圍繞第三代半導體，今年跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會專門設(shè)置了多場分會，其中，11月16日下午舉行的“第三代半導體與新一代移動通信技術(shù)”分會，圍繞著第三代半導體與新一代移動通信技術(shù)展開多維度的探討，涉及高性能GaN開關(guān)電源，GaN、SiC材料外延及電子器件等眾多熱點。

中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工 劉建利
 

　　會上，來自中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利作了題為“射頻功率器件在移動通信基站射頻功率放大器中的應(yīng)用”主題報告。他表示，移動通信網(wǎng)絡(luò)從上世紀八十年代產(chǎn)生以來，歷經(jīng)了三十余年的發(fā)展歷史，從1G到5G,每一次更新?lián)Q代都是顛覆性技術(shù)引領(lǐng)來解決了當時的最主要需求。我們正處在一個移動互聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的時代，網(wǎng)絡(luò)技術(shù)演進的狀態(tài)是一方面4G網(wǎng)絡(luò)高速建設(shè)，另一方面5G技術(shù)研究快速推進。

 

　　劉建利表示，展望未來移動通信基站的發(fā)展，超寬帶、低功耗、集成小型化將是其必然趨勢。相應(yīng)的對基站內(nèi)部的射頻功率放大器在輸出功率、能耗效率、信號帶寬、可靠性、體積、重量及成本等多方面提出了更高的要求。

 

　　同時，傳統(tǒng)的LDMOS技術(shù)雖然仍然占據(jù)了基站射頻功放的絕大多數(shù)應(yīng)用場景，但面對未來的需求，其技術(shù)指標已經(jīng)難于滿足，并且LDMOS技術(shù)由于經(jīng)過二十多年的演進，指標的提升已接近極限。而GaN技術(shù)以其寬禁帶材料固有的特性，使得器件在工作頻率、功率、效率、帶寬、體積等諸多方面呈現(xiàn)出更加優(yōu)異的性能。GaN射頻功率器件的應(yīng)用2012年前后開始起步，預計到2019年將占到20%以上的市場份額。

中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工 劉建利
 

　　此外，劉建利還特別提出GaN射頻器件在移動通信基站領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個技術(shù)方向：1）多頻段、超寬帶的載波聚合基站系統(tǒng)；2）ET（包絡(luò)跟蹤)/DM（漏極調(diào)制）基站系統(tǒng)；3)DTX（數(shù)字發(fā)信機）/SMPA(開關(guān)功放)基站系統(tǒng), 要求GaN射頻器件具有非常高的截止頻率；4）5G通信的毫米波MASSIVE MIMO基站系統(tǒng)等。

 

　　GaN射頻功率器件在移動通信基站領(lǐng)域應(yīng)用需要重點關(guān)注的幾個問題：1）GaN器件失真特性模型與DPD算法優(yōu)化；2）個別場景EVM指標惡化；3）線性增益動態(tài)范圍大；4）高溫指標惡化等。