由于缺乏本質襯底，InGaN材料與其藍寶石和硅襯底材料之間存在較大的熱膨脹系數和晶格常數的差異，致使生長在其上的InGaN材料產生大量的缺陷，這些缺陷將造成InGaN LED發光效率低，漏電等缺點。

2014年11月6日下午，在第十一屆中國國際半導體照明論壇(SSL CHINA 2014)材料與裝備技術分會上，來自映瑞光電科技(上海)有限公司的張宇博士作了題為改進InGaN LED器件主要在材料和器件的報告，從InGaN材料特性，器件技術和新一代InGaN LED器件的開發來講述InGaN發光二極管材料和器件的先進性。

張宇表示，InGaN發光二極管器件方面，由于p型GaN摻雜困難導電性差，致使InGaN發光二極管產生電流擁堵問題，為了解決電流擁堵問題，ITO，ZnO，Ni/Au等透明電極被用作電流擴展層來解決該問題，但依然不能徹底解決電流擁堵問題。

絕緣介質電流阻擋層技術被提出來進一步解決電流擁堵問題。張宇表示，根據對InGaN先進材料和器件的深入理解，利用InGaN材料不同晶向生長和特性的區別解決材料缺陷對器件的影響問題，來提高器件的發光效率，利用漸變絕緣介質阻擋層技術來更好的解決InGaN發光二極管電流擁堵問題。

最后，通過利用InGaN材料缺陷提高發光效率技術和電流阻擋層技術成功開發出新一代InGaN LED 器件-倒裝和垂直結構芯片。該研究成果有效地提高了InGaN LED器件的發光效率，推動了LED器件向更高性能的發展，充分體現了InGaN發光二極管的材料和器件的先進性。