氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導體材料，具有高擊穿場強、高熱導率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
11月15日-17日，2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇（以下簡稱“跨國技術轉移大會”）在北京國際會議中心舉行，第十三屆中國國際半導體照明論壇并與之同期同地舉行。其中，在11月17日召開的“碳化硅電力電子器件技術分會”現場，聚集了來自全球各地頂尖專家，高質量報告密集發布，亮點十足。
會上，來自日本名古屋大學教授宇治原徹分享了“高質量碳化硅的溶液生長”研究報告。
宇治原徹表示。如轉換器和逆變器一般用于電力轉換的電力電子設備是有效利用電能的核心技術。 SiC電子器件被認為是成為用于各種應用中的下一代低損耗功率轉換設備的關鍵部件。
現有碳化硅晶體生長技術是依靠播種升華增長方法實行的。如今，現在市場上有幾乎微管密度為零的4和6英寸的的晶片。
然而，在當前的技術中，晶體生長仍然容易出現高密度的擴展缺陷。因此減少這些缺陷是改善SiC器件性能的最優先問題。
液生長法被認為是產生高質量SiC晶體的有力方法。宇治原徹還在報告中闡述了溶液生長法的一些積極作用。對于塊體晶體生長，通常執行頂部晶種溶液生長（TSSG）方法。在該方法中，晶體由碳坩堝中的硅基溶劑生長而成，過程中碳元素從坩堝進入溶劑。
然而缺陷修復的效果細節依然不清楚。最近，我們的X射線形貌實驗揭示了穿透脫臼的愈合機制。在演講中，他回顧脫位復位的機理、位錯密度的控制以及“超高質量”的可能性。
