中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓，中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所研究員劉明，科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司副司長曹國英，科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司原司長、聯(lián)盟顧問委員會常務(wù)副主任趙玉海，科技部國際合作司原司長、聯(lián)盟顧問委員會副主任靳曉明，科技部政策法規(guī)司原副司長、聯(lián)盟顧問、中國科學(xué)學(xué)與科技政策研究會副理事長李新男，科技部高新司材料處原處長徐祿平，科技部高新司材料處調(diào)研員李志農(nóng)，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長陳弘達(dá)，福州大學(xué)教授，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組副組長、新型顯示組長郭太良，北京大學(xué)理學(xué)部副主任，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明專家沈波，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明方向副組長徐科，中國電子科技集團(tuán)公司首席科學(xué)家程堂勝，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、長江學(xué)者盛況，株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友，聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲等領(lǐng)導(dǎo)、專家，以及近300位來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)代表相聚一堂共論發(fā)展。張家港市委常委、常務(wù)副市長卞東方，張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會副主任、張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會主任、楊舍鎮(zhèn)黨委書記盧懂平等多位地方領(lǐng)導(dǎo)出席了會議。會議第一階段由張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委委員、管委會副主任、張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會副主任張雷主持。

　　張家港經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委委員、管委會副主任、張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會副主任張雷

 

　　干勇院士為大會致辭，他指出，第三代半導(dǎo)體是國家新材料發(fā)展計(jì)劃的重中之重，關(guān)系到智能電網(wǎng)、智能制造、5G通訊、高端裝備、軍工等多個領(lǐng)域。聯(lián)盟在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上起到了非常重要的促進(jìn)作用，成為了產(chǎn)業(yè)技術(shù)、組織、管理、集聚人才的核心。

　　中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會主任干勇

 

　　卞東方副市長代表主辦方致歡迎詞。他介紹了張家港在科技創(chuàng)新引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級方面取得的成績，提出希望把張家港建設(shè)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新高地、新標(biāo)桿而努力，也希望更多的項(xiàng)目可以落戶張家港發(fā)展。

　　張家港市委常委、常務(wù)副市長卞東方

 

　　曹國英副司長為會議致辭，肯定了張家港科技發(fā)展的創(chuàng)新思路。他指出，中美貿(mào)易摩擦的實(shí)質(zhì)是科技競爭，我們要借此發(fā)現(xiàn)自己的短板，梳理第三代半導(dǎo)體發(fā)展思路，為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)I造良好環(huán)境。聯(lián)盟推動中國半導(dǎo)體照明走向強(qiáng)國積累了非常好的經(jīng)驗(yàn)，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展更需要聯(lián)盟整合各方的力量共同推進(jìn)。

　　科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司副司長 曹國英

 

　　隨后鄭有炓院士、劉明院士、曹國英司長、趙玉海司長、靳曉明司長、李新男司長、卞東方副市長、盧懂平書記、吳玲理事長共同啟動了2018中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)。

　　2018中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)啟動

 

　　大會報(bào)告環(huán)節(jié)，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟于坤山秘書長主持。中科院微電子研究所劉明院士做了題為“微電子與光電子技術(shù)”的精彩報(bào)告。劉明院士認(rèn)為信息化核心支撐是IC的快速發(fā)展，集成電路進(jìn)一步發(fā)展呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢。她指出微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展特點(diǎn)是學(xué)科交叉度高,分工度更加細(xì)化；同時受到市場的影響，前瞻科研轉(zhuǎn)化較快。在光電子產(chǎn)業(yè)方面，核心光電器件依托CMOS商用平臺開發(fā)取得了重要突破，傳統(tǒng)微電子公司也在積極的投入到光電子產(chǎn)品開發(fā)中。

　　中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所研究員劉明

 

　　中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓發(fā)表了題為“第三代半導(dǎo)體國內(nèi)外技術(shù)及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與趨勢”的精彩演講。鄭院士指出，第三代半導(dǎo)體作為先進(jìn)的戰(zhàn)略性新技術(shù)，對科學(xué)技術(shù)、經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展起著戰(zhàn)略性的支撐作用。以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料在高效固態(tài)光源和固態(tài)紫外探測等光電子、寬禁帶電力電子和寬禁帶射頻領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化技術(shù)日趨成熟，產(chǎn)業(yè)前途極其光明。鄭院士指出我們國家要把握機(jī)遇、與時俱進(jìn)發(fā)展新興的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不斷創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，加快創(chuàng)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。

　　中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓

 

　　中國電子科技集團(tuán)公司首席科學(xué)家陳堂勝先生做了題為“高頻GaN微波功率器件及其技術(shù)發(fā)展”的精彩報(bào)告。陳堂勝指出，SiC基GaNHEMT同時具備高頻率、高輸出功率、抗輻照等特性，是高頻高功率固態(tài)微波功率器件發(fā)展方向，GaN HEMT功率器件及MMIC已經(jīng)全面進(jìn)入工程應(yīng)用，國內(nèi)已建立體系性GaN功率器件產(chǎn)品技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了裝備應(yīng)用自主保障。陳堂勝指出，材料結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)GaN微波功率器件邁向更高工作頻率的關(guān)鍵，目前中電科55所實(shí)現(xiàn)了多款具有國際領(lǐng)先水平的高頻GaN功率MMIC研制。

　　中國電子科技集團(tuán)公司首席科學(xué)家陳堂勝

 

　　福州大學(xué)嚴(yán)群教授發(fā)表了題為“MicroLED-推動下一代顯示技術(shù)革命”演講，嚴(yán)教授從顯示技術(shù)的演進(jìn)出發(fā)，介紹了演示技術(shù)發(fā)展歷程和趨勢。他重點(diǎn)指出MicroLED的應(yīng)用是非常廣泛的，幾乎能滿足現(xiàn)在所有顯示的需求，是顯示方面下一代的優(yōu)秀技術(shù)，但距其成為主流的顯示技術(shù)還有諸多的挑戰(zhàn)和困難需要我們?nèi)タ朔?/div>