2015年11月2-4日，第十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2015）將在深圳會展中心舉辦，論壇緊扣時代發(fā)展脈搏與產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，以“互聯(lián)時代的LED+”為大會主題，探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢，解讀產(chǎn)業(yè)新政策，推薦產(chǎn)業(yè)新技術(shù)、新應(yīng)用，引導(dǎo)和解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性問題。

 

　　中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)作為中國地區(qū)最具國際影響力的半導(dǎo)體照明及智能照明行業(yè)年度盛會，已經(jīng)成功連續(xù)舉辦十一屆，早已是業(yè)界最為關(guān)注的論壇之一。本屆大會特邀科技部副部長、國家制造強國建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組副組長曹健林擔(dān)任中方主席，外方主席為國際照明委員會主席、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所傳感器科學(xué)部首席研究員Yoshi Ohno，組委會秘書長為國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲。目前開閉幕大會、技術(shù)分會等特邀嘉賓正在全球征集中。

 

　　據(jù)組委會最新消息，北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師、工學(xué)博士，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)總監(jiān)吳潔君女士將出席本次論壇，并在P201“材料與裝備技術(shù)分會”上分享最新研究成果。

 

　　吳潔君博士，2003年4月進入中科院半導(dǎo)體所學(xué)習(xí)并獲博士學(xué)位，2006年4月在北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶中心從事博士后研究，2007年12月獲得日本學(xué)術(shù)振興協(xié)會(JSPS)資助任日本三重大學(xué)任外國人特別研究員，2009年12月回國加入北京大學(xué)物理學(xué)院。

 

　　據(jù)了解，2003年4月起，吳潔君就開始從事氮化物半導(dǎo)體材料、器件的研究、MOCVD及HVPE生長技術(shù)研究及國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，主持并參與了國家863 課題、國家973項目和國家自然科學(xué)基金等多項國家重大課題研究，在2-4英寸GaN單晶襯底研制及量產(chǎn)化技術(shù)；HVPE生長GaN厚膜和AlN厚膜的工藝特性與生長機制；非極性面氮化物HVPE生長；硅基MOCVD生長無裂紋GaN基器件等方面均開展了深入的研究，發(fā)表相關(guān)的SCI論文數(shù)十篇，獲得授權(quán)和申請的國家發(fā)明專利數(shù)十項。此前，她還曾獲國防科工委的國防科學(xué)技術(shù)二等獎（2001GF2069-5，排名5），航空工業(yè)總公司的航空科學(xué)技術(shù)獎一等獎（20011137，排名5）和三等獎（20001061，排名1）。

 

　　眾所周知，近幾年來，自支撐GaN襯底由于其低位錯密度及高導(dǎo)熱性已得到廣泛應(yīng)用。HVPE方法是最適用于生長GaN厚膜的方法之一，它與自分離技術(shù)相結(jié)合已經(jīng)能夠成功制備出自支撐GaN襯底，但若要進一步提高GaN襯底的生產(chǎn)效率，就必須如同多片MOCVD機生產(chǎn)LED管芯一樣，發(fā)展多片HVPE系統(tǒng)。然而，由于受制于膜厚均勻性等關(guān)鍵問題目前還無法解決，因而導(dǎo)致多片HVPE系統(tǒng)至今仍處于初始階段。

 

　　對此，吳潔君博士表示，通過建立大型加熱爐熱場穩(wěn)態(tài)及非穩(wěn)態(tài)模型，并采用增加絕熱反射層的方式控制熱散失，可以實現(xiàn)可控的大面積均勻溫場，從而開發(fā)研制出大反應(yīng)室21片HVPE系統(tǒng)。

 

　　據(jù)吳潔君介紹，目前，大反應(yīng)室21片HVPE系統(tǒng)可以實現(xiàn)同時生長21片10-50um復(fù)合襯底，片內(nèi)均勻性約10%，片間均勻性小于5%。同時，開發(fā)出低缺陷密度、無裂紋GaN厚膜的HVPE生長技術(shù)、可控的2英寸GaN厚膜與異質(zhì)襯底的完整分離技術(shù)和流量調(diào)制多片均勻性HVPE生長技術(shù)。而且在HVPE生長中，采用漸變調(diào)節(jié)并周期調(diào)制的方法，可以既控制GaN厚膜開裂，又控制缺陷密度，達到制備高質(zhì)量的GaN厚膜襯底材料的目的。

 

　　利用此方法能夠成功獲得無裂紋厚度達到370微米的GaN厚膜，其位錯密度降到5×107 cm-2。“針對2英寸GaN厚膜難于和異質(zhì)襯底分離的問題，我們提出在生長界面、襯底和生長過程等多環(huán)節(jié)應(yīng)變控制的自分離技術(shù)。同時，在理論模型的指導(dǎo)下，控制薄膜厚度的均勻分布及膜厚達到臨界厚度以上，實現(xiàn)GaN自分離過程可控。獲得的2英寸自支撐GaN單晶襯底，表面光滑無裂紋，晶體質(zhì)量高，厚度偏差<±5%，位錯密度達到2-5×106 cm-2。在同質(zhì)襯底上同質(zhì)外延高光效白光LED。”吳潔君表示。

 

　　2015年11月，吳潔君博士將帶著“大反應(yīng)室21片HVPE系統(tǒng)”的最新研究成果出席第十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSL CHINA 2015) 的“材料與裝備技術(shù)分會”。屆時，與會嘉賓不僅能聽到“大反應(yīng)室21片HVPE系統(tǒng)”的詳細(xì)介紹，還能獲得GaN單晶基最新研究進展，以及對半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢的深入探討。

 

　　SSLCHINA之所以具有高度的國內(nèi)外影響力和美譽度，不僅在于論壇高水平、高規(guī)格，更得益于論壇匯聚了全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)頂級專家的智慧與成就，而本屆SSLCHINA即將您呈上一場更具規(guī)格半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的饕餮盛宴。欲知更多精彩，敬請關(guān)注第十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2015) ，期待您的參與。