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北京發(fā)布10項(xiàng)先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料領(lǐng)域國(guó)際國(guó)內(nèi)領(lǐng)先成果

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2015-09-29 來(lái)源:國(guó)際在線瀏覽次數(shù):238
  記者從北京市科委獲悉,《北京技術(shù)創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃(2014-2017年)》實(shí)施一年多來(lái),取得了系列重要成果。其中,“12納米碳納米管集成電路COMS器件研制”等10項(xiàng)先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料領(lǐng)域國(guó)際國(guó)內(nèi)領(lǐng)先成果29日對(duì)外發(fā)布。
 
  據(jù)介紹,自去年4月,北京市發(fā)布實(shí)施《北京技術(shù)創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃(2014-2017年)》,積極開(kāi)展基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、前沿性科學(xué)研究和共性技術(shù)研究,加大科技創(chuàng)新儲(chǔ)備,積極培育先導(dǎo)技術(shù)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。其中,設(shè)立了“先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展”專(zhuān)項(xiàng),目標(biāo)是到2017年,推進(jìn)納米材料在信息、能源、環(huán)境、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域的應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)80項(xiàng)以上納米重大科技成果轉(zhuǎn)化,實(shí)現(xiàn)20項(xiàng)以上高溫合金等先導(dǎo)材料及其應(yīng)用產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn),持續(xù)提升非晶帶材、高性能磁性材料等優(yōu)勢(shì)材料的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
 
據(jù)悉,專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施以來(lái),北京市科委累計(jì)立項(xiàng)支持了59個(gè)項(xiàng)目(課題),取得了重要的階段性成果。其中,在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專(zhuān)項(xiàng)支持下,北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。該器件的速度與功耗均遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于同尺寸硅基器件。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。下一步,該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝,建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái),并基于該平臺(tái)開(kāi)發(fā)碳納米管CPU,最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。 
 
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