韓國(guó)與埃及研究人員采用晶圓薄化(thinning)技術(shù)以提升氮化物半導(dǎo)體綠光LED的效率。參與組織包括韓國(guó)全南國(guó)立大學(xué)、埃及貝尼蘇韋夫大學(xué)以及韓國(guó)光子技術(shù)研究院。

　　薄化的功效是為了減少氮化物半導(dǎo)體架構(gòu)中的殘余壓應(yīng)力(residual compressive stress )，這種應(yīng)力在LED架構(gòu)中對(duì)降低的壓電電場(chǎng)有撞擊效應(yīng)。氮化鎵和藍(lán)寶石之間不同的熱膨脹系數(shù)制成的應(yīng)力器件，在外延生長(zhǎng)工藝?yán)鋮s后會(huì)造成壓應(yīng)力的產(chǎn)生。

　　這種電場(chǎng)效應(yīng)將降低電子和空穴復(fù)合以產(chǎn)生光子的可能性。這種問(wèn)題在高銦成分(超過(guò)20%)的氮化銦鎵(InGaN)合金中更為嚴(yán)重，而這種合金又是綠光LED所需的。目前藍(lán)光InGaN LED的效率為50%，而較高銦含量的綠光LED的效率通常低于10%。

　　這種LED架構(gòu)(如圖1)采用MOCVD在2英寸的C面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的。該襯底厚度為430μm，并采用傳統(tǒng)工藝整合到240μm x 600μm的LED芯片中。

圖1: LED外延架構(gòu)

　　這種襯底薄化技術(shù)通過(guò)采用研磨和軟質(zhì)拋光實(shí)現(xiàn)的。這些工藝被用于最小化薄化過(guò)程中的損壞。在薄化后，芯片切割成單個(gè)，n型GaN接觸層的晶圓翹曲與殘余應(yīng)力測(cè)量顯示，當(dāng)晶圓薄化至200μm和80μm之間時(shí)，翹曲增加，應(yīng)力減少。

　　20mA注入電流的電致發(fā)光光譜顯示，隨著襯底變薄其電流密度在增加。同時(shí)， 200μm和80μm厚度襯底的峰值位置分別從520.1nm (2.38eV)漂移至515.7nm (2.40eV)。研究人員解釋道：“這些發(fā)現(xiàn)清晰地表明了晶圓翹曲所帶來(lái)的機(jī)械應(yīng)力會(huì)改變InGaN/GaN MQW有源區(qū)的壓電電場(chǎng)，并可修正能帶值。但，藍(lán)光峰值波長(zhǎng)和能量的漂移要?dú)w因于帶隙的提升，帶隙的提升是因?yàn)?InGaN/GaN MQW的壓電電場(chǎng)減少?！?/p>

　　襯底薄化也提升了內(nèi)量子效率(IQE)和光輸出功率，但不會(huì)降低電流與電壓行為。20mA時(shí)，襯底厚度從200μm到80μm，光輸出功率從7.8mW 增至11.5mW。這再一次證明可以降低壓電電場(chǎng)提升性能。20mA情況下，不同襯底厚度 (200μm, 170μm, 140μm, 110μm, 80μm)的前向電壓幾乎恒定在3.4V。

　　通用的襯底厚度情況下，其峰值外量子效率(EQE)從16.3%增加到24%。研究人員將他們的綠光LED的EQE性能與目前最好的半極自支撐GaN襯底數(shù)據(jù)相比較：20.4%在(20-21)方向，18.9%在(11-22)方向。采用半極襯底是 另一種降低GaN LED壓電電場(chǎng)的方式。但是這種襯底非常昂貴。

　　研究人員采用了韓國(guó)EtaMax (DOSA-IQE)公司的室溫IQE測(cè)量系統(tǒng)，在至少10mA注入電流時(shí)，80μm襯底厚度的最大IQE為92% ，20mA時(shí)，隨著襯底厚度從200μm降至80μm，IQE從58.2% 提升至68.9%。

　　通過(guò)對(duì)比EQE和IQE，研究人員確定較薄襯底的光萃取效率更高。光萃取率的提升歸因于藍(lán)寶石襯底吸收的光子減少了，同時(shí)光從器件的藍(lán)寶石邊際逃逸能力提升了。

　　最后，采用相同襯底薄化技術(shù)的光電轉(zhuǎn)換效率(WPE)從11.5%提升到17.1%。