三安光電計劃增發募資不超過39 億元投資廈門光電產業化(二期)和通訊微電子項目(一期),我們看好后者砷化鎵和氮化鎵半導體兩條生產線的長期前景,為三安打開全新增長空間。砷化鎵和氮化鎵在集成電路和軍工產業擁有舉足輕重地位,是國家集成電路產業基金重點投資方向,而三安有望成為該領域全球龍頭。

我們預估三安15/16/17 年EPS 為0.9/1.25/1.57 元,當前估值對應34/24/19 倍,是電子股估值洼地。我們維持對“強烈推薦-A”評級,上調目標價到50 元。

LED 業務推動業績高增長,MOCVD 高開工率。三安14 年收入45.8 億元,增長22.71%。公司170 臺MOCVD 除研發機臺外,其余全部開滿,高開工率一方面支撐收入增長,另一方面顯著拉升公司毛利率。三安全年毛利率率高達45.05%,較2013 年36.24%增長近9 個百分點,14 年三安季度毛利率逐季提升,Q4 更是高達53.4%。在包含了參股璨圓匯兌虧損和轉入可供出售金融資產確認虧損0.75 億元之后,三安利潤依然實現41.15%的高速增長。

而公司1Q15 業績增長加速到55%,高增長持續。

以GaAs 和GaN 制造進軍集成電路,打開長線增長空間。未來三安光電將砷化鎵和氮化鎵等III-V 族半導體為核心打造集成電路產業。GaAs 主要用于通訊領域,主要以6 寸0.09-0.5 微米制程為主,目前全球市場容量約60 億美元,全球GaAs 晶圓產能約為200 萬片/年,隨著4G 智能手機普及加速,支持多頻多模的砷化鎵PA 持續供不應求。GaN 大功率、高頻率性能較硅和GaAs更加出色,主要應用于軍事領域,目前市場容量大約2 億美元,GaN 需求將迅速在2020 年左右沖擊10 億美金大關。GaAs 和GaN 目前在國內無6 寸廠,三安布局這兩大稀缺材料,穩坐國內龍頭地位。

增發布局化合物半導體,全球龍頭隱現。三安增發不超過2.35 億股募資不超過39 億元,除了投資23 億于廈門LED 外延片/芯片二期之外,更大的亮點在于年產30 萬片GaAs 和年產6 萬片GaN 6 寸生產線。三安在GaAs 產業鏈中的地位是是芯片制造商,與臺灣的穩懋、宏捷類似。目前穩懋是GaAs 芯片代工制造市場的龍頭,三安產線滿產后規模比穩懋現有產線規模略大,全球產能市占率約在15-20%之間。而全球GaN第一代產品2010 年才剛剛上市,目前軍事應用占比約7 成,未來電源、電動汽車、太陽能電池、通訊基站等市場前途無量。三安在國內率先進入6 寸GaN 領域,與國際巨頭同臺。

投資建議。我們看好三安光電在LED 芯片市場的領先地位,公司持續擴產,產能利用率提升將推動公司收入和利潤的疊加成長。公司在國內領先布局化合物半導體,未來增長空間巨大。我們上調三安光電15/16/17 年EPS 到0.9/1.25/1.57 元,維持“強烈推薦-A”評級,上調目標價至50 元。

風險因素:化合物半導體業務布局進度低于預期,LED 芯片業務競爭加劇。