科技部第三代半導體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現場會

　　該課題緊跟國際產業發展方向，在大尺寸（6英寸及以上）Si襯底上制備出平整、無龜裂的高質量GaN基高壓外延材料，外延片翹曲小于50um，均勻性好于1%，垂直擊穿電壓超過800V。此外課題組開發了CMOS兼容工藝，研制成功600V/10A的二極管和三極管等高壓開關器件；通過探索影響器件性能和可靠性的關鍵物理機制，對所制作的器件進行應用驗證和產品開發，實現了轉換效率>97%的DC-DC升壓變換器。

科技部第三代半導體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現場
 

　　蘇州能訊作為課題承擔單位，在課題執行以來，組織課題參加單位多次開展課題組內部研討，學習國家科技經費管理要求和最新文件，獲得了專家的好評，為課題的順利實施奠定了良好的基礎。