隨著國務院印發《“寬帶中國”戰略及實施方案》，信息消費已成為我國備受矚目的熱點話題。經過多年的發展，互聯網已經成為了國民經濟發展的創新引擎，下一代網絡發展的關鍵是帶寬問題，只有實現高速寬帶，下一代互聯網、新一代移動通信、物聯網、云計算才可能得到大發展。第三代半導體材料正是在這樣的背景下迅速發展起來的新型半導體材料。它具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
 

 

　　2016年1月19日下午，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（以下簡稱“第三代半導體聯盟”）與TD產業技術創新戰略聯盟（以下簡稱“TD聯盟”）在北京裕龍國際酒店舉行了聯合推動第三代半導體在通訊領域中的應用戰略合作簽約儀式。第三代半導體聯盟理事長吳玲女士到現場參加了簽約，科技部試點聯盟聯絡組李新男秘書長見證了此次簽約并做了重要講話。
 

科技部試點聯盟聯絡組李新男秘書長

 

　　他指出此次簽約是國家試點聯盟聯絡組嘗試通過聯盟的橫向合作實現協同創新。聯盟本身就是一種新型的技術創新組織，這種創新組織最大的特點就是通過有法律約束的契約來實現協同創新。此次簽約超出了單個聯盟本身的創新活動，進行了跨領域、跨行業、跨學科的合作，是聯盟發展中一個非常重大的事件。在試點聯盟中開展這樣的活動，引導跨產業的合作是非常有意義且必要的。他希望這次簽約后大家能認真履約，圓滿完成合作任務，在新的形勢下創造出新的協同創新模式，推動產業發展。

 

 

　　此次簽約，第三代半導體聯盟與TD聯盟本著互惠互利、實現雙贏的目標，致力于合作推動第三代半導體與新一代移動通訊在技術、產品、應用領域的融合發展，共同推動政府重大項目，并就標準、商業模式、應用推廣進行合作。簽約雙方將利用各自的資源和條件開展長期、穩定的合作，通過資源共享、優勢互補與業務創新，互惠互利、共同為客戶提供更優質、更全面的智能移動寬帶應用服務，推動我國新一代信息產業實現跨越式發展。

 

　　第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優點，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

 

　　第三代半導體材料及器件的突破將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。美、日、歐、韓等發達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與器件的研發及產業化，在政府的持續部署支持下，我國材料研發的整體水平與國際上差距不大，如在第三代半導體材料第一個產業化的應用方面--半導體照明已經在關鍵技術上實現突破，創新應用國際領先；在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達領域已有少量示范應用。

 

 

　　2015年9月9日，在國家科技部、工信部、北京市科委等支持下，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業45家單位自愿發起籌建了“第三代半導體產業技術創新戰略聯盟”。聯盟的目的主要是圍繞產業鏈構建創新鏈，促進產學研合作以及跨界應用的開放協同創新，推動產業生態體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產權、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業群，形成全國一盤棋的發展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，形成全國一盤棋的發展合力，實現創新驅動發展，搶占在國際第三代半導體上搶占產業發展制高點，重構全球半導體產業格局。

 

　　聯盟理事會邀請原科技部曹健林副部長出任顧問委員會主任，南京大學鄭有炓院士為名譽理事長。鄭有炓院士、北京大學甘子釗院士、中科院半導體所李樹深院士、西安電子科大郝躍院士、華南理工大學曹鏞院士、蘇州大學李述湯院士、復旦大學許寧生院士等28位委員受聘為技術委員會專家。