Electronics Weekly網站報導，這次合作一共結合劍橋大學、Plessey Semi半導體公司與Anvil Semi等2家半導體公司。

 

　　據Plessey經理DaveWallis所言，傳統6邊GaN，電場會出現在結晶c面（c-plane）上，雖有利于制造晶體管，但在制造LED時則會將形成光子的電子與電洞分開，因而形成所謂史坦克效應（Quantum Confine Stark Effect）。而且一旦銦（indium）的量增加時，該效應便會加劇，但由于增加銦的機制是為了拉長GaN LED波長，換句話說，該效應已成為綠光GaN LED有效發射光子的主要障礙。

 

　　不過，Wallis指出，若改采立方GaN由于其對稱性會改變，電場也會消失，讓該效應便無法繼續阻礙制造光子。該效應是否是造成綠色鴻溝唯一元兇目前沒有定論，但采用立方GaN的綠光LED其內部與外部量子效率較佳，每單位電子也可形成更多光子。

 

　　Wallis還指出，使用立方GaN另一益處則是綠光LED能隙比六邊GaN還低200mV，因此可節省銦的使用，但也有其缺點。因為在GaN，3C結晶晶格在熱力學上較不穩定，因此在達到可成長磊晶的溫度時，只有六邊結晶可形成，除非能量平衡可透過人工加以調整，所幸Anvil半導體目前已研發出方法。采用該公司發明的成長立方碳化硅（cubic silicon carbide）方法，其晶格常數已與立方GaN相當接近，讓立方結晶可以順利成長。

 

　　Wallis透露，劍橋大學已成功成長立方結構低于99%的GaN并在材料上成長量子井，未來該校將繼續在量子井附近成長N與P型層，以便形成可透過偏壓將電子轉換成光子的二極管。

 

　　評論指出，Anvil制程另一好處，是可在成本較低矽晶圓上成長立方碳化硅，而且劍橋大學熟知的晶圓成長六邊GaN技術也已售給Plessey，后者也開始使用在制造藍光與白光LED上。未來等到N與P型層在劍橋大學集成后，晶圓會送至Plessey廠房并開始沈積電極，以便形成可運行的綠光LED。目前3方合作已進入第3個月，預計2016年9月可生產出綠光立方GaN LED。

 

　　至于發光效率如何，Wallis預期綠光效率能與藍光一致。他并指出，由于這次聯盟采用6寸晶圓，因此，將可催生采用150mm的綠光LED制程。