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Ag遷移致集成電路輸出異常失效分析

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2015-03-23 來源:新世紀LED論壇瀏覽次數(shù):17






1.案例背景

某功能模塊在用戶端出現(xiàn)功能失效,經(jīng)返廠檢修,發(fā)現(xiàn)該模塊上的一片IC輸出異常,經(jīng)更換IC后,功能模塊恢復正常。

2.分析方法簡述

對樣品進行外觀觀察,未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

經(jīng)X-RAY無損檢測,未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

通過C-SAM掃描發(fā)現(xiàn)了IC內部存在分層現(xiàn)象。

       圖5.NG樣品C-SAM圖片

通過IV曲線測試,發(fā)現(xiàn)引腳間存在漏電通道。

       圖6.NG樣品IV曲線圖

DE-CAP后,利用SEM/EDS進行分析,確認了引腳間存在銀遷移問題。

       表1.開封后的NG樣品內部EDS測試結果(Wt%)

3.結論

IC內部存在分層,由于水汽的入侵,加上集成電路各引腳之間存在電位差,導致了引腳間的銀遷移,從而在引腳間形成微導通電路,致IC輸出異常。

4.參考標準

GJB 548B-2005 微電子器件失效分析程序-方法5003。

IPC-TM-650 2.1.1-2004手動微切片法。

GB/T 17359-2012 電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則。

 
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