以GaN為代表的III族氮化物寬禁帶半導體在照明、顯示、射頻、功率等領域顯示出優異的器件性能和巨大的發展潛力,已在軍民領域獲得越來越廣泛的應用?;谒{寶石、碳化硅、硅等襯底的GaN異質外延材料因其高性價比優勢一直處于主流地位。對于異質外延GaN材料,過去四十多年先后發展出兩步法、插入層法、橫向外延過生長、圖形化襯底等多種經典的位錯抑制方法,位錯密度不斷降低到108 cm-2量級。即使如此,位錯仍然是限制氮化鎵器件性能提升、可靠性與成品率的關鍵因素。
8月27-29日, “第五屆紫外LED大會暨長治LED產業發展座談會”將于山西長治舉辦。本屆會議由長治市人民政府與中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)共同主辦。
會議以“同芯共贏 聚力發展”為主題,將重點突出科技創新引領新質生產力發展,來自政產學研用產業鏈的國內外嘉賓、行業領軍科學家、企業家、龍頭企業代表等將聚焦國內外紫外LED最新技術研究與產業化進展,圍繞紫外LED工業固化、殺菌消毒、光醫療、光催化等領域創新應用,集中探討工業水處理、家電、印刷、車載、3D打印等細分場景熱點應用。
屆時,西安電子科技大學集成電路學部博士后、助理研究員陶鴻昌將受邀出席論壇,并帶來《誘導成核高質量氮化物外延及紫外LED效率提升研究》的主題報告,將重點分享新型的誘導成核技術實現異質外延GaN晶體質量的改善。報告針對氮化物晶體質量改善的新方法以及紫外LED效率提升的相關技術進行了研究,對高性能氮化物紫外LED器件的發展提供了新的思路,報告詳情敬請關注!
嘉賓簡介
陶鴻昌,助理研究員,博士。2018年與2023年分別獲得西安電子科技大學學士學位與博士學位,2024年至今于西安電子科技大學從事博士后研究。主要從事高質量氮化物異質外延及紫外LED器件研究,在氮化物外延機理,高質量外延新方法以及高效率氮化物光電器件結構設計及制備方面取得多項成果。發表SCI論文三十余篇,包括IEEE TED,IEEE EDL,APL,Optics Express,Fundamental Research等多項領域旗艦刊物,申請國家發明專利20余項。主持國家自然科學基金青年項目,國家博士后資助計劃項目,中國博士后科學基金面上資助項目,中央高校基本科研業務費;參與國家重點研發計劃,國家重大科技專項等多項國家級項目。相關研究成果獲得諾貝爾獎得主天野浩,IEEE Fellow,中科院院士等國內外知名專家學者的多次正面引用。
會議信息
一、組織機構
(一)主辦單位
長治市人民政府
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)
(二)承辦單位
長治市發展和改革委員會
長治高新技術產業開發區管委會
(三)協辦單位
山西中科潞安紫外光電科技有限公司
寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室
山西高科華燁電子集團有限公司
山西中科潞安半導體技術研究院有限公司
山西光益生科技有限公司
山西智興華科半導體科技有限公司
深圳市華璦科技有限公司
山西省紫外光電產業技術創新戰略聯盟
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟紫外LED專業委員會
(四)支持單位
國際半導體照明聯盟(ISA)
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
中國感光學會輻射固化專業委員會
中國環保機械行業協會紫外線專委會
全國衛生產業企業管理協會凈水產業分會
中國印刷技術協會凹版印刷分會
中國林產工業協會膠粘劑與涂料專業委員會
木材涂料與涂飾創新聯盟
二、會議主題
同芯共贏 聚力發展
三、會議安排(擬)
會議時間:2025年8月27日-29日
會 期:2.5天
會議地點:山西·長治·長治濱湖文旅服務中心
日程總覽:
注:上述日程安排僅供參考,以現場為準。
四、報名注冊
1、注冊費:會議全票1500元,聯盟成員單位享受8折優惠,即:1200元。早鳥票價:非會員截止8月10日前報名享受8折優惠即1200元。(包含會議資料,8月27日晚餐,8月28日午餐、晚餐,8月29日午餐、晚餐)。
2、學生代表票價:享受7折優惠即:1050元(與普通代表會議待遇相同,但須提交相關證件)
3、匯款相關信息:
帳戶名稱:中關村半導體照明工程研發及產業聯盟
開戶銀行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號:3389 6227 8533
備注:各位參會代表匯款時請備注單位簡稱+姓名,謝謝合作!
特別提示:所有參會代表,均需要掃碼提交報名信息,審核通過后即可獲取免費聽會證件(不含餐飲,最終以郵件通知為準),線上匯款或現場繳費后,可獲得餐券等資料。
五、聯系我們
演講/參展/參會/贊助/項目及成果推薦
張老師:13681329411
賈老師:18310277858
六、協議酒店