1、引言

發(fā)光二極管(LED)作為新型的綠色照明光源，具有節(jié)能、高效、低碳、體積小、反應(yīng)快、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可以為用戶提供環(huán)保、穩(wěn)定、高效和安全的全新照明體驗(yàn)，已經(jīng)逐步發(fā)展成為成熟的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)。

近年來，全球各個(gè)國家紛紛開始禁用白熾燈泡，LED將會(huì)迎來一個(gè)黃金的增長期。此外，近年來LED在電視機(jī)背光、手機(jī)、和平板電腦等方面的應(yīng)用也迎來了爆發(fā)式的增長，LED具有廣闊的應(yīng)用發(fā)展前景。

2、倒裝LED技術(shù)的發(fā)展及現(xiàn)狀

倒裝技術(shù)在LED領(lǐng)域上還是一個(gè)比較新的技術(shù)概念，但在傳統(tǒng)IC行業(yè)中已經(jīng)被廣泛應(yīng)用且比較成熟，如各種球柵陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)等技術(shù)，全部采用倒裝芯片技術(shù)，其優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)效率高、器件成本低和可靠性高。

倒裝芯片技術(shù)應(yīng)用于LED器件，主要區(qū)別于IC在于，在LED芯片制造和封裝過程中，除了要處理好穩(wěn)定可靠的電連接以外，還需要處理光的問題，包括如何讓更多的光引出來，提高出光效率，以及光空間的分布等。

針對(duì)傳統(tǒng)正裝LED存在的散熱差、透明電極電流分布不均勻、表面電極焊盤和引線擋光以及金線導(dǎo)致的可靠性問題，1998年，J.J.Wierer等人制備出了1W倒裝焊接結(jié)構(gòu)的大功率AlGaInN-LED藍(lán)光芯片，他們將金屬化凸點(diǎn)的AIGalnN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管(ESD)的硅載體上。

圖1是他們制備得到的LED芯片的圖片和截面示意圖。他們的測試結(jié)果表明，在相同的芯片面積下，倒裝LED芯片(FCLED)比正裝芯片有著更大的發(fā)光面積和非常好的電學(xué)特性，在200-1000mA的電流范圍，正向電壓(VF)相對(duì)較低，從而導(dǎo)致了更高的功率轉(zhuǎn)化效率。

圖1 倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片圖片和截面示意圖

2006年，O.B.Shchekin等人又報(bào)道了一種新的薄膜倒裝焊接的多量子阱結(jié)構(gòu)的LED(TFFC-LED)。所謂薄膜倒裝LED，就是將薄膜LED與倒裝LED的概念結(jié)合起來。

在將LED倒裝在基板上后，采用激光剝離(Laser lift-off)技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉，然后在暴露的N型GaN層上用光刻技術(shù)做表面粗化。

如圖2所示，這種薄膜結(jié)構(gòu)的LED可以有效地增加出光效率。但相對(duì)來說，這種結(jié)構(gòu)工藝比較復(fù)雜，成本會(huì)相對(duì)較高。

圖2 薄膜倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖

隨著硅基倒裝芯片在市場上銷售，逐漸發(fā)現(xiàn)這種倒裝LED芯片在與正裝芯片競爭時(shí)，其成本上處于明顯的劣勢。

由于LED發(fā)展初期，所有封裝支架和形式都是根據(jù)其正裝或垂直結(jié)構(gòu)LED芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)的，所以倒裝LED芯片不得不先倒裝在硅基板上，然后將芯片固定在傳統(tǒng)的支架上，再用金線將硅基板上的電極與支架上的電極進(jìn)行連接。

使得封裝器件內(nèi)還是有金線的存在，沒有利用上倒裝無金線封裝的優(yōu)勢;而且還增加了基板的成本，使得價(jià)格較高，完全沒有發(fā)揮出倒裝LED芯片的優(yōu)勢。

為此，最早于2007年有公司推出了陶瓷基倒裝LED封裝產(chǎn)品。這一類型的產(chǎn)品，陶瓷既作為倒裝芯片的支撐基板，也作為整體封裝支架，實(shí)現(xiàn)整封裝光源的小型化。

這一封裝形式是先將倒裝芯片焊接(Bonding)在陶瓷基板上，再進(jìn)行熒光粉的涂覆，最后用鑄模(Molding)的方法制作一次透鏡，這一方法將LED芯片和封裝工藝結(jié)合起來，降低了成本。

這種結(jié)構(gòu)完全消除了金線，同時(shí)散熱效果明顯改善，典型熱阻<10℃/W，明顯低于傳統(tǒng)的K2形式的封裝(典型10-20℃/W)。

隨著倒裝技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用和發(fā)展，2012年開始，出現(xiàn)了可直接貼裝(Direct Attach，DA)倒裝芯片;隨后幾年，各個(gè)公司都開始研發(fā)和推出這一類型的倒裝芯片。

該芯片在結(jié)構(gòu)上的變化是，將LED芯片表面的P、N兩個(gè)金屬焊盤幾何尺寸做大，同時(shí)保證兩個(gè)焊盤之間的間距足夠，這樣使得倒裝的LED芯片能夠在陶瓷基板上甚至是PCB板上直接貼片了，使40mil左右的倒裝芯片焊盤尺寸能夠到達(dá)貼片機(jī)的貼片精度要求，簡化了芯片倒裝焊接工藝，降低了整體成本。

至目前為止(2014年中)倒裝DA芯片已基本成熟，市場銷售量逐步增加，未來將會(huì)成為大功率LED芯片的主流。

在直接貼裝DA芯片基礎(chǔ)上，2013年開始發(fā)展出了白光芯片(部分公司稱為免封裝或無封裝)產(chǎn)品，如圖6所示。它是在倒裝DA芯片制造過程中同時(shí)完成了熒光粉的涂敷，應(yīng)用時(shí)可在PCB上直接進(jìn)行貼片，完全可以當(dāng)作封裝光源直接應(yīng)用。

其優(yōu)勢是LED器件體積小，芯片直接貼片可以減少散熱的界面，進(jìn)一步降低了熱阻，散熱性能進(jìn)一步提高。到目前為止，白光芯片仍然處于研發(fā)階段，市場的應(yīng)用還不成熟，需要大家共同努力，推動(dòng)白光芯片技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。

圖3 白光芯片與封裝示意圖

3、倒裝LED芯片的制作工藝

倒裝LED芯片的制作工藝流程，如圖4所示，總體上可以分為LED芯片制作和基板制造兩條線，芯片和基板制造完成后，將LED芯片倒裝焊接在基板表面上，形成倒裝LED芯片。

圖4 倒裝LED芯片工藝流程框圖

3.1 藍(lán)寶石襯底和GaN外延工藝技術(shù)

對(duì)于倒裝芯片來說，出光面在藍(lán)寶石的一側(cè)，因此在外延之前，制作圖形化的襯底(PSS)，將有利于藍(lán)光的出光，減少光在GaN和藍(lán)寶石界面的反射。因此PSS的圖形尺寸大小、形狀和深度等都對(duì)出光效率有直接的影響。在實(shí)際開發(fā)和生產(chǎn)中需要針對(duì)倒裝芯片的特點(diǎn)，對(duì)襯底圖形進(jìn)行優(yōu)化，使出光效率最高。

在GaN外延方面，由于倒裝芯片出光在藍(lán)寶石一側(cè)，其各層的吸光情況與正裝芯片有差異，因此需要對(duì)外延的緩沖層(Buffer)、N-GaN層、多層量子阱(MQW)和P型GaN層的厚度和摻雜濃度進(jìn)行調(diào)整，使之適合倒裝芯片的出光要求，提高出光效率，同時(shí)適合倒裝芯片制造工藝的歐姆接觸的需要。

3.2 倒裝LED圓片制程工藝

倒裝芯片與正裝芯片的圓片制作過程大致相同，都需要在外延層上進(jìn)行刻蝕，露出下層的N型GaN;然后在P和N極上分別制作出歐姆接觸電極，再在芯片表面制作鈍化保護(hù)層，最后制作焊接用的金屬焊盤，其制作流程如圖5所示。

圖5 倒裝LED圓片制作流程

與正裝芯片相比，倒裝芯片需要制作成電極朝下的結(jié)構(gòu)。這種特殊的結(jié)構(gòu)，使得倒裝芯片在一些工藝步驟上有特殊的需求，如歐姆接觸層必須具有高反射率，使得射向芯片電極表面的光能夠盡量多的反射回藍(lán)寶石的一面，以保證良好的出光效率。

倒裝芯片的版圖也需要根據(jù)電流的均勻分布，做最優(yōu)化的設(shè)計(jì)。由于圓片制作工藝中，GaN刻蝕(Mesa刻蝕)、N型接觸層制作、鈍化層制作、焊接金屬PAD制作都與正裝芯片基本相同，這里就不詳細(xì)講述了，下面重點(diǎn)針對(duì)倒裝芯片特殊工藝進(jìn)行簡單的說明。

在LED芯片的制作過程中，歐姆接觸層的工藝是芯片生產(chǎn)的核心，對(duì)倒裝芯片來說尤為重要。歐姆接觸層既有傳統(tǒng)的肩負(fù)起電性連接的功能，也作為反光層的作用，如圖6所示。

在P型歐姆接觸層的制作工藝中，要選擇合適的歐姆接觸材料，既要保證與P型GaN接觸電阻要小，又要保證超高的反射率。此外，金屬層厚度和退火工藝對(duì)歐姆接觸特性和反射率的影響非常大，此工藝至關(guān)重要，其關(guān)系到整個(gè)LED的光效、電壓等重要技術(shù)參數(shù)，是倒裝LED芯片工藝中最重要的一環(huán)。

目前這層歐姆接觸層一般都是用銀(Ag)或者銀的合金材料來制作，在合適的工藝條件下，可以獲得穩(wěn)定的高性能的歐姆接觸，同時(shí)能夠保證歐姆接觸層的反射率超過95%。

圖6 倒裝芯片出光方向、散熱通道、歐姆接觸、反光層位置示意圖

3.3 倒裝LED芯片后段制程

與正裝LED芯片一樣，圓片工藝制程后，還包括芯片后段的工藝制程，其工藝流程如圖7所示，主要包括研磨、拋光、切割、劈裂、測試和分類等工序。這里工序中，唯一有不同的是測試工序，其它工序基本與正裝芯片完全相同，這里不再贅述。

圖7 LED芯片后段工藝制程流程圖

倒裝芯片由于出光面與電極面在不同方向，因此在切割后的芯片點(diǎn)測時(shí)，探針在LED正面電極上扎針測量時(shí)，LED的光是從背面發(fā)出。要測試LED的光特性(波長、亮度、半波寬等)，必須從探針臺(tái)的下面收光。

因此倒裝芯片的點(diǎn)測機(jī)臺(tái)與正裝點(diǎn)測機(jī)臺(tái)不同，測光裝置(探頭或積分球)必須放在探針和芯片的下面，而且芯片的載臺(tái)必須是透光的，才能對(duì)光特性進(jìn)行測試。

所以，倒裝芯片的點(diǎn)測機(jī)臺(tái)需要特殊制造或改造。

3. 4 基板工藝

3.4.1 基板材料及其布線工藝

倒裝LED的基板主要起到支撐、連接的作用。目前倒裝LED使用的基板主要有硅基板和陶瓷基板。硅基板主要是作為早期倒裝芯片的基底，為了與能夠與正裝芯片用相同的封裝形式。

硅基板的設(shè)計(jì)要根據(jù)倒裝LED芯片的電極版圖而制定，設(shè)計(jì)上硅基板上的電極要與芯片上電極相匹配。

同時(shí)為保證硅片表面布線層不受外界水汽和腐蝕環(huán)境的破壞，需要在硅片表面的金屬布線層表面制作一層鈍化保護(hù)層。在硅片表面布線和鈍化層制作好后，為了實(shí)現(xiàn)LED芯片與硅基板的焊接，需要在硅基板表面制作與LED芯片電極對(duì)應(yīng)的凸點(diǎn)金屬。

硅基板的優(yōu)點(diǎn)是利于集成，可將ESD、電源控制IC等在基板制作的階段進(jìn)行集成和整合。缺點(diǎn)是易碎，不能作為封裝基材，還需要另外的外部封裝支架，成本高。

陶瓷基板則是現(xiàn)在最流行的倒裝LED基材，用于倒裝LED陶瓷基板表面的金屬布線主要采用DPC(Direct Plate Copper)工藝在完成。

DPC所制作的陶瓷基板能做到較細(xì)的線寬線距，能滿足倒裝LED芯片的精度需求。陶瓷基材對(duì)比起傳統(tǒng)支架所用的PPA、PCT等塑膠材料，有高導(dǎo)熱、耐高溫、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

所以陶瓷在大功率的應(yīng)用上有著巨大的優(yōu)勢，這點(diǎn)更有利于發(fā)揮倒裝芯片大電流和高可靠性的特點(diǎn)。

3.4.2 基板金屬凸點(diǎn)工藝

由于需要進(jìn)行電性的連接，需要在基板上制作金屬凸點(diǎn)，通過金屬凸點(diǎn)與LED芯片的金屬焊盤連接;當(dāng)然也可以將金屬凸點(diǎn)做在LED芯片的金屬焊盤上，但比較少用，因?yàn)槟壳癓ED圓片還是以2寸為主，在LED圓片上加工凸點(diǎn)金屬成本效益不高。

凸點(diǎn)材料選擇通常要求其具有良好的重熔性能，由于其在重熔的過程中起到自對(duì)準(zhǔn)及收縮的功能，有利于凸點(diǎn)的形成和焊接工藝。

根據(jù)材料的不同及應(yīng)用的不同，金屬凸點(diǎn)有多種制作方法，主要有以下幾種：

(1) 釘頭凸點(diǎn)法

釘頭Au凸點(diǎn)的制作方法如圖8。

先用電火花法在金線尖端形成球;

然后在加熱、加壓和超聲的作用下，將Au球焊接到基板電極上;

接著將線夾抬起并水平移動(dòng);再對(duì)Au線加熱并施加壓力;

最后提起線夾將金線拉斷，完成一個(gè)Au球。

對(duì)超聲功率、超聲時(shí)間、焊接壓力等工藝參數(shù)調(diào)整，可改變凸點(diǎn)的特性，如金凸點(diǎn)形狀，機(jī)械性能等。這一方法工藝簡單、容易實(shí)現(xiàn)、成本低，但其效率較低。

圖8 釘頭凸點(diǎn)過程

(2) 濺射絲網(wǎng)印刷法

濺射絲網(wǎng)印刷法的制作流程如圖9所示。

先在基板上濺射上一層種層;

接著用光刻腐蝕的方法，使種層只保留凸點(diǎn)所在位置的金屬;

接著通過絲網(wǎng)印刷，在凸點(diǎn)位置上保有錫膏;

最后通過回流工藝，形成錫球凸點(diǎn)。

濺射絲網(wǎng)印刷法所制作的凸點(diǎn)精度由模板決定。

圖9 濺射絲網(wǎng)印刷法過程

(3) 電鍍凸點(diǎn)法

電鍍凸點(diǎn)法的制作流程如圖10所示。

先在基板上濺射種層(Seed Layer)并完整涂上厚光刻膠;

接著進(jìn)行曝光，開出凸點(diǎn)位置;

然后進(jìn)行整體電鍍，在開窗口的位置鍍上金屬;

最后去掉光刻膠及種層;則得到金屬凸點(diǎn)。

如果是一些共晶焊料，如SnPb，則還需要進(jìn)行回流形成合金。

       圖10 電鍍凸點(diǎn)法過程

金屬凸點(diǎn)的制作，最重要的是凸點(diǎn)厚度(即高度)的控制;對(duì)于合金凸點(diǎn)，還需要精確控制合金凸點(diǎn)的組分，因?yàn)楹辖鸾M分直接決定了金屬凸點(diǎn)的熔點(diǎn)，對(duì)于后面的焊接工藝至關(guān)重要。

對(duì)于金凸點(diǎn)，還需通過工藝控制，精確控制凸點(diǎn)的硬度，以便在后面的倒裝焊接工序中能夠控制凸點(diǎn)的變形程度。

3.5 倒裝焊接工藝

要實(shí)現(xiàn)倒裝芯片，LED芯片需要焊接到基板表面。而實(shí)現(xiàn)倒裝LED芯片與基板間的焊接，常用的是金屬與金屬之間的共晶焊接工藝。

目前行業(yè)內(nèi)的共晶工藝一般有以下幾種：

(1) 點(diǎn)助焊劑與焊料進(jìn)行共晶回流焊;

(2) 使用金球鍵合的超聲熱壓焊工藝;

(3) 金錫合金的共晶回流焊工藝。

其中第一種錫膏回流焊在目前器件的SMT貼片用得較多。目前在LED行業(yè)內(nèi)，后兩種焊接工藝使用較多，主要是倒裝LED芯片目前還主要倒裝在硅基或陶瓷基板上。

共晶回流焊主要針對(duì)的是PbSn、純Sn、SnAg等焊接金屬材料。這些金屬的特點(diǎn)是回流溫度相對(duì)較低。這一方法的特點(diǎn)是工藝簡單、成本低，但其回流溫度較低，不利于二次回流。

超聲熱壓焊工藝是將LED芯片和基板加熱到一定溫度后，在LED芯片上加上一定的壓力，使凸點(diǎn)產(chǎn)生一定的變形，增大接觸面積，然后在接觸界面加上一定的超聲功率。在熱和超聲摩擦的作用下使得芯片和基板上的金屬能夠發(fā)生鍵合。

目前金對(duì)金焊接(Gold to gold bonding)都采用這種方式焊接，這種焊接形成的鍵合連接十分穩(wěn)固保證了大電流的穩(wěn)定使用和長期工作的可靠。

金錫合金的共晶回流焊工藝是利用金錫合金(20%的錫)在280℃以上溫度時(shí)為液態(tài)，當(dāng)溫度慢慢下降時(shí)，會(huì)發(fā)生共晶反應(yīng)，形成良好的連接。金錫共晶的優(yōu)點(diǎn)是其共晶溫度高于二次回流的溫度，一般為290~310℃，整個(gè)合金回流時(shí)間較短，幾分鐘內(nèi)即可形成牢固的連接，操作方便，設(shè)備簡單;而且金錫合金與金或銀都能夠有較好的結(jié)合。

上面三種焊接工藝中，第一和第三種工藝都需要首先通過貼片機(jī)用錫膏或助焊劑將LED芯片貼在基板表面，然后再進(jìn)行回流焊接。由于倒裝LED芯片尺寸較小，對(duì)貼片機(jī)的精度的要求一般。貼片精度直接決定了芯片焊接后的對(duì)準(zhǔn)情況。

第二種方法超聲熱壓焊工藝需要采用專用的焊接機(jī)，對(duì)焊接機(jī)的要求較高，除對(duì)準(zhǔn)精度要求外，還需對(duì)基板和LED芯片固晶頭的溫度精確控制，對(duì)固晶頭壓力和超聲功率精確控制，因此這種專用焊接設(shè)備往往比較昂貴，相對(duì)來說工藝成本也會(huì)較高。

4、倒裝LED的應(yīng)用及發(fā)展趨勢

倒裝LED芯片由于其體積小、易于集成，在各個(gè)領(lǐng)域都能夠?qū)崿F(xiàn)廣泛的應(yīng)用。在倒裝芯片這一技術(shù)平臺(tái)上，能開發(fā)出多種產(chǎn)品。

4.1、陶瓷基LED光源

目前行業(yè)內(nèi)多家公司均已推出倒裝無金線的陶瓷基LED光源產(chǎn)品，在LED芯片倒裝在陶瓷基板上后，整片陶瓷基板去做熒光粉涂敷，然后用模具M(jìn)olding一次透鏡，這兩步封裝工藝都是整片一起完成的，最后再進(jìn)行切割、測試分類和卷帶包裝步驟，直接形成了陶瓷基無金線封裝光源產(chǎn)品，其工藝步驟如圖11所示。

這種封裝方法，封裝過程和芯片制造過程結(jié)合在一起，因此稱為芯片級(jí)封裝;同時(shí)封裝是整片一起完成的，不是單顆操作的，因此也稱為晶片級(jí)封裝(Wafer Level Package)。

圖11 陶瓷基無金線封裝工藝步驟

目前陶瓷基倒裝光源產(chǎn)品成為了倒裝LED芯片應(yīng)用的主流，國際上Philips Lumileds、Cree、三星等公司都已大量推出和銷售倒裝陶瓷基光源產(chǎn)品，臺(tái)灣新世紀(jì)、臺(tái)積電，國內(nèi)晶科電子、德豪潤達(dá)、天電等公司也已推出同類產(chǎn)品，在市場上的接受度越來越高，特別是在高端的室外照明更是成為了首要的選擇。

4.2 柔性基板光源

現(xiàn)在市面上出現(xiàn)了新型的LED光源，這種光源的結(jié)構(gòu)中，使用柔性基板代替陶瓷基板作為倒裝芯片的支撐，見圖12。這種結(jié)構(gòu)中，最主要的是用聚酰亞胺(Polyimide)等材料代替陶瓷作為支撐，用銅片作為導(dǎo)電和導(dǎo)熱的材料。

倒裝芯片通過共晶焊接與柔性基板的銅片相連接，最后經(jīng)過噴粉、Molding、切割、測試包裝等相同工序，則得到最終的與陶瓷基光源相同的光源。

圖12 柔性基板光源示意圖

由于與倒裝芯片接觸的為金(或銀)，與陶瓷基相同，所以倒裝芯片上并不需要做任何改變，而且能保證焊接的性能不變。基板上部的金屬透過通孔的銅與下部的焊盤進(jìn)行連接，保證了熱量直接在金屬中進(jìn)行傳導(dǎo)，保持優(yōu)秀的導(dǎo)熱性能。

但柔性基板也有其缺點(diǎn)。一是柔性基板太軟，需要對(duì)制作流程中的工藝進(jìn)行修改，目前還沒有成熟的匹配工藝;二是受限于其結(jié)構(gòu)，光源焊盤既是電性通道也是散熱通道，不能夠做到熱電分離。這樣會(huì)對(duì)燈具廠商提出一些燈具設(shè)計(jì)的額外要求。

現(xiàn)在國內(nèi)外很多公司已經(jīng)投入大量人力物力進(jìn)行柔性基板的研發(fā)，其優(yōu)勢的價(jià)格比陶瓷基板便宜，但目前基板和封裝工藝都還不成熟，預(yù)計(jì)不久的將來會(huì)有倒裝柔性基板產(chǎn)品推出。

4.3 白光芯片

現(xiàn)在LED業(yè)界最熱門的技術(shù)就是以倒裝LED芯片為核心的白光芯片。白光芯片是目前最適合倒裝LED芯片的一種封裝形式。

白光芯片的結(jié)構(gòu)如圖13，最終結(jié)構(gòu)是在倒裝芯片外部包覆上一層熒光膠，芯片發(fā)出的藍(lán)光經(jīng)過熒光膠轉(zhuǎn)換成白光。

白光芯片的最大特點(diǎn)就是小，其尺寸僅比芯片略大，是真正的芯片級(jí)封裝(CSP，Chip Scale Package)——封裝體面積與芯片面積之比小于1.4倍。

白光芯片具有以下的優(yōu)點(diǎn)：

1) 封裝體積小，方便設(shè)計(jì)整合Lens;

2) 直接貼裝，無需基板，方便應(yīng)用;

3) 散熱直接，熱阻低，可靠性高;

4) 高密度集成，光色均勻性好;

5) 封裝結(jié)構(gòu)簡單，制作成本低。

應(yīng)用上，白光芯片可以對(duì)3535產(chǎn)品進(jìn)行直接替換，也可利用其易貼裝的特點(diǎn)，制作出高光密度的光源(如COB)，見圖13。在某些需要尺寸限制更大的領(lǐng)域中，如直下式背光，手機(jī)背光等，能有更大的發(fā)展空間。

圖13 白光芯片與白光芯片COB

5、結(jié)論

倒裝LED與正裝LED相比，具有高光效、高可靠性和易于集成的特點(diǎn)，使倒裝LED得到越來越廣泛的應(yīng)用。將倒裝LED技術(shù)與芯片級(jí)封裝技術(shù)相結(jié)合，能更進(jìn)一步提高白光LED光源的競爭力。

隨著芯片技術(shù)與封裝技術(shù)日益成熟，客戶對(duì)倒裝LED的認(rèn)識(shí)加深，倒裝LED將會(huì)有一個(gè)更遠(yuǎn)大的前程，將會(huì)在市場上占有更大的份額。