MOCVD作為半導體照明的關鍵設備，一直是業界關注的焦點，其技術發展與半導體照明的過去現在以及未來都密切相關，同時作為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術，未來MOCVD技術的發展將會給化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。
本屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2016）期間，與MOCVD設備代表廠商德國愛思強股份有限公司一起組織了一場針對MOCVD技術的研討會，邀請了來自設備及外延、材料等相關技術領域的骨干精英齊聚一堂，共同論道，帶來了MOCVD及相關技術的最新進展。
研討環節，淮安澳洋順昌光電技術有限公司外延部部長蘆玲分享了AIX R6用于高良率氮化鎵LED的大規模生產。
IMEC外延生長事業部資深研究員梁琥帶來了AIX GS+(用于200mm襯底上) p-GaN HEMT電力電子器件的生產的技術成果分享。
激光器、紫外LED都是當前研發熱點，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所器件部副主任、晶能光電有限公司研發部副總裁孫錢帶來了GaN基激光器與近紫外LED的研究進展。
河北半導體所（十三所）外研部副部長李佳，分享了碳化硅同質外延技術進展。
艾強（上海）貿易有限公司工藝部門經理、方子文博士 介紹了寬緊帶半導體固態紫外器件的相關研究進展。
德國愛思強股份有限公司研發副總裁Michael Heuken教授，針對下一代電子和光電器件的二維納米材料做了精彩分享。
