人才和知識產權，以開發先進技術，將它們更快地推向市場。
Veeco高級副總裁兼總經理，Jim Jenson，評論說，“2011年以來，我們一直就這個項目與IMEC合作，并受到自身進步的鼓勵。我們的合作是互惠互利的，因為我們都專注于能夠實現更低的成本，同時保持硅基氮化鎵器件的一流性能。這種技術可以用于實現較低的成本，使固態照明，更高效的電源設備適用于多種應用，如電源及適配器，光伏逆變器的太陽能電池板，和用于電動車的功率轉換。
