11月15日下午，在第十三屆中國國際半導體照明論壇開幕式上，舉行了ISA 2016年“全球半導體照明突出貢獻獎”頒獎儀式。ISA常務理事會成員，悉尼大學教授朱麗葉向大會介紹了兩位獲獎人的獲獎情況。

 

　　第一位獲獎人是美國喬治亞理工大學教授、美國國家工程院院士， 拉塞爾·杜普伊斯先生（Professor Russell Dean Dupuis） 。

　　朱麗葉教授在介紹其獲獎理由時說到，拉塞爾?杜普伊斯教授1975年第一次發現MOCVD可用于生長高質量的半導體薄膜與器件，1979年在AT&T貝爾實驗室延伸到用MOCVD生長InP-InGaAsP器件，由于高質量的III-V半導體和MOCVD的結合，支撐LED獲得越來越廣泛的應用。如今，世界上幾乎所有的III-V高性能的發光二極管（LED）均以MOCVD方式生長，該技術是半導體照明發展領域一個杰出的成就，它奠定了半導體照明技術飛速發展的基礎。

 

　　評委認為：

 

　　一、杜普伊斯教授是證明使用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)制造點燃多種發光器件的高質量化合物III-V可行性的第一人。七十年代，他在洛克威爾國際公司和貝爾實驗室開創了這種方法，這是首個不同于大規模異質結制備和量子阱結構的液相外延的真空技術。他從設備設計到設備制造全程都親身參與。他的成就在當今的半導體照明設備生產中具有十分重要的作用，獲得全球半導體照明突出貢獻獎絕對實至名歸。    二、高質量的III-V半導體和MOCVD的結合。由于該技術的支撐使LED獲得越來越廣泛的應用。已經證明，在全球范圍內，該技術是半導體照明發展領域一個杰出的成就，它帶來的影響我們每天都在體驗。     三、杜普伊斯教授是金屬有機氣相沉積（MOCVD）應用于LED的先驅。

 

　　中國科技部原副部長曹健林博士向杜普伊斯教授頒發了2016年“全球半導體照明突出貢獻獎”獎牌與證書。

 

　　杜普伊斯教授即席發表了獲獎感言。

 

　　第二位獲獎人是英國愛丁堡大學教授哈拉爾德·哈斯（Professor Harald Haas）先生。

 

　　朱麗葉教授在介紹其獲獎理由時說到，哈斯教授在2011年TED全球大會上，第一次現場演示了Li-Fi技術。不僅開創了照明設備通信的新概念，傳播了該技術，并使他成為公認的“LiFi之父”。此項技術基于半導體照明設備，正在向室內信息和通信技術市場滲透，在物聯網時代一定會迎來一個美好的未來。該技術的出現對半導體照明技術的多樣化應用做出了重大貢獻，吹響了光通信時代的號角，去開拓一個新的藍海市場。

 

　　評委認為:

 

　　一、2015年，作為無線數據傳輸專家，哈斯教授在TED全球大會上，做了“忘記Wi-Fi！迎接新的Li-Fi網絡”的演講，不僅開創了照明設備通信的新概念，并傳播了該技術，使他成為公認的“LiFi之父”。此項技術基于半導體照明設備，正在向室內ICT市場滲透，在物聯網時代一定會有一個美好的未來。該技術的出現對半導體照明技術的多樣化應用作出重大貢獻，開拓了新的市場。他的科技成就，獲得此獎當之無愧。     二、哈斯教授是LiFi技術的推動者。     三、哈斯教授是LiFi技術的開拓者。

 

　　ISA顧問委員會聯合主席、2014年諾貝爾物理學獎獲得者、半導體照明和能源中心研究室主任、美國加州大學圣巴巴拉分校教授中村修二（Shuji Nakamura）先生向哈斯教授頒發了2016年“全球半導體照明突出貢獻獎”獎牌與證書。

 

　　哈斯教授即席發表了獲獎感言。

 

　　“全球半導體照明突出貢獻獎”旨在獎勵表彰為全球半導體照明事業做出了卓越貢獻，在技術創新、產業發展、標準制定、政策實施等領域取得了巨大成就的個人和機構。本獎項是全球半導體照明領域認定貢獻與成就的最高榮譽之一。該獎項今年是第四次評選，迄今為止，共有7位個人、一個企業和一個政府機構獲此殊榮。

 

　　“全球半導體照明突出貢獻獎”，是對全球半導體照明領域內的卓越貢獻者的認可和致敬，并藉此激勵越來越多的科研機構和科學家投身于這一偉大事業，用他們的知識和創新推動歷史前進，創造出更多激動人心的成果，造福人類，惠益全球。

 

　　該獎項面向全球征集，由全球業內知名權威專家組成的評委會獨立打分評選，不向參加者收取任何費用。