加州大學圣巴巴拉分校中村修二教授獲得了2014年諾貝爾物理學獎。中村修二教授等三人在白光LED領域取得的巨大成就給全人類帶來了福祉，其深遠影響涵蓋諸多領域，包括信息和通訊，能源和環境，以及健康和生命科學等等。
中村修二教授同時也擔任國際半導體照明聯盟(ISA)顧問委員會聯合主席。他在2013年獲得了“全球半導體照明突出貢獻獎”。該獎項由ISA組織，是全球半導體照明業界對中村修二教授在引領氮化物半導體材料生長、工藝技術和器件結構等領域的發展、生長高質量的單晶InGaN薄膜和實現首個高亮度藍光LED的商業化制造等領域取得的杰出成就的一致認可。中村修二教授發明世界首例GaN on GaN芯片的成就還于2012年獲得了ISA組織的“全球半導體照明年度新聞”獎。
除了在半導體照明科學與技術領域的杰出工作之外，中村修二教授還投入不少時間和精力致力于推動全球半導體照明產業的發展。從ISA成立伊始，他就一直支持ISA的發展并多次參加了ISA的各種活動和會議。他還擔任了ISA組織的國際評選獎項的評委工作。
中村修二教授也很支持中國半導體照明產業的發展。他先后擔任了第6、第8屆“中國國際半導體照明論壇”主持人，在第7、第10屆大會上發表了演講，擔任了第7、第9和第10屆大會主席團成員。他本人和其團隊還為中國半導體照明產業界、政府界和研發界等各領域專家提供了培訓。他此次獲得物理學的全球最高榮譽，不僅僅是對他個人成就的認可，同時也是全世界對他做出了杰出貢獻的半導體照明產業給幾十億人類帶來的巨大福祉的認可。
