MOCVD技術(shù)是半導(dǎo)體超晶格、量子阱、量子線、量子點結(jié)構(gòu)材料與器件研究的關(guān)鍵技術(shù)，并且已在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半導(dǎo)體材料及其量子結(jié)構(gòu)的制備上得到廣泛應(yīng)用，極大地推動了光電子器件和電子器件的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化，未來也將為化合物半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更為廣闊的前景。
如今是變化飛速的時代，在新型學(xué)科，新材料不斷涌現(xiàn)；新技術(shù)、新產(chǎn)品不斷出現(xiàn)的背景下，MOCVD技術(shù)有何新的研究進展，呈現(xiàn)怎樣的發(fā)展趨勢？又將如何繼續(xù)發(fā)揮其應(yīng)有的作用和巨大的發(fā)展?jié)摿Φ龋际菢I(yè)界人士時刻關(guān)注的方向。
在新的形勢下，2016年8月16-19日，第十四屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議將在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉(xiāng)”美稱的延吉市舉行。本屆會議由中國有色金屬學(xué)會主辦，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點實驗室、應(yīng)用光學(xué)國家重點實驗室和半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室等單位承辦，吉林省科技廳和延邊市科技局也將予以大力協(xié)助和支持。
作為MOCVD生長技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學(xué)術(shù)會議”已經(jīng)成功舉辦了十三屆，規(guī)模和影響越來越大，已成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛關(guān)注的學(xué)術(shù)盛會。
此次大會將圍繞“新形勢下的MOCVD+”主題展開深入探討，來自大陸和臺港地區(qū)的與會學(xué)者、工程師和企業(yè)家，將圍繞MOCVD生長技術(shù)、MOCVD設(shè)備研發(fā)、材料結(jié)構(gòu)與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發(fā)等領(lǐng)域展開深入交流，了解發(fā)展動態(tài)，促進相互合作，推動我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進步以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大力發(fā)展。
目前分會組織積極推進，征文火熱進行中，歡迎優(yōu)秀論文投稿，主要征文內(nèi)容及要求如下：
會議征文內(nèi)容：
1．外延生長機理和生長動力學(xué)
2．外延結(jié)構(gòu)與物性
3．光電子材料與器件
4．電子材料與器件
5．其他材料與器件
6．封裝技術(shù)及封裝材料
7．設(shè)備研制與開發(fā)
8. 襯底、MO源、高純氣體等基礎(chǔ)材料
會議征文要求：
1．符合上述內(nèi)容的論文摘要；
2．論文摘要主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹，結(jié)論明確，采用法定計量單位；
3．論文摘要以WORD文檔形式準(zhǔn)備，包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙，相關(guān)模板可登錄 http://www.mocvd14.org下載，于2016年6月15日前通過電子郵件方式提交給會議組委會秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
4．所有論文摘要將編入會議文集，優(yōu)秀論文推薦到發(fā)光學(xué)報（EI）上發(fā)表。
論文征集熱線：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孫曉娟 sunxj@ciomp.ac.cn
會議報名/商務(wù)贊助熱線：
賈欣龍 jiaxl@china-led.net 18310277858
張威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
有關(guān)第十四屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議的詳情及最新動態(tài)請關(guān)注會議網(wǎng)站：www.mocvd14.org
