科銳(Nasdaq: CREE)近日宣布最新SiC功率器件技術(shù)突破，推出業(yè)界首款900V MOSFET平臺(tái)。新型900V平臺(tái)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適合包括可再生能源逆變器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、三相工業(yè)電源在內(nèi)的高頻電力電子應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，而成本與Si基方案相當(dāng)。新型器件令現(xiàn)有Si基方案黯然，在高頻化電力電子應(yīng)用中，提供顯著系統(tǒng)級(jí)性能和成本優(yōu)勢(shì)。

科銳功率與射頻事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Cengiz Balkas博士表示：“科銳作為SiC功率器件的技術(shù)領(lǐng)先者，我們致力于突破性能屏障，這對(duì)于電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)很重要。與同等Si基MOSFET相比較，這一突破性的900V SiC基平臺(tái)可以擴(kuò)大在終端系統(tǒng)中的功率范圍，將為我們的產(chǎn)品開辟出一個(gè)新市場(chǎng)。我們先前推出了1200V MOSFET，比之高電壓IGBT，展現(xiàn)了卓越的性能。現(xiàn)在我們又推出900V SiC基平臺(tái)，將領(lǐng)先900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)。這一平臺(tái)提供非常卓越的特性，從而為電源設(shè)計(jì)者們提供了更多的創(chuàng)新空間，以實(shí)現(xiàn)更小尺寸、更快速度、更低溫度、更高效率的電源方案。毋庸置疑，它將超越目前Si基方案所能達(dá)到的限制。”

基于科銳業(yè)界領(lǐng)先的SiC平面技術(shù)，這一新型900V MOSFET平臺(tái)擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，可應(yīng)對(duì)新型且不斷演變的應(yīng)用市場(chǎng)中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，適用更高直流母線電壓。主導(dǎo)產(chǎn)品C3M0065090J比之目前市面上任何一款900V MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)最低的額定導(dǎo)通電阻，達(dá)到65mΩ。不僅如此，除業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO247-3 / TO220-3封裝之外，這一新型器件還可以提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用開爾文(Kelvin)連接，幫助減小柵極振蕩。

由于非常高的開關(guān)損耗和較差的內(nèi)部體二極管，現(xiàn)有900V Si基MOSFET在高頻率開關(guān)電路中有較多的局限性。Si基MOSFET的另一局限在于導(dǎo)通電阻Rds(on)，提高了超過3倍的溫度，這將導(dǎo)致散熱問題和顯著降額。與之不同的是，科銳新型900V MOSFET技術(shù)，可以在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，這將顯著減小熱管理系統(tǒng)的尺寸。

科銳 C3M0065090J 額定900V / 32A，在25°C條件下導(dǎo)通電阻Rds(ON)為65mΩ。在更高溫度(Tj = 150°C)工作時(shí)，導(dǎo)通電阻Rds(ON)也只有90mΩ。封裝器件將通過DigiKey與Mouser進(jìn)行備貨。

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